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標(biāo)簽 > mosfet

mosfet

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簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

MOSFET晶體管的制造工藝

MOSFET晶體管的制造工藝

MOS場(chǎng)效應(yīng)管(以下簡(jiǎn)稱MOS管)中間是部分是金屬-絕緣體-半導(dǎo)體組成的MOS電容結(jié)構(gòu),是上圖中的中間柵極-絕緣層和n-Si襯底部分的結(jié)構(gòu)。

2022-08-20 標(biāo)簽:集成電路MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 8828 0

什么是反激電源?反激電源設(shè)計(jì)步驟和注意事項(xiàng)

什么是反激電源?反激電源設(shè)計(jì)步驟和注意事項(xiàng)

反激電源是一種電力轉(zhuǎn)換電路,能夠?qū)⒅绷麟妷恨D(zhuǎn)換成所需的交流電壓并為負(fù)載供電。反激電源的基本原理是通過控制開關(guān)器件(MOSFET、IGBT等)導(dǎo)通和截止時(shí)...

2023-11-14 標(biāo)簽:MOSFETIGBT轉(zhuǎn)換電路 8825 0

如何驅(qū)動(dòng) MOSFET?MOSFET 驅(qū)動(dòng)器電路原理解析

如何驅(qū)動(dòng) MOSFET?MOSFET 驅(qū)動(dòng)器電路原理解析

MOSFET 功率開關(guān)是開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器里最重要的元件,如果它被集成進(jìn) IC 里,這種器件便可以被稱作轉(zhuǎn)換器;如果它被外置,能夠驅(qū)動(dòng)它的器件便可以被稱...

2021-02-01 標(biāo)簽:MOSFET控制器電源管理 8769 0

MOSFET開關(guān)損耗的計(jì)算方法

MOSFET開關(guān)損耗的計(jì)算方法

MOS管在電源應(yīng)用中作為開關(guān)用時(shí)將會(huì)導(dǎo)致一些不可避免的損耗,這些損耗可以分為兩類。

2023-03-26 標(biāo)簽:電源MOSFET電容 8756 0

什么是IGBT?IGBT的工作原理

什么是IGBT?IGBT的工作原理

IGBT:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵...

2023-12-18 標(biāo)簽:三極管MOSFET半導(dǎo)體 8748 0

驅(qū)動(dòng)電路中的誤開通及應(yīng)對(duì)方法

驅(qū)動(dòng)電路中的誤開通及應(yīng)對(duì)方法

功率器件如 MOSFET、IGBT 可以看作是一個(gè)受門極電壓控制的開關(guān)。當(dāng)門極電壓大于開通閾值時(shí),功率器件就會(huì)被開通;而當(dāng)門極電壓低于開通閾值時(shí),功率器...

2022-11-29 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)電壓驅(qū)動(dòng)電路 8737 0

N溝道耗盡型功率MOSFET的電路應(yīng)用

N溝道耗盡型功率MOSFET的電路應(yīng)用

電源系統(tǒng)中的恒定電流源,固態(tài)繼電器,電信開關(guān)和高壓直流線路等應(yīng)用需要N溝道耗盡型功率MOSFET,當(dāng)柵極至源極電壓為零時(shí),該MOSFET用作常開的開關(guān)。...

2021-05-27 標(biāo)簽:MOSFET固態(tài)繼電器電源系統(tǒng) 8731 0

IGBT中米勒效應(yīng)的影響和處理方法

IGBT中米勒效應(yīng)的影響和處理方法

之前我們?cè)诮榻BMOS和IGBT的文章中也有提到米勒電容和米勒效應(yīng)的概念,在IGBT的導(dǎo)通過程分析的文章中我們也簡(jiǎn)單提到過米勒平臺(tái)

2023-05-25 標(biāo)簽:三極管MOSFETMOS管 8719 0

音頻設(shè)備中的幻象電源

音頻設(shè)備中的幻象電源

幻象電源通常是一個(gè)在XLR電纜的引腳2和3上運(yùn)行的一個(gè)正電壓(通常是從12V到48V),用于給電容式麥克風(fēng)進(jìn)行供電。使用“幻象”來描述這一特殊應(yīng)用場(chǎng)景的...

2023-03-17 標(biāo)簽:電源MOSFET驅(qū)動(dòng)器 8701 0

場(chǎng)效應(yīng)管是如何導(dǎo)通的 場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通和截止的條件

場(chǎng)效應(yīng)管是如何導(dǎo)通的 場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通和截止的條件

在一般情況下,場(chǎng)效應(yīng)管(FET)的導(dǎo)通電阻越小越好,因?yàn)檩^小的導(dǎo)通電阻意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下,F(xiàn)ET可以提供更低的電阻,允許更大的電流通過。

2024-03-06 標(biāo)簽:放大器開關(guān)電路MOSFET 8690 0

SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)要求及應(yīng)用

如何驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET以優(yōu)化高功率系統(tǒng)的性能和可靠性

2018-08-20 標(biāo)簽:mosfet太陽能sic 8686 0

一種先進(jìn)的利用電流檢測(cè)端子實(shí)現(xiàn)的全SiC模塊過流和短路保護(hù)方法

一種先進(jìn)的利用電流檢測(cè)端子實(shí)現(xiàn)的全SiC模塊過流和短路保護(hù)方法

采用電流檢測(cè)并用于FMF800DX-24A的先進(jìn)保護(hù)方法是通過參考設(shè)計(jì)RDHP-1417來實(shí)現(xiàn)的(其采用驅(qū)動(dòng)核2SC0435T)[4][5],并包括過壓...

