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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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在半導(dǎo)體邏輯的研發(fā)中,“小型化的極限”一直被人們談?wù)摗U缟洗翁岬降模舛诉壿婱OS FET的加工尺寸已不再與技術(shù)節(jié)點值相匹配,可以說晶體管的小型化已經(jīng)...
使用耗盡型MOSFET簡化PD3.1快充設(shè)計(下)
盡管說如今的充電器,集成度越來越高,外圍器件的數(shù)量越來越少。但是PD3.1的推出,支持28V及以上的輸出電壓,更寬的輸出電壓范圍,超出了高耐壓的原邊控制...
使用耗盡型MOSFET簡化PD3.1快充設(shè)計(上)
盡管說如今的充電器,集成度越來越高,外圍器件的數(shù)量越來越少。但是PD3.1的推出,支持28V及以上的輸出電壓,更寬的輸出電壓范圍,超出了高耐壓的原邊控制...
在一些電路的設(shè)計中,不光是開關(guān)電源電路中,經(jīng)常會使用MOS管,正確選擇MOS管是硬件工程師經(jīng)常遇到的問題,更是很重要的一個環(huán)節(jié),MOS管選擇不好有可能影...
2023-11-08 標(biāo)簽:開關(guān)電路MOSFETMOS管 737 0
碳化硅功率模塊封裝及熱管理關(guān)鍵技術(shù)解析
碳化硅功率器件具有耐高壓、開關(guān)速度快和導(dǎo)通損耗低等優(yōu)點,因此正在逐漸成為電力變換系 統(tǒng)的核心器件,尤其在新能源汽車、可再生能源、儲能、數(shù)據(jù)中心、軌道交通...
ARK(方舟微)DMZ6005E在PD快充方案中的應(yīng)用說明
待機零功耗是未來電源管理方案的發(fā)展趨勢,各大PD快充方案均有待機低功耗解決方案,但選擇DMZ6005E(ARK(方舟微)DMMOS ?系列產(chǎn)品之一,耗盡...
ARK(方舟微)的MOSFET產(chǎn)品簡介和常見問題解答
ARK(方舟微)研發(fā)銷售的MOS產(chǎn)品主要以N溝道-耗盡型MOSFET為主(包括具有自主知識產(chǎn)權(quán)的高閾值電壓(UltraVt?)耗盡型MOSFET系列產(chǎn)品...
耗盡型MOSFET實現(xiàn)雙向過流、過壓保護的應(yīng)用電路
該電路實現(xiàn)過流、過壓保護的主要原理與 圖2 電路基本一致。不過當(dāng)電路觸發(fā)過流、過壓保護功能時,僅是電流方向為D→S的MOSFET實現(xiàn)保護作用。對于另外一...
2023-11-07 標(biāo)簽:MOSFET應(yīng)用電路過壓保護 1976 0
耗盡型MOSFET構(gòu)成電流源給IC供電的應(yīng)用電路
當(dāng)電路工作時,電阻R兩端的電壓會隨著流過的電流的增加而升高,但是由于耗盡型MOSFET的亞閾值特性,其最大電壓值不會超過對應(yīng)電流下的閾值電壓,即V R_...
2023-11-07 標(biāo)簽:電源MOSFET應(yīng)用電路 1419 0
什么是JFET?什么是MOSFET?JFET和MOSFET的比較
JFET的全稱為結(jié)型場效應(yīng)晶體管,MOSFET的全稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。耗盡型MOSFET與JFET均屬于電壓控制型場效應(yīng)晶體管(FET),...
耗盡型MOSFET在開關(guān)電源啟動電路中的應(yīng)用
在大多數(shù)反激式開關(guān)電源中,都是通過變壓器附加繞組給PWM控制 IC供電,在電路的啟動階段,附加繞組還沒有電壓輸出,因此需要單獨的電路給PWM控制IC進行...
2023-11-07 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源PWM 2257 0
集成堵轉(zhuǎn)檢測雙H橋步進電機驅(qū)動器AWD8833C系列產(chǎn)品簡介
隨著科技的不斷進步和應(yīng)用的不斷的深入,各行業(yè)產(chǎn)品都在不斷的迭代和加速升級,電機驅(qū)動智能化已經(jīng)成為一個不可逆轉(zhuǎn)的發(fā)展趨勢。艾為電子致力于高性能數(shù)模芯片的開...
氮化鎵(GaN)功率器件在幾個關(guān)鍵性能指標(biāo)上比硅(Si)具有優(yōu)勢。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場,能實現(xiàn)更薄的漂移層,同時在較高的擊穿電...
功率MOSFET基本結(jié)構(gòu)之平面結(jié)構(gòu)
電流從漏極流向源極時,電流在硅片內(nèi)部橫向流動,而且主要從硅片的上表層流過,因此沒有充分應(yīng)用芯片的尺寸;而且,這種結(jié)構(gòu)的耐壓,由柵極下面P層寬度和摻雜決定
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