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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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在電力電子技術(shù)領(lǐng)域,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一種被廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體開關(guān)器件。它結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的輸入阻抗高和雙極...
如何消除靜電釋放(ESD)對(duì)電子設(shè)備的干擾和破壞?
在PCB板的設(shè)計(jì)當(dāng)中,可以通過分層、恰當(dāng)?shù)牟季植季€和安裝實(shí)現(xiàn)PCB的抗ESD設(shè)計(jì)。在設(shè)計(jì)過程中,通過預(yù)測(cè)可以將絕大多數(shù)設(shè)計(jì)修改僅限于增減元器件。通過調(diào)整...
增強(qiáng)型和耗盡型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的詳細(xì)資料和計(jì)算方式說明
根據(jù)導(dǎo)電方式的不同,MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。所謂增強(qiáng)型是指:當(dāng)VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài),加上正確的VGS后,多數(shù)載流子被吸引到柵極,從而“增...
2019-07-06 標(biāo)簽:二極管MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 2.9萬 0
MOSFET柵極應(yīng)用電路作用與驅(qū)動(dòng)電路解析
MOSFET是一種常見的電壓型控制器件,具有開關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動(dòng)功率小、動(dòng)態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域(SOA)寬等一系列的優(yōu)點(diǎn),因...
2018-01-05 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路pnp 2.8萬 0
IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)過熱和過流的區(qū)別
IGBT在結(jié)構(gòu)上類似于MOSFET,其不同點(diǎn)在于IGBT是在N溝道功率MOSFET的N+基板(漏極)上增加了一個(gè) P+基板(IGBT 的集電極),形成P...
詳細(xì)解析五種PFC的開關(guān)管驅(qū)動(dòng)方案
什么是PFC? PFC(Power Factor Correction)-功率因數(shù)校正,功率因數(shù),簡單的說就是有功功率和視在功率的比值,這里的視在功率被...
“立碑”現(xiàn)象常發(fā)生在CHIP元件(如貼片電容和貼片電阻)的回流焊接過程中,元件體積越小越容易發(fā)生。特別是1005或更小釣0603貼片元件生產(chǎn)中,很難消除...
ZVS的實(shí)現(xiàn)方案解析和MOSFET的損耗分析
MOSFET的損耗主要包括如下幾個(gè)部分:1導(dǎo)通損耗,導(dǎo)通損耗是比較容易理解的,即流過MOSFET的RMS電流在MOSFET的Rdson上的I^2R損耗。...
功率放大器在現(xiàn)實(shí)中具備諸多適用,如A類功率放大器等。在往期文章中,小編對(duì)功率放大器的技術(shù)指標(biāo)、功率放大器的工作原理、功率放大器的定義等知識(shí)有所介紹。為增...
為SiC MOSFET選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)芯片,需要考慮幾個(gè)方面?
SiC MOSFET與傳統(tǒng)硅MOSFET在短路特性上有所差異,以英飛凌CoolSiC? 系列為例,全系列SiC MOSFET具有大約3秒的短路耐受能力。...
2018-06-15 標(biāo)簽:MOSFETSiC驅(qū)動(dòng)芯片 2.6萬 0
IGBT可以做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點(diǎn)頻率不是太高,目前IGBT硬開關(guān)速度可以到100KHZ,那已經(jīng)是不錯(cuò)了.不過相對(duì)于MOSFET的工作頻...
反激式轉(zhuǎn)換器工作原理以及反激開關(guān)MOSFET源極流出的電流波形轉(zhuǎn)折點(diǎn)的分析
反激式轉(zhuǎn)換器在正常工作情況下,當(dāng)MOSFET關(guān)斷時(shí),初級(jí)電流(id)在短時(shí)間內(nèi)為 MOSFET的Coss(即Cgd+Cds)充電,當(dāng)Coss兩端的電壓V...
2018-01-31 標(biāo)簽:電流轉(zhuǎn)換器mosfet 2.6萬 0
詳解實(shí)現(xiàn)MOS管快速關(guān)斷的電路方案
當(dāng)我們使用MOS管進(jìn)行一些PWM輸出控制時(shí),由于此時(shí)開關(guān)頻率比較高,此時(shí)就要求我們能更快速的開關(guān)MOS管,從理論上說,MOSFET 的關(guān)斷速度只取決于柵...
2022-04-11 標(biāo)簽:MOSFETMOS管驅(qū)動(dòng)電路 2.5萬 0
大部分傳導(dǎo) EMI 問題都是由共模噪聲引起的。而且,大部分共模噪聲問題都是由電源中的寄生電容導(dǎo)致的。 對(duì)于該討論主題的第 1 部分,我們著重討論當(dāng)寄生電...
MOSFET選型經(jīng)驗(yàn)分享:經(jīng)典案例教你10步法
似乎選取功率MOSFET的耐壓對(duì)于很多工程師來說是最容易的一件事情,因?yàn)樵O(shè)計(jì)的電子系統(tǒng)輸入電壓是相對(duì)固定的,公司選取特定的供應(yīng)商的一些料號(hào),產(chǎn)品額定電壓...
2018-02-10 標(biāo)簽:mosfet 2.4萬 1
PMOS開關(guān)管的工作原理和如何進(jìn)行選擇
在電路中常見到使用MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管作為開關(guān)管使用。下面舉例進(jìn)行說明。
2020-07-10 標(biāo)簽:mosfet場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)管 2.4萬 1
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