2018-04-10 標(biāo)簽:電流MOSFETSiC 8639 0

如何利用MOSFET的三極管和飽和區(qū)與負(fù)載電阻配對(duì)以提供脈沖電流

如何利用MOSFET的三極管和飽和區(qū)與負(fù)載電阻配對(duì)以提供脈沖電流

從波特圖獲取增益和相位裕度。該方法通過在頻率上觀察電路的特性響應(yīng)來通過判斷領(lǐng)域。需要價(jià)格昂貴的網(wǎng)絡(luò)分析儀或頻率響應(yīng)分析儀,將頻率掃至所需范圍的正弦波與輸...

2021-05-07 標(biāo)簽:MOSFET電位器電源轉(zhuǎn)換器 8635 0

增強(qiáng)型MOSFET的基礎(chǔ)知識(shí)

增強(qiáng)型MOSFET的基礎(chǔ)知識(shí)

MOSFET是一種具有絕緣柵的場(chǎng)效應(yīng)晶體管,主要用于放大或切換信號(hào)。在當(dāng)前模擬和數(shù)字電路中,與BJT相比,MOSFET的使用頻率更高一些。

2022-09-20 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 8593 0

MOSFET米勒效應(yīng)詳解

MOSFET米勒效應(yīng)詳解

米勒效應(yīng)(Miller effect)是在電子學(xué)中,反相放大電路中,輸入與輸出之間的分布電容或寄生電容由于放大器的放大作用,其等效到輸入端的電容值會(huì)擴(kuò)大...

2023-05-15 標(biāo)簽:放大器開關(guān)電路MOSFET 8591 0

緩解開關(guān)電源的低頻和高頻EMI的創(chuàng)新解決方案

緩解開關(guān)電源的低頻和高頻EMI的創(chuàng)新解決方案

“鑒于 EMI 可能在后期嚴(yán)重阻礙設(shè)計(jì)進(jìn)度,浪費(fèi)大量時(shí)間和資金,因此必須在設(shè)計(jì)之初就應(yīng)考慮EMI 問題。”德州儀器(TI)白皮書《通過節(jié)省時(shí)間和成本的創(chuàng)...

2021-04-13 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源emi 8529 0

電流驅(qū)動(dòng)電流檢測(cè)電路詳解,如何使用分流電壓作為輸入電壓,

電流驅(qū)動(dòng)電流檢測(cè)電路詳解,如何使用分流電壓作為輸入電壓,

運(yùn)放必須是軌對(duì)軌輸入,或有一個(gè)包括正供電軌的共模電壓范圍。零漂移運(yùn)算放大器可實(shí)現(xiàn)最小偏移量。但請(qǐng)記住,即使使用零漂移軌對(duì)軌運(yùn)放,在較高的共模范圍內(nèi)運(yùn)行通...

2019-05-09 標(biāo)簽:MOSFET運(yùn)算放大器電壓 8509 0

多個(gè)mos管并聯(lián)驅(qū)動(dòng)電路的作用是什么

多個(gè)mos管并聯(lián)驅(qū)動(dòng)電路的作用是什么

當(dāng)在高速下控制高功率時(shí),有必要仔細(xì)考慮設(shè)備的選擇及其特性中可能變化的范圍。在進(jìn)行并行連接時(shí),最重要的是避免電流集中,包括過電流,并確保在所有可能的負(fù)載條...

2023-08-21 標(biāo)簽:MOSFETDC-DCDC 8503 0

如何正確應(yīng)用合適的功率器件以滿足工業(yè)電源要求

如何正確應(yīng)用合適的功率器件以滿足工業(yè)電源要求

本文介紹了適用于工業(yè)電源應(yīng)用的各種電源轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),以及設(shè)計(jì)人員在選擇拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及其相關(guān)組件之前必須考慮的因素。在此過程中,它介紹了 ROHM 半導(dǎo)體的...

2022-07-26 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 8489 0

采用SiC材料元器件的特性結(jié)構(gòu)介紹

SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,熱導(dǎo)率是Si的3倍,所以被認(rèn)為是...

2018-09-29 標(biāo)簽:mosfet半導(dǎo)體sic 8477 0

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    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開發(fā)工具包,軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
  • OBD
    OBD
    +關(guān)注
    OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫,中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài),一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況,會(huì)馬上發(fā)出警示。
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