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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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SiC材料做成的器件又會(huì)有什么過(guò)人之處呢?
圖3是1200V HighSpeed3 IGBT(IGW40N120H3) 與CoolSiCTM MOSFET (IMW120R045M1)的輸出特性對(duì)...
利用MOSFET的線性區(qū)和飽和區(qū)與負(fù)載電阻配對(duì)來(lái)提供脈沖電流
當(dāng)一系列環(huán)境和電路設(shè)計(jì)變量影響輸出時(shí),就很難確定具有負(fù)反饋電路的穩(wěn)定性。任何計(jì)算錯(cuò)誤都會(huì)成為怪異電路行為(如振蕩和振鈴)的溫床。
這個(gè)要看生產(chǎn)制造的工藝,現(xiàn)在在一些制造比較好的工廠,對(duì)于高密度的產(chǎn)品是非常常見(jiàn)的,這就叫VIP via(Via in Pad),好處有:出線距離短,節(jié)省...
2018-06-03 標(biāo)簽:PCBMOSFETPCB設(shè)計(jì) 1.2萬(wàn) 0
MOSFET(圖中以Nch為例)通過(guò)給柵極施加電壓在源極與漏極間創(chuàng)建通道來(lái)導(dǎo)通。另外,柵極通過(guò)源極及漏極與氧化膜被絕緣,因此不會(huì)流過(guò) “導(dǎo)通”意義上的電...
?了解如何創(chuàng)建一個(gè)設(shè)計(jì),及運(yùn)行Vout變換仿真
對(duì)于服務(wù)器、以太網(wǎng)交換機(jī)、基站、以及等云端基礎(chǔ)設(shè)施終端設(shè)備內(nèi)電源的功率密度的要求越來(lái)越高。為了應(yīng)對(duì)這一要求,將集成MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶...
隨著汽車電子系統(tǒng)中電流水平的持續(xù)增加,由于存在高功耗和散熱問(wèn)題,設(shè)計(jì)師因而不再能使用傳統(tǒng)的隔離肖特基二極管。LT8672 是一款具反向電流保護(hù)功能的有源...
Microchip電源管理MCP19111-MCP87000系列產(chǎn)品
本視頻介紹了MCP19111/MCP87XXX 電源管理產(chǎn)品以及組成的靈活高校的電源方案。MCP19111是全球首款數(shù)字增強(qiáng)型的功率模擬轉(zhuǎn)換器,MCP8...
尚陽(yáng)通科技生產(chǎn)的超級(jí)結(jié)MOSFET已經(jīng)發(fā)展到第三代技術(shù)水平
相比較于第二代產(chǎn)品,第三代N系列考慮系統(tǒng)的兼容性,可以較好的兼容客戶現(xiàn)有產(chǎn)品,滿足客戶對(duì)驅(qū)動(dòng)和EMI的適應(yīng)性要求。F系列以其最優(yōu)的開(kāi)關(guān)速度,極低的柵極電...
意法半導(dǎo)體推 PWD13F60 節(jié)省電路板空間60% 還能提升最終應(yīng)用的功率密度
意法半導(dǎo)體的 PWD13F60系統(tǒng)封裝(SiP)產(chǎn)品在一個(gè)13mm x 11mm的封裝內(nèi)集成一個(gè)完整的600V/8A單相MOSFET全橋電路,能夠?yàn)楣I(yè)...
2018-05-15 標(biāo)簽:mosfetemi意法半導(dǎo)體 1811 0
Flyback主電路中哪些元器件需要我們?cè)O(shè)計(jì)?電源用什么拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)?
MOSFET關(guān)斷時(shí),當(dāng)Vds超過(guò)RCD緩沖電路中的電容兩端的電壓VSN時(shí),緩沖二極管導(dǎo)通.尖峰電流被RCD電路吸收,從而削減了尖峰電流. 緩沖電容一定要...
2018-05-09 標(biāo)簽:電源MOSFET拓?fù)浣Y(jié)構(gòu) 1.2萬(wàn) 1
關(guān)于MOSFET用于開(kāi)關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路
MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動(dòng)常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOS...
2018-05-07 標(biāo)簽:mosfet開(kāi)關(guān)電源ic 1.2萬(wàn) 0
到底什么是雪崩失效呢,簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)MOSFET在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間,導(dǎo)致的一種失效模式...
關(guān)于反激式LED驅(qū)動(dòng)器的工作原理
作為一種固態(tài)光源,發(fā)光二級(jí)管(LED)具備使用壽命長(zhǎng)、功效出色以及環(huán)保特性,因此得到了廣泛應(yīng)用。目前,LED正在取代現(xiàn)有的照明光源,如白熾燈、熒光燈和H...
如何將驅(qū)動(dòng)器與MOSFET進(jìn)行匹配
對(duì) MOSFET 的柵極進(jìn)行充電和放電需要同樣的能量, 無(wú)論充放電過(guò)程快或慢 (柵極電壓的上升和下降)。因 此,MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的電流驅(qū)動(dòng)能力并不影...
2018-04-28 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器 1.3萬(wàn) 0
提高功率密度已經(jīng)成為電源變換器的發(fā)展趨勢(shì)。為達(dá)到 這個(gè)目標(biāo),需要提高開(kāi)關(guān)頻率,從而降低功率損耗、系 統(tǒng)整體尺寸以及重量。
焊盤(pán)上打孔的注意事項(xiàng)和防立碑現(xiàn)象的發(fā)生方法詳細(xì)介紹
一 在MOSFET的大型焊盤(pán)的背面打過(guò)孔時(shí)我們?yōu)榱烁纳芃OSFET的散熱,在MOSFET的焊盤(pán)上打過(guò)孔。那么
電機(jī)驅(qū)動(dòng)短路保護(hù)時(shí)間設(shè)定的技術(shù)指標(biāo)
通常采用MOSFET飽和的短路電流,使用單脈沖持續(xù)的時(shí)間來(lái)評(píng)估功率MOSFET抗短路沖擊的性能。從圖3的應(yīng)用測(cè)試波形可以看到,在短路過(guò)程中,發(fā)生了連續(xù)多...
2018-04-25 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng) 7453 0
只要問(wèn)任何經(jīng)驗(yàn)豐富的電氣工程師——如我們今天故事里的教授 Gureux ——在 MOSFET 柵極前要放什么,你很可能會(huì)聽(tīng)到“一個(gè)約 100 Ω 的電阻”。
A6862主要特性和優(yōu)勢(shì)_汽車三相固態(tài)繼電器MOSFET驅(qū)動(dòng)方案
Allegro MicroSystems公司的A6862是N溝功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器,具有三個(gè)獨(dú)立的浮置柵極驅(qū)動(dòng)輸出,集成的電荷泵控制器穩(wěn)壓器在電源電壓...
2018-04-14 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器穩(wěn)壓器 4159 0
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