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標(biāo)簽 > mosfet

mosfet

mosfet

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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

盤點(diǎn)MOSFET技術(shù) MOS在電路中的常見應(yīng)用

盤點(diǎn)MOSFET技術(shù) MOS在電路中的常見應(yīng)用

絕緣柵場效應(yīng)管中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,由于這種場效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離,所以又叫絕緣柵場效應(yīng)管,英文簡稱是MOSFET,一般也簡稱為...

2021-03-18 標(biāo)簽:三極管MOSFET半導(dǎo)體三極管 9163 0

MOS在模擬電路上的應(yīng)用 MOSFET組成的H橋驅(qū)動(dòng)電路

MOS在模擬電路上的應(yīng)用 MOSFET組成的H橋驅(qū)動(dòng)電路

最開始學(xué)習(xí)三極管的時(shí)候,很注重它的工作原理,后來到了實(shí)際應(yīng)用,就直接把三極管或MOSFET直接當(dāng)作一個(gè)開關(guān)器件使用。直到前這幾天,接觸到MOSFET組成...

2020-10-15 標(biāo)簽:三極管MOSFET步進(jìn)電機(jī) 9138 0

N溝道和P溝道MOSFET的開關(guān)電路講解

N溝道和P溝道MOSFET的開關(guān)電路講解

  MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)+FET(Field Effect Transistor場...

2023-02-27 標(biāo)簽:開關(guān)電路MOSFET晶體管 9134 0

降低電源開關(guān)輸入電壓尖峰的解決方案

降低電源開關(guān)輸入電壓尖峰的解決方案

該電源開關(guān)是一款低壓、單 N 溝道 MOSFET 高側(cè)電源開關(guān),針對(duì)自供電和總線供電的通用串行總線 (USB) 應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。

2022-04-20 標(biāo)簽:MOSFET電源開關(guān)串行總線 9128 0

MOSFET及IGBT在電力電子應(yīng)用設(shè)計(jì)

MOSFET及IGBT在電力電子應(yīng)用設(shè)計(jì)

多數(shù)情況下,功率變換器的傳導(dǎo)干擾以共模干擾為主。本文介紹了一種基于補(bǔ)償原理的無源共模干擾抑制技術(shù),并成功地應(yīng)用于多種功率變換器拓?fù)渲小@碚摵蛯?shí)驗(yàn)結(jié)果都證...

2017-09-28 標(biāo)簽:mosfet開關(guān)電源igbt 9123 0

制造集成電路的版圖基本知識(shí)

制造集成電路的版圖基本知識(shí)

在光刻膠工藝過程中,涂層曝光、顯影后,曝光部分被溶解,未曝光部分留下來,該涂層材料為正性光刻膠。

2023-06-25 標(biāo)簽:集成電路CMOSMOSFET 9104 0

雙脈沖測試基礎(chǔ)系列:基本原理和應(yīng)用

雙脈沖測試基礎(chǔ)系列:基本原理和應(yīng)用

雙脈沖測試就是給被測器件兩個(gè)脈沖作為驅(qū)動(dòng)控制信號(hào),如圖1所示。第一個(gè)脈沖相對(duì)較寬,以獲得一定的電流。

2021-09-23 標(biāo)簽:MOSFET示波器逆變器 9080 0

Flyback反激變換器RCD吸收電路計(jì)算方法

Flyback反激變換器RCD吸收電路計(jì)算方法

反激變換器需要使用RCD吸收電路RSn、CSn和DSn,鉗位VDS的尖峰電壓值不超過功率MOSFET管的最大額定值,同時(shí)具有一定裕量。

2024-01-02 標(biāo)簽:MOSFET吸收電路RCD 9045 0

恒壓恒流輸出的電源適配器樣機(jī)測試 思睿達(dá)TT5565SG+TT3006方案

恒壓恒流輸出的電源適配器樣機(jī)測試 思睿達(dá)TT5565SG+TT3006方案

01、樣機(jī)介紹 該 測試 報(bào)告是基于一個(gè)能適用于寬輸入電壓范圍,輸出功率12W,恒壓恒流輸出的電源 適配器 樣機(jī),控制IC采用了思睿達(dá)的TT5565SG...

2021-08-24 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源電源管理 8999 0

IGBT如何選型,在選擇IGBT時(shí)需要考慮的參數(shù)

IGBT是繼MOSFET之后,新一代的開關(guān)器件,主要用于高壓和高電流的開關(guān)控制。IGBT的全稱是Isolated Gate Bipolar Transi...

2023-07-20 標(biāo)簽:MOSFETIGBT半導(dǎo)體器件 8996 0

碳化硅MOSFET和IGBT的區(qū)別與聯(lián)系

碳化硅MOSFET技術(shù)是一種半導(dǎo)體技術(shù),它可以用于控制電流和電壓,以及檢測電阻、電容、電壓和電流等參數(shù),以確定電子設(shè)備是否正常工作。碳化硅MOSFET技...

