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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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Wolfspeed碳化硅MOSFET滿足高功率應(yīng)用的需要
碳化硅(SiC)技術(shù)帶來了無限的新機(jī)會。只要存在對高可靠性功率系統(tǒng)的需求,碳化硅 MOSFET 就能在許多行業(yè)中的許多不同應(yīng)用(包括必須在惡劣環(huán)境中工作...
提高功率密度已經(jīng)成為電源變換器的發(fā)展趨勢。對于當(dāng)今的開關(guān)電源(SMPS)而言,具有高可靠性也是非常重要的。LLC 諧振半橋變換器因其自身具有的多種優(yōu)勢逐...
2023-07-15 標(biāo)簽:二極管MOSFET開關(guān)電源 2486 0
柵極驅(qū)動芯片選型要求,如何為SiC MOSFET選擇合適的柵極驅(qū)動芯片
柵極驅(qū)動芯片可根據(jù)功能分為多種類型,如單路、雙路、多路等。因此,在選型時需要根據(jù)具體應(yīng)用情況進(jìn)行選擇。
為什么需要柵極驅(qū)動器,柵極驅(qū)動器的關(guān)鍵參數(shù)
IGBT/功率MOSFET的結(jié)構(gòu)使得柵極形成一個非線性電容。給柵極電容充電會使功率器件導(dǎo)通,并允許電流在其漏極和源極引腳之間流動,而放電則會使器件關(guān)斷,...
相較于傳統(tǒng)配電方式, 智能配電技術(shù)存在較大的優(yōu)勢 第一, 能源管理。 根據(jù)用戶場景進(jìn)行智能化精準(zhǔn)配電, 減少不必要的電力浪費(fèi), 讓電力得到最優(yōu)化的利用。...
思瑞浦CMTI±150kV/μs隔離柵極驅(qū)動TPM2351x系列產(chǎn)品簡介
聚焦高性能模擬芯片和嵌入式處理器的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司——思瑞浦3PEAK(股票代碼:688536)推出CMTI ±150kV/μs隔離柵極驅(qū)動——TPM23...
今年以來,國外某些國家仍然在拉動其盟友在對中國的半導(dǎo)體領(lǐng)域進(jìn)行打擊,意味著國產(chǎn)化半導(dǎo)體的進(jìn)程將進(jìn)一步加速。如今在國內(nèi),是否有純國產(chǎn)的IGBT單管生產(chǎn)廠家...
飛虹半導(dǎo)體IGBT單管在逆變器中的應(yīng)用
逆變器在不僅在家庭、工業(yè)、交通的領(lǐng)域進(jìn)行應(yīng)用,而且還在太陽能、風(fēng)能、電池等新能源領(lǐng)域應(yīng)用越來越廣泛。逆變器的廣泛應(yīng)用意味著IGBT作為其核心元器件,也會...
了解變壓器繞組間電容對共模 (CM) 發(fā)射噪聲的影響尤其重要。共模噪聲主要是由變壓器繞組間寄生電容以及電源開關(guān)與底盤/接地端之間的寄生電容內(nèi)的位移電流所...
2023-07-14 標(biāo)簽:電源變壓器轉(zhuǎn)換器 821 0
IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn);當(dāng)前市場上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品,一般所說的IGBT也指IGBT模塊;
反激式充電器和適配器的同步整流芯片U7710SG是一種開關(guān)電源的同步整流電路,它集成了N通道MOSFET和驅(qū)動電路
N溝道MOSFET YC30D2519K在筋膜槍中的應(yīng)用
筋膜槍的流行反映出了人們對于健康品質(zhì)生活的追求;目前市面上的筋膜槍大致構(gòu)造普遍都大同小異,一般是通過電容觸控電路、PWM信號控制、集成功率MOS等架構(gòu)組...
2023-07-13 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管PWM 573 0
隨著光伏逆變器功率等級的不斷提高,光伏行業(yè)對功率器件的規(guī)格和散熱要求也越來越高。相比于傳統(tǒng)硅器件,碳化硅功率器件能帶來更高的轉(zhuǎn)換效率和更低的能量損耗,從...
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