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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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深度解析車(chē)身控制系統(tǒng)的演變過(guò)程
智能配電盒一般會(huì)將E-fuse和繼電器組合的電氣盒與車(chē)身控制器(BCM)集成在一個(gè)總的控制單元上,這樣能夠大大減少傳統(tǒng)設(shè)計(jì)中BCM和配電盒之間大量的導(dǎo)線(xiàn)...
2023-06-03 標(biāo)簽:MOSFET控制器車(chē)身控制系統(tǒng) 4449 0
雙極結(jié)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(BJT和FET)及PN結(jié)二極管等知識(shí)詳解
晶體管”是指可以實(shí)施開(kāi)關(guān)和擴(kuò)展的半導(dǎo)體器材。它可以用作開(kāi)關(guān)或擴(kuò)展器的電子設(shè)備稱(chēng)為有源組件。電開(kāi)關(guān)和擴(kuò)展并不是從1948年晶體管的發(fā)明開(kāi)始的。但是,本發(fā)明...
節(jié)能性能優(yōu)異的升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器——BD83070GWL
BD83070GWL是一款內(nèi)置MOSFET的升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC,適用于電池驅(qū)動(dòng)的移動(dòng)設(shè)備、可穿戴式設(shè)備及IoT設(shè)備。這款DC/DC轉(zhuǎn)換器IC不...
2021-01-07 標(biāo)簽:MOSFETDC-DC轉(zhuǎn)換器可穿戴式設(shè)備 4446 0
什么是IGBT?IGBT的等效結(jié)構(gòu)/工作原理/類(lèi)型/特性
晶閘管是現(xiàn)代電子學(xué)中使用最多的元件,邏輯電路用于開(kāi)關(guān)和放大。BJT和MOSFET是最常用的晶體管類(lèi)型,它們每個(gè)都有自己的優(yōu)勢(shì)和一些限制。IGBT(絕緣柵...
開(kāi)關(guān)模式電源電流檢測(cè):電流檢測(cè)方法
開(kāi)關(guān)模式電源常用的三種電流檢測(cè)方法是:使用檢測(cè)電阻,使用 MOSFET RDS(ON)并使用電感器的直流電阻 (DCR)。每種方法都有優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn),在選擇...
仿真看世界之SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性
SiC MOSFET并聯(lián)的動(dòng)態(tài)均流與IGBT類(lèi)似,只是SiC MOSFET開(kāi)關(guān)速度更快,對(duì)一些并聯(lián)參數(shù)會(huì)更為敏感。
目前MOSFET仍是數(shù)字集成電路廣泛使用的器件,根據(jù)MOS管的靜態(tài)模型,以NMOS為例,分析其電流電壓特性。 器件部分涉及到很多半導(dǎo)體物理、器件物理相關(guān)...
本應(yīng)用筆記介紹了使用帶有內(nèi)部雙通道比較器的電流檢測(cè)放大器來(lái)監(jiān)視和防止電池電壓過(guò)低和電池電流過(guò)高。雖然是為鉛酸電池編寫(xiě)的,但電路和概念可以擴(kuò)展到NiCd,...
應(yīng)用筆記:正確理解驅(qū)動(dòng)電流與驅(qū)動(dòng)速度
本文主要闡述了在驅(qū)動(dòng)芯片中表征驅(qū)動(dòng)能力的關(guān)鍵參數(shù):驅(qū)動(dòng)電流和驅(qū)動(dòng)時(shí)間的關(guān)系,并且通過(guò)實(shí)驗(yàn)解釋了如何正確理解這些參數(shù)在實(shí)際應(yīng)用中的表現(xiàn)。
2022-01-27 標(biāo)簽:MOSFET 4385 0
5分鐘帶你全面了解功率開(kāi)關(guān)器件雙脈沖測(cè)試
雙脈沖測(cè)試(Double Pulse Test)是分析功率開(kāi)關(guān)器件動(dòng)態(tài)特性的常用測(cè)試,通過(guò)雙脈沖測(cè)試可以便捷的評(píng)估功率器件的性能,獲得穩(wěn)態(tài)和動(dòng)態(tài)過(guò)程中的...
2022-11-04 標(biāo)簽:MOSFET脈沖測(cè)試功率開(kāi)關(guān)器件 4382 0
場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET介紹及應(yīng)用電路
前幾天給大家講了一下晶體管BJT,今天講一下場(chǎng)效應(yīng)管-MOSFET。
2022-09-05 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 4378 0
MOS學(xué)習(xí)筆記—驅(qū)動(dòng)電阻參數(shù)計(jì)算
在簡(jiǎn)單的了解MOS管的基本原理以及相關(guān)參數(shù)后,如何在實(shí)際的電路中運(yùn)用是我們努力的方向。
關(guān)于mosfet前驅(qū)電路搭建的視頻教學(xué)
我們之前說(shuō)到MOSFET前級(jí)電路是一個(gè)高壓電路,220V整流之后變成的一個(gè)310V的電壓。對(duì)于這樣的電來(lái)說(shuō),原本OFF的狀態(tài)下,電壓應(yīng)該是310V,MO...
MOSFET的定義及種類(lèi) N溝道和P溝道MOSFET的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路講解
MOSFET是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect T...
場(chǎng)效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件,它可以用來(lái)放大或者控制電流 。根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同,場(chǎng)效應(yīng)管可以分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)。其中,...
2023-11-17 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管NMOS 4342 0
使用H橋電路來(lái)驅(qū)動(dòng)有刷直流電機(jī)的方案介紹
在該有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)器電路示例中,可以通過(guò)線(xiàn)性控制高邊Pch MOSFET來(lái)更改OUT引腳的H電壓,從而控制施加到電機(jī)的電壓。
2021-03-11 標(biāo)簽:反饋電路MOSFET運(yùn)算放大器 4342 0
從電壓電流對(duì)IGBT的關(guān)斷過(guò)程進(jìn)行分析
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT) 是雙極型晶體管(BJT) 和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET) 的復(fù)合器件,IGBT將BJT的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)引入到VDMOS 的...
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