2023-02-15 標(biāo)簽:MOSFETIGBT碳化硅 8956 0

功率MOSFET基本結(jié)構(gòu):溝槽結(jié)構(gòu)介紹

功率MOSFET基本結(jié)構(gòu):溝槽結(jié)構(gòu)介紹

垂直導(dǎo)電平面結(jié)構(gòu)功率MOSFET管水平溝道直接形成JFET效應(yīng),如果把水平的溝道變?yōu)榇怪睖系溃瑥膫?cè)面控制溝道,就可以消除JFET效應(yīng)。

2023-08-28 標(biāo)簽:MOSFET電阻器熱插拔 8938 1

焊盤上打孔的注意事項(xiàng)和防立碑現(xiàn)象的發(fā)生方法詳細(xì)介紹

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一 在MOSFET的大型焊盤的背面打過孔時(shí)我們?yōu)榱烁纳芃OSFET的散熱,在MOSFET的焊盤上打過孔。那么

2018-04-30 標(biāo)簽:MOSFET焊盤 8936 0

一文詳解同步與非同步Buck電源

首先,要區(qū)分同步和非同步的概念。通俗一點(diǎn):在應(yīng)用中上管和下管都有場效應(yīng)管的就是同步的。只有一個(gè)上管的開關(guān)就是非同步的,因?yàn)樵诜峭诫娫粗校鹿苁且粋€(gè)二極...

2023-03-01 標(biāo)簽:二極管MOSFETBUCK 8934 0

多種MOSFET雙脈沖測試,探討MOSFET的反向恢復(fù)特性

多種MOSFET雙脈沖測試,探討MOSFET的反向恢復(fù)特性

本文我們將根據(jù)使用了幾種MOSFET的雙脈沖測試結(jié)果,來探討MOSFET的反向恢復(fù)特性。該評(píng)估中的試驗(yàn)電路將使用上一篇文章中給出的基本電路圖。另外,相應(yīng)...

2020-12-21 標(biāo)簽:MOSFET 8925 0

介紹MOSFET動(dòng)態(tài)性能相關(guān)的參數(shù)

介紹MOSFET動(dòng)態(tài)性能相關(guān)的參數(shù)

柵極電荷是指為導(dǎo)通MOSFET而注入到柵極電極的電荷量,有時(shí)也稱為總柵極電荷。總柵極電荷包括 Qgs 和 Qgd。Q gs表示柵極-源的電荷量,Qgd ...

2023-05-29 標(biāo)簽:MOSFET示波器MOS管 8918 0

基于LCC拓?fù)涞陌霕騆CC諧振變換數(shù)字控制和同步整流為特性的300W電源

作者:Akshat JAIN, Fabrizio DI FRANCO 近年來,諧振變換器的熱度越來越高,被廣泛用于計(jì)算機(jī)服務(wù)器、電信設(shè)備、燈具和消費(fèi)電子...

2021-03-10 標(biāo)簽:變壓器MOSFET并聯(lián)電容器 8901 0

如何使用P/N溝道MOSFET構(gòu)建通用全橋或H橋MOSFET驅(qū)動(dòng)電路

如何使用P/N溝道MOSFET構(gòu)建通用全橋或H橋MOSFET驅(qū)動(dòng)電路

在本文中,我們將學(xué)習(xí)如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路,該電路可用于制造電機(jī)、逆變器和許多不同的...

2023-04-29 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路N溝道 8900 0

碳化硅有哪些優(yōu)勢?能應(yīng)用在那些方面

電力電子朝向碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬能隙(WBG)材料發(fā)展,雖然硅仍然占據(jù)市場主流,但SiC與GaN器件很快就會(huì)催生新一代更高效的技術(shù)解決方案。

2020-10-17 標(biāo)簽:二極管MOSFETGaN 8863 0

降低碳化硅牽引逆變器的功率損耗和散熱

降低碳化硅牽引逆變器的功率損耗和散熱

隨著電動(dòng)汽車 (EV) 制造商之間在開發(fā)成本更低、行駛里程更長的車型方面的競爭日益激烈,電力系統(tǒng)工程師面臨著減少功率損耗和提高牽引逆變器系統(tǒng)效率的壓力,...

2023-02-27 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET逆變器 8844 0

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    +關(guān)注
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  • 光模塊
    光模塊
    +關(guān)注
    光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成,光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡單的說,光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換,發(fā)送端把電信號(hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào),通過光纖傳送后,接收端再把光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。
  • STM32單片機(jī)
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    STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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    步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器
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    +關(guān)注
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  • CD4046
    CD4046
    +關(guān)注
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  • COMSOL
    COMSOL
    +關(guān)注
    COMSOL集團(tuán)是全球多物理場建模解決方案的提倡者與領(lǐng)導(dǎo)者。憑借創(chuàng)新的團(tuán)隊(duì)、協(xié)作的文化、前沿的技術(shù)、出色的產(chǎn)品,這家高科技工程軟件公司正飛速發(fā)展,并有望成為行業(yè)領(lǐng)袖。其旗艦產(chǎn)品COMSOL Multiphysics 使工程師和科學(xué)家們可以通過模擬,賦予設(shè)計(jì)理念以生命。
  • 加速度傳感器
    加速度傳感器
    +關(guān)注
    加速度傳感器是一種能夠測量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
  • 聯(lián)網(wǎng)技術(shù)
    聯(lián)網(wǎng)技術(shù)
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  • 服務(wù)機(jī)器人
    服務(wù)機(jī)器人
    +關(guān)注
    服務(wù)機(jī)器人是機(jī)器人家族中的一個(gè)年輕成員,到目前為止尚沒有一個(gè)嚴(yán)格的定義。不同國家對(duì)服務(wù)機(jī)器人的認(rèn)識(shí)不同。
  • 四軸飛行器
    四軸飛行器
    +關(guān)注
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    靜電防護(hù)
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    SDK
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    OBD
    +關(guān)注
    OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫,中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài),一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況,會(huì)馬上發(fā)出警示。
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