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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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MOSFET關(guān)斷條件是什么 mosfet管關(guān)斷過程的分析
MOSFET,也稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)...
SiC MOSFET柵極驅(qū)動電路的優(yōu)化方案
在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中,相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT,碳化硅(以下簡稱“SiC”)MOSFET有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實現(xiàn)高頻(數(shù)百千赫...
2023-08-03 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源驅(qū)動電路 1481 0
mos管驅(qū)動拓?fù)涞念悇e有哪些 常見驅(qū)動電路拓?fù)湓O(shè)計分析
MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在,這不是我們需要的,而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的。MOS管導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在,這樣電流就會在這個電阻上消耗能量,這...
開關(guān)電源的工作原理 開關(guān)電源電路圖詳解
開關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù),控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時間比率,維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源,開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制IC和MOSFET構(gòu)成。
MOS管的種類、結(jié)構(gòu)及導(dǎo)通特性詳解
一般情況下,普遍用于高端驅(qū)動的MOS,導(dǎo)通時需要是柵極電壓大于源極電壓,而高端驅(qū)動的MOS管導(dǎo)通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同,所以這時柵極電壓要比...
碳化硅功率器件主要應(yīng)用于新能源車的電驅(qū)電控系統(tǒng),相較于傳統(tǒng)硅基 功率半導(dǎo)體器件,碳化硅功率器件在耐壓等級、開關(guān)損耗和耐高溫性方面具備許多明顯的優(yōu)勢,有助...
同步整流技術(shù)符合高效節(jié)能的要求,適應(yīng)新一代芯片電壓的要求,有著非常廣闊的應(yīng)用前景。
200W逆變器電路圖講解 使用IC和MOSFET的200W逆變器電路設(shè)計
想象一下,您想去一片沒有普通交流電源的森林。但有時您想使用電視或筆記本電腦或進(jìn)行電子維護(hù)工作。一個合適的替代方案是使用這個 200W 逆變器電路。
碳化硅(SiC)芯片設(shè)計的一些關(guān)鍵考慮因素
芯片表面一般是如圖二所示,由源極焊盤(Source pad),柵極焊盤(Gate Pad)和開爾文源極焊盤(Kelvin Source Pad)構(gòu)成。
集成電路=IC:一種微型電子器件或部件。具體指采用半導(dǎo)體制備工藝,把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起,制作在一小塊或幾小塊半...
有兩個因素影響CMOS集成電路的速度,即柵延遲和互連延遲。柵延遲是指MOSFET開關(guān)的時間;互連延遲由芯片設(shè)計、工藝技術(shù),以及互連的導(dǎo)體和電介質(zhì)材料決定。
600W MOSFET功率放大器電路圖及PCB設(shè)計
這是600W MOSFET功率放大器的電路圖。該電路將為阻抗為 4 歐姆的揚聲器提供超過 600 瓦的音頻輸出。該高功率放大器電路僅在輸出級使用6個N溝...
使用MD7120 MOSFET驅(qū)動器的D類功率音頻放大器電路設(shè)計
這是使用IC MD7120作為MOSFET驅(qū)動器的D類功率音頻放大器的電路設(shè)計。 MD7120 用于驅(qū)動在 H 橋開關(guān)兩側(cè)運行的四個 N 溝道 MOSF...
用于高速開關(guān)應(yīng)用的1200V EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET
增強(qiáng)型1代1200V CoolSiC? MOSFET的EasyDUAL? 1B半橋模塊,采用PressFIT壓接式安裝技術(shù)和溫度檢測NTC,并有使用預(yù)涂...
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