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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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刻蝕是移除晶圓表面材料,達(dá)到IC設(shè)計(jì)要求的一種工藝過(guò)程。刻蝕有兩種:一種為圖形 化刻蝕,這種刻蝕能將指定區(qū)域的材料去除,如將光刻膠或光刻版上的圖形轉(zhuǎn)移到...
2023-02-01 標(biāo)簽:MOSFETIC設(shè)計(jì)CMOS芯片 2882 0
在器件設(shè)計(jì)選擇過(guò)程中需要對(duì) MOSFET 的工作過(guò)程損耗進(jìn)行先期計(jì)算(所謂先期計(jì)算是指在沒(méi)能夠測(cè)試各工作波形的情況下,利用器件規(guī)格書(shū)提供的參數(shù)及工作電路...
2021-02-12 標(biāo)簽:二極管MOSFET開(kāi)關(guān)電源 2879 0
說(shuō)明:功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效,該電阻與溫度有關(guān),溫度升高,該電阻變大;它還與門極驅(qū)動(dòng)電壓的大小有關(guān),驅(qū)動(dòng)電壓升高,該電阻變小。詳細(xì)...
具有自動(dòng)防擊穿保護(hù)的MOSFET器件在各種H橋配置中的應(yīng)用
MOSFET作為功率開(kāi)關(guān)元件廣泛應(yīng)用于調(diào)節(jié)器和馬達(dá)控制器。在各種H橋配置中,它們不僅可是分立器件也可集成到IC。
MOSFET 安全工作區(qū)對(duì)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在
即使是在插入和拔出電路板和卡進(jìn)行維修或者調(diào)整容量時(shí),任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信設(shè)備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過(guò)軟啟動(dòng)電源,支持從正在工作的...
MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案
必須在基極和發(fā)射極之間施加電流,以在集電極中產(chǎn)生電流。圖1.2示出了MOSFET,當(dāng)在柵極和源極端子之間施加電壓時(shí)在漏極中產(chǎn)生電流。
本文將為您介紹第二個(gè)主題“三相調(diào)制逆變電路的基本工作”。在上一主題中已經(jīng)提到過(guò),從本文開(kāi)始我們將以電機(jī)驅(qū)動(dòng)中常用的“正弦波驅(qū)動(dòng)(三相調(diào)制)方式”為例進(jìn)行講解。
2024-01-17 標(biāo)簽:MOSFET正弦波電機(jī)驅(qū)動(dòng) 2855 0
JFET(結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管)與MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)在電子工程領(lǐng)域中都扮演著重要角色,盡管它們都屬于場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)家族,但...
MOSFET打開(kāi)的過(guò)程中,是對(duì)電感進(jìn)行充電,所以電流的變化斜率是斜向上的。二極管續(xù)流的過(guò)程,是電感放電的過(guò)程,所以電流的變化斜率是斜向下的。
2022-04-29 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源同步控制器 2845 0
采用智能型集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器增加數(shù)字電源控制器的性能可靠性
在電源系統(tǒng)中,MOSFET驅(qū)動(dòng)器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號(hào)轉(zhuǎn)換為高速的大電流信號(hào),以便以最快的速度打開(kāi)和關(guān)閉MOSFET。由于驅(qū)動(dòng)器IC與MO...
2021-03-07 標(biāo)簽:電源mosfet驅(qū)動(dòng)器 2824 0
MOSFET有三個(gè)極,柵極、源級(jí)和漏極,由MOSFET構(gòu)成的放大電路通常有三種,共源級(jí)放大電路,共柵極放大電路和共漏極放大電路。其中,共源級(jí)放大電路用的...
高度集成的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器單片式解決方案解析
開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器可以采用單片結(jié)構(gòu),也可以通過(guò)控制器構(gòu)建。在單片式開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器中,各功率開(kāi)關(guān)(一般是MOSFET)會(huì)集成在單個(gè)硅芯片中。使用控制器構(gòu)建時(shí),除了控制...
2021-03-05 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 2817 0
JW5117杰華特完全兼容芯洲D(zhuǎn)CDC SCT2430 SCT2431 SCT2432 SCT2450 SCT2451方案
JW5117完全兼容芯洲D(zhuǎn)CDCSCT2430SCT2431SCT2432SCT2450SCT2451方案JW5117完美替代SCT2430TVBSCT...
如何針對(duì)特定設(shè)計(jì)選擇正確的MOSFET
隨著制造技術(shù)的發(fā)展和進(jìn)步,系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員必須跟上技術(shù)的發(fā)展步伐,才能為其設(shè)計(jì)挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統(tǒng)中的基本部件,工程師需要深入了解它...
MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用說(shuō)明
最近看到一個(gè)東芝的MOSFET的文檔,看了下,還不錯(cuò),就把內(nèi)容復(fù)制出來(lái)了,分享給大家看下。
基于內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)優(yōu)化MOSFET的驅(qū)動(dòng)性能
功率MOSFET具有開(kāi)關(guān)速度快,導(dǎo)通電阻小等優(yōu)點(diǎn),因此在開(kāi)關(guān)電源,馬達(dá)控制等電子系統(tǒng)中的應(yīng)用越來(lái)越廣。通常在實(shí)際的設(shè)計(jì)過(guò)程中,電子工程師對(duì)其的驅(qū)動(dòng)電路以...
2021-03-07 標(biāo)簽:mosfet開(kāi)關(guān)電源驅(qū)動(dòng)電路 2801 0
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