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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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惡劣環(huán)境下的開關(guān)和多路復(fù)用器設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
本文介紹了工程師在將模擬開關(guān)和多路復(fù)用器設(shè)計(jì)成惡劣環(huán)境中使用的模塊時(shí)面臨的挑戰(zhàn),并提供了電路設(shè)計(jì)人員可用于保護(hù)脆弱部件的通用解決方案的建議。它還引入了一...
場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基礎(chǔ)知識(shí)
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,簡(jiǎn)稱FET)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。它的主要特點(diǎn)是具有輸入電阻高、噪聲低、...
看懂MOSFET數(shù)據(jù)表:安全工作區(qū) (SOA) 圖
如圖1所示,可以用5個(gè)完全不同的限制條件來(lái)繪制整個(gè)SOA,每個(gè)限制條件規(guī)定了整個(gè)曲線的形狀,TI的100V D2PAK CSD19536KTT的SOA與...
詳細(xì)的MOSFET制造工藝流程及版圖設(shè)計(jì)
帶保護(hù)環(huán)的SiC屏蔽DMOSFET的模擬 A.Kanale和B.J.Baliga,“加強(qiáng)短路電流抑制方法的比較”1.2kV SiC功率MOSF...
在H橋電路中,高邊和低邊的概念描述了開關(guān)器件相對(duì)于負(fù)載或地的連接方式。這兩個(gè)術(shù)語(yǔ)通常用于描述開關(guān)器件(如晶體管、MOSFET等)在電路中的位置以及它們?nèi)?..
RC-IGBT電壓折回現(xiàn)象產(chǎn)生機(jī)理及改進(jìn)結(jié)構(gòu)介紹
IGBT同時(shí)集MOSFET易驅(qū)動(dòng)和BJT大電流兩個(gè)顯著特點(diǎn)于一身,因此在新能源、高鐵、智能電網(wǎng)、電動(dòng)汽車這些綠色產(chǎn)業(yè)中成為不可或缺的核心功率器件。
同步降壓DC/ DC穩(wěn)壓器ADP2325的主要特性及應(yīng)用
ADP2325是一款全功能,雙輸出,降壓DC-DC調(diào)節(jié)器,基于電流模式架構(gòu)。ADP2325集成了兩個(gè)高端功率MOSFET和兩個(gè)低端驅(qū)動(dòng)器,用于外部N溝道...
2021-03-12 標(biāo)簽:mosfet驅(qū)動(dòng)器穩(wěn)壓器 3014 0
請(qǐng)問怎么去測(cè)隔離芯片的關(guān)鍵指標(biāo)CMTI呢?
CMTI:Common mode transient immunity(共模瞬變抗擾度)是指對(duì)施加在隔離電路間的高速瞬變共模電壓的上升/下降容許速率dV...
2024-03-07 標(biāo)簽:MOSFET逆變器電機(jī)驅(qū)動(dòng) 3004 0
高速同步MOSFET驅(qū)動(dòng)器LTC4449的性能特點(diǎn)及適用范圍
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出的高速同步 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC4449,該器件為在同步整流轉(zhuǎn)...
2020-11-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器mosfet驅(qū)動(dòng)器 2995 0
如何用單PMOS設(shè)計(jì)分立式負(fù)載開關(guān)?
在深入研究關(guān)鍵參數(shù)之前,我們先來(lái)看看不同類型的負(fù)載開關(guān)。高壓側(cè)負(fù)載開關(guān)將負(fù)載與電源連接或斷開,由外部啟用信號(hào)控制開關(guān)將高壓側(cè)電源電流切換到負(fù)載。
2023-06-07 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路負(fù)載電源 2991 0
開關(guān)電源設(shè)計(jì)之MOS管驅(qū)動(dòng)電路
MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低,開關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管,其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。
2023-05-04 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源電源設(shè)計(jì) 2987 0
每個(gè) MOSFET 數(shù)據(jù)手冊(cè)都包含一個(gè) SOA 圖,該圖描述了 MOSFET 暴露于特定電壓和電流的最長(zhǎng)時(shí)間。圖1顯示了恩智浦半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)中PSMN1...
LED作為新型照明光源,具有高效節(jié)能、工作壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn),目前已廣泛使用于LED顯示、車用電子、生活照明等各種照明場(chǎng)景。LED恒流驅(qū)動(dòng)特征需要特定的AC-...
2022-07-20 標(biāo)簽:ledMOSFET驅(qū)動(dòng)電源 2985 0
電源管理芯片怎么測(cè)好壞電源芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)
電源管理芯片(PMIC)是在單片芯片內(nèi)包括多種電源軌和電源管理功能的集成電路,主要功用為在存在多個(gè)電源的情況下,選取、分配電力給主系統(tǒng)各部分使用。
變壓器因繞組層數(shù)較多,會(huì)產(chǎn)生分布電容,在高頻狀態(tài)下工作時(shí),這些分布電容對(duì)變壓器工作狀態(tài)產(chǎn)生很大的影響,如EMC變差、變壓器發(fā)熱等。所以盡必需要了解這些分布電容。
2023-09-17 標(biāo)簽:MOSFETEMC設(shè)計(jì)分布電容 2976 0
根據(jù)MOSFET傳輸特性,新的MOSFET (IRF和INFINEON)的熱穩(wěn)定性不如NXP MOSFET,因?yàn)镹XP的熱穩(wěn)定性(曲線相交)在37,5A...
2018-09-25 標(biāo)簽:MOSFET 2974 0
杰華特JWH5125—高達(dá)65v輸入5a輸出降壓芯片方案
本公司代理南麟,瑞盟,杰華特,智浦欣,鈺泰等公司產(chǎn)品,有需要請(qǐng)聯(lián)系。潘17633824194JWH5125是一種電流模式單片降壓開關(guān)調(diào)節(jié)器。使用輸入范圍...
2022-04-20 標(biāo)簽:MOSFETldo降壓轉(zhuǎn)換器 2967 0
MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低,開關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管,其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。
2023-07-03 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源MOS管 2965 0
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