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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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盤點(diǎn)MOSFET技術(shù) MOS在電路中的常見應(yīng)用
絕緣柵場效應(yīng)管中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,由于這種場效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離,所以又叫絕緣柵場效應(yīng)管,英文簡稱是MOSFET,一般也簡稱為...
2021-03-18 標(biāo)簽:三極管MOSFET半導(dǎo)體三極管 9163 0
MOS在模擬電路上的應(yīng)用 MOSFET組成的H橋驅(qū)動(dòng)電路
最開始學(xué)習(xí)三極管的時(shí)候,很注重它的工作原理,后來到了實(shí)際應(yīng)用,就直接把三極管或MOSFET直接當(dāng)作一個(gè)開關(guān)器件使用。直到前這幾天,接觸到MOSFET組成...
2020-10-15 標(biāo)簽:三極管MOSFET步進(jìn)電機(jī) 9138 0
MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)+FET(Field Effect Transistor場...
2023-02-27 標(biāo)簽:開關(guān)電路MOSFET晶體管 9134 0
該電源開關(guān)是一款低壓、單 N 溝道 MOSFET 高側(cè)電源開關(guān),針對(duì)自供電和總線供電的通用串行總線 (USB) 應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。
2022-04-20 標(biāo)簽:MOSFET電源開關(guān)串行總線 9128 0
MOSFET及IGBT在電力電子應(yīng)用設(shè)計(jì)
多數(shù)情況下,功率變換器的傳導(dǎo)干擾以共模干擾為主。本文介紹了一種基于補(bǔ)償原理的無源共模干擾抑制技術(shù),并成功地應(yīng)用于多種功率變換器拓?fù)渲小@碚摵蛯?shí)驗(yàn)結(jié)果都證...
2017-09-28 標(biāo)簽:mosfet開關(guān)電源igbt 9123 0
恒壓恒流輸出的電源適配器樣機(jī)測試 思睿達(dá)TT5565SG+TT3006方案
01、樣機(jī)介紹 該 測試 報(bào)告是基于一個(gè)能適用于寬輸入電壓范圍,輸出功率12W,恒壓恒流輸出的電源 適配器 樣機(jī),控制IC采用了思睿達(dá)的TT5565SG...
2021-08-24 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源電源管理 8999 0
IGBT如何選型,在選擇IGBT時(shí)需要考慮的參數(shù)
IGBT是繼MOSFET之后,新一代的開關(guān)器件,主要用于高壓和高電流的開關(guān)控制。IGBT的全稱是Isolated Gate Bipolar Transi...
2023-07-20 標(biāo)簽:MOSFETIGBT半導(dǎo)體器件 8996 0
碳化硅MOSFET和IGBT的區(qū)別與聯(lián)系
碳化硅MOSFET技術(shù)是一種半導(dǎo)體技術(shù),它可以用于控制電流和電壓,以及檢測電阻、電容、電壓和電流等參數(shù),以確定電子設(shè)備是否正常工作。碳化硅MOSFET技...
功率MOSFET基本結(jié)構(gòu):溝槽結(jié)構(gòu)介紹
垂直導(dǎo)電平面結(jié)構(gòu)功率MOSFET管水平溝道直接形成JFET效應(yīng),如果把水平的溝道變?yōu)榇怪睖系溃瑥膫?cè)面控制溝道,就可以消除JFET效應(yīng)。
焊盤上打孔的注意事項(xiàng)和防立碑現(xiàn)象的發(fā)生方法詳細(xì)介紹
一 在MOSFET的大型焊盤的背面打過孔時(shí)我們?yōu)榱烁纳芃OSFET的散熱,在MOSFET的焊盤上打過孔。那么
首先,要區(qū)分同步和非同步的概念。通俗一點(diǎn):在應(yīng)用中上管和下管都有場效應(yīng)管的就是同步的。只有一個(gè)上管的開關(guān)就是非同步的,因?yàn)樵诜峭诫娫粗校鹿苁且粋€(gè)二極...
多種MOSFET雙脈沖測試,探討MOSFET的反向恢復(fù)特性
本文我們將根據(jù)使用了幾種MOSFET的雙脈沖測試結(jié)果,來探討MOSFET的反向恢復(fù)特性。該評(píng)估中的試驗(yàn)電路將使用上一篇文章中給出的基本電路圖。另外,相應(yīng)...
2020-12-21 標(biāo)簽:MOSFET 8925 0
介紹MOSFET動(dòng)態(tài)性能相關(guān)的參數(shù)
柵極電荷是指為導(dǎo)通MOSFET而注入到柵極電極的電荷量,有時(shí)也稱為總柵極電荷。總柵極電荷包括 Qgs 和 Qgd。Q gs表示柵極-源的電荷量,Qgd ...
基于LCC拓?fù)涞陌霕騆CC諧振變換數(shù)字控制和同步整流為特性的300W電源
作者:Akshat JAIN, Fabrizio DI FRANCO 近年來,諧振變換器的熱度越來越高,被廣泛用于計(jì)算機(jī)服務(wù)器、電信設(shè)備、燈具和消費(fèi)電子...
2021-03-10 標(biāo)簽:變壓器MOSFET并聯(lián)電容器 8901 0
如何使用P/N溝道MOSFET構(gòu)建通用全橋或H橋MOSFET驅(qū)動(dòng)電路
在本文中,我們將學(xué)習(xí)如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路,該電路可用于制造電機(jī)、逆變器和許多不同的...
2023-04-29 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路N溝道 8900 0
電力電子朝向碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬能隙(WBG)材料發(fā)展,雖然硅仍然占據(jù)市場主流,但SiC與GaN器件很快就會(huì)催生新一代更高效的技術(shù)解決方案。
隨著電動(dòng)汽車 (EV) 制造商之間在開發(fā)成本更低、行駛里程更長的車型方面的競爭日益激烈,電力系統(tǒng)工程師面臨著減少功率損耗和提高牽引逆變器系統(tǒng)效率的壓力,...
2023-02-27 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET逆變器 8844 0
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