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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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在雙MOS管Buck電路中,有兩個MOSFET管,并且它們直接與電源和負載相連。具體而言,其中一個MOSFET管與電源相連,另一個MOSFET管與負載相...
當VGS>VTH時,MOSFET表現為一個壓控電阻;但是,能讓MOSFET成為現在集成電路中的翹楚,肯定不是只是壓控電阻這么簡單呢。
IGBT的開關過程主要是由柵極電壓VGE控制的,由于柵極和發射極之間存在著寄生電容艮,因此IGBT的開通與關斷就相當于對CGE進行充電與放電。假設IGB...
如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓,而且達到擊穿電壓V(BR)DSS (根據擊穿電流其值不同),并超出一定的能量后就發生破壞的現象。
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