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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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升壓轉(zhuǎn)換器是一種電力電子轉(zhuǎn)換器,用于將低電壓轉(zhuǎn)換為高電壓。它是DC-DC(直流-直流)轉(zhuǎn)換器的一種,通常用于各種應(yīng)用,包括電源管理、電池充電、LED驅(qū)動等。
mosfet漏極外接二極管的作用 mosfet源極和漏極的區(qū)別
漏極外接二極管(Drain-Source Diode,簡稱D-S二極管)在MOSFET電路中起到了重要的作用,本文將介紹MOSFET源極和漏極之間的區(qū)別...
2024-01-31 標(biāo)簽:二極管MOSFET場效應(yīng)晶體管 2222 0
如何在挑戰(zhàn)性環(huán)境中優(yōu)化 BLDC 電機(jī)驅(qū)動器的熱性能
作者:Jeff Shepard 投稿人:DigiKey 北美編輯 無刷直流 (BLDC) 電機(jī)越來越多地用于熱條件苛刻的環(huán)境中,如電動汽車 (EV) 等...
如何在空間受限型設(shè)計中實現(xiàn)有效的功率控制
作者:Art Pini 投稿人:DigiKey 北美編輯 諸如耳塞、智能手表、增強現(xiàn)實 (AR)/虛擬現(xiàn)實 (VR) 眼鏡和助聽器之類可穿戴設(shè)備正變得越...
為什么要學(xué)數(shù)電?毫不夸張地說,數(shù)電帶來了信息化時代。大家身邊所有的電器,里面都會有一塊或多塊電路板,上面基本都會有若干個芯片,芯片內(nèi)部里面跑的全是數(shù)字信...
2024-01-26 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管電路板 2333 0
MOSFET在雪崩效應(yīng)發(fā)生時能夠承受的電流和電壓能力。雪崩耐量越高,器件的可靠性越好。參數(shù):雪崩耐量 - SURG (Surge Tolerance)
描述:MOSFET的最大允許電壓。參數(shù):額定電壓 - VR (Voltage Rating)
2024-01-26 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管 1785 0
服務(wù)器電源主要用在數(shù)據(jù)中心場景中,主要應(yīng)用于服務(wù)器、存儲器等設(shè)備。它和PC電源一樣,都是一種開關(guān)電源。
2024-01-25 標(biāo)簽:變壓器MOSFET開關(guān)電源 1215 0
同步Buck和異步Buck的結(jié)構(gòu)對比 同步Buck的PCB布局要點
異步Buck變換器采用肖特基二極管作為續(xù)流管,而同步Buck變換器用MOSFET替代肖特基二極管進(jìn)行續(xù)流,由于MOSFET的導(dǎo)通電阻很低,所以導(dǎo)通損耗較...
詳解IGBT的驅(qū)動電路及短路保護(hù)設(shè)計
IGBT,中文名字為絕緣柵雙極型晶體管,它是由MOSFET(輸入級)和PNP晶體管(輸出級)復(fù)合而成的一種器件,既有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度...
深入淺出了解高邊驅(qū)動在汽車應(yīng)用中的挑戰(zhàn)
隨著汽車電子技術(shù)發(fā)展,電動化,輕量化與智能化需求帶動了車規(guī)級高邊驅(qū)動(High-side Driver, HSD)在車身負(fù)載驅(qū)動中的大規(guī)模應(yīng)用。
開關(guān)電源(SMPS)中各個元器件損耗的計算和預(yù)測技術(shù)介紹
本文詳細(xì)介紹了開關(guān)電源(SMPS)中各個元器件損耗的計算和預(yù)測技術(shù),并討論了提高開關(guān)調(diào)節(jié)器效率的相關(guān)技術(shù)和特點,以選擇最合適的芯片來達(dá)到高效指標(biāo)。
2024-01-22 標(biāo)簽:二極管MOSFET開關(guān)電源 2.0萬 0
常用的MOSFET驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)設(shè)計
常用的MOSFET驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)如圖1所示,驅(qū)動信號經(jīng)過圖騰柱放大后,經(jīng)過一個驅(qū)動電阻Rg給MOSFET驅(qū)動。
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