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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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晶體管篇:關(guān)于負(fù)載開關(guān)ON時(shí)的浪涌電流
關(guān)于負(fù)載開關(guān)ON時(shí)的浪涌電流 負(fù)載開關(guān)Q1導(dǎo)通瞬間會暫時(shí)流過比穩(wěn)態(tài)電流大得多的電流。輸出側(cè)的負(fù)載容量CL的電荷接近零時(shí),向輸出VO施加電壓的瞬間會流過大...
調(diào)整MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器以用于GaN FETs
氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管已經(jīng)徹底改變了電力電子行業(yè),具有比傳統(tǒng)硅MOSFETs更小的尺寸、更快的開關(guān)速度、更高的效率和更低的成本等優(yōu)勢。然而,GaN...
IGBT工作時(shí)序及門極驅(qū)動(dòng)計(jì)算方法
本篇文章簡單介紹IGBT工作時(shí)序及門極驅(qū)動(dòng)計(jì)算方法,引入大電流驅(qū)動(dòng)IC以及門極保護(hù)TVS,同時(shí)羅列了不同品牌碳化硅MOSFET所耐受驅(qū)動(dòng)電壓,借此介紹非...
基于GaN器件的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)方案
氮化鎵(GaN)器件具有類似硅的電性能,可以由硅MOSFET設(shè)計(jì)中使用的許多現(xiàn)成的驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品驅(qū)動(dòng)。
VE-Trac IGBT和碳化硅(SiC)模塊如何延長電動(dòng)車?yán)m(xù)航能力
因續(xù)航能力有限而導(dǎo)致的“里程焦慮”是許多消費(fèi)者采用電動(dòng)車的一個(gè)障礙。增加電池密度和提高能量轉(zhuǎn)換過程的效率是延長車輛續(xù)航能力以緩解這種焦慮的關(guān)鍵。能效至關(guān)...
2022-08-31 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET逆變器 3305 0
電源驅(qū)動(dòng)ic的作用是什么 電源IC驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)圖
電源驅(qū)動(dòng)IC的作用是提供對電源開關(guān)器件的精確控制,同時(shí)保護(hù)電源和提供反饋控制功能,幫助實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定和可靠的電源系統(tǒng)。
降壓轉(zhuǎn)換器仿真的電源設(shè)計(jì)方案分析
降壓轉(zhuǎn)換器 降壓或降壓轉(zhuǎn)換器是一種廣泛使用的DC / DC開關(guān)穩(wěn)壓器。制造商通過其控制器提供降壓集成電路。降壓DC / DC轉(zhuǎn)換器是一種能夠?qū)⑤斎腚妷恨D(zhuǎn)...
2021-04-02 標(biāo)簽:MOSFET控制器開關(guān)穩(wěn)壓器 3301 0
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種常用的半導(dǎo)體器件,由源(Source)、漏(Drain)和柵(Gate)三個(gè)主要區(qū)域組成。依照其“通道...
低阻抗功率半導(dǎo)體開關(guān)的關(guān)鍵特性和應(yīng)用優(yōu)勢分析
功率半導(dǎo)體開關(guān)通常在用于電路設(shè)計(jì)時(shí),能夠在不增加開關(guān)損耗的情況下減小電流傳導(dǎo)期間的損耗,這是其一大優(yōu)勢。在各種電路保護(hù)應(yīng)用中,器件需要連續(xù)傳送電流,較低...
開關(guān)電源芯片U321 是一款高性能低成本PWM控制功率器,適用于離線式小功率降壓型應(yīng)用場合,外電路簡單、器件個(gè)數(shù)少。
隨著氮化鎵器件性能的提高,人們對這些器件的可靠性和可用性有了更大的信心后,氮化鎵器件被用于廣闊的全新應(yīng)用。
設(shè)計(jì)MOSFET功率放大器電路時(shí)必須考慮的各種參數(shù)
在這篇文章中,我們將討論設(shè)計(jì)MOSFET功率放大器電路時(shí)必須考慮的各種參數(shù)。我們還分析了雙極結(jié)型晶體管(BJT)和MOSFET特性之間的差異,并了解了為...
MOSFET(金屬—氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是 一種利用電場效應(yīng)來控制其電流大小的常見半導(dǎo)體器件,可 以 廣 泛 應(yīng) 用 在 模 擬 電 路 和 數(shù) ...
首先,類似 液晶背光或者我們用的臺燈等對于光亮強(qiáng)度比較敏感的LED應(yīng)用場景是不建議用恒壓驅(qū)動(dòng) ,因?yàn)殡妷旱牟▌?dòng)會直接影響到流過LED的電流;而LED也會...
英飛凌功率MOSFET產(chǎn)品的參數(shù)分析與研究
在上篇文章中,介紹了功率MOSFET的基本參數(shù)Rds(on)、VBR(DSS)、Qgs、和Vgs。為了更深入的理解功率MOSFET的其它一些參數(shù),本文仍...
在該電路中,MN1 連接在充電器/負(fù)載和電池端子之間連接的低側(cè)。
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