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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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仁懋MOSFET在植保無(wú)人機(jī)的應(yīng)用
在現(xiàn)代農(nóng)業(yè)中,植保無(wú)人機(jī)正變得越來(lái)越重要。它們不僅提高了作業(yè)效率,還降低了人力成本,同時(shí)減少了農(nóng)藥的使用量。今天,我們要聊的是仁懋MOSFET在植保無(wú)人...
2024-10-25 標(biāo)簽:MOSFET無(wú)人機(jī)仁懋電子 335 0
同步整流芯片U7710SG是低待機(jī)應(yīng)用的理想選擇
同步整流芯片U7710SG是低待機(jī)應(yīng)用的理想選擇SHENZHENYLBU7710SG可持續(xù)發(fā)展和既定政策的碳排放計(jì)劃場(chǎng)景當(dāng)中,超過(guò)三分之一的碳排放目標(biāo),...
BiGaN開關(guān)在廣泛電源管理中的應(yīng)用
保護(hù)USB端口、為來(lái)自不同源的設(shè)備切換電路、以及高側(cè)負(fù)載開關(guān)免受浪涌影響,都依賴于雙向電壓阻斷和電流導(dǎo)通。到目前為止,設(shè)計(jì)人員只能使用兩個(gè)N型MOSFE...
ST NPI 新上架開發(fā)板 【EVL250WMG1L】
ESDAxxWY系列:汽車應(yīng)用中的ESD保護(hù)。在確保汽車應(yīng)用安全性的同時(shí)縮減PCB尺寸。ESDAxxWY采用緊湊的SOT323-3L封裝,使PCB尺寸減...
仁懋MOSFET在工業(yè)電焊機(jī)上的應(yīng)用
在現(xiàn)代工業(yè)制造領(lǐng)域,電焊機(jī)作為不可或缺的工具之一,其性能直接影響到焊接的質(zhì)量和效率。仁懋電子有限公司,作為一家專注于半導(dǎo)體功率器件智能智造的高新技術(shù)企業(yè)...
SiC MOSFET模塊封裝技術(shù)及驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)
碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅SiC MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體器件,具有導(dǎo)通電阻低,開關(guān)損耗小的特...
汽車和清潔能源領(lǐng)域的制造商需要更高效的功率器件,能夠適應(yīng)更高的電壓,擁有更快的開關(guān)速度,并且比傳統(tǒng)硅基功率器件提供更低的損耗,而溝槽結(jié)構(gòu)的 SiC 功率...
過(guò)去三十年,碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步,但在降低缺陷方面依然面臨著重大挑戰(zhàn)。其主要問(wèn)題是——碳化硅與柵氧化層之間的界面處存在著大量的缺陷。在N...
超結(jié)結(jié)構(gòu)工藝實(shí)現(xiàn)方式
在過(guò)去的二十年,MOSFET主要用作開關(guān)器件,得到了長(zhǎng)足的發(fā)展,由于它是多子器件,有相對(duì)較小的開關(guān)損耗,但其通態(tài)功耗較高,要降低通態(tài)功耗,導(dǎo)通電阻受擊穿...
在過(guò)去的二十年間,MOSFET作為開關(guān)器件發(fā)展迅速。然而,由于MOSFET的通態(tài)功耗較高,導(dǎo)通電阻受擊穿電壓限制而存在一個(gè)極限,被稱為“硅極限”。為了突...
超結(jié)MOSFET的結(jié)構(gòu)和優(yōu)勢(shì)
在我們進(jìn)入超結(jié)MOSFET的細(xì)節(jié)之前,我們先了解一些背景知識(shí)。
2024-10-15 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源MOS管 501 0
可編程直流電源是一種通過(guò)軟件接口控制輸出電壓和電流的電子設(shè)備。它采用先進(jìn)的數(shù)字控制技術(shù)和軟開關(guān)器件技術(shù),能夠接收來(lái)自外部的、以數(shù)字形式提供的指令,并按照...
Buck-Boost轉(zhuǎn)換器是一種電力轉(zhuǎn)換裝置,能夠改變直流電壓的數(shù)值,實(shí)現(xiàn)升降壓的功能。其工作原理基于周期性的開關(guān)操作,通過(guò)控制開關(guān)元件的通斷狀態(tài)來(lái)實(shí)現(xiàn)...
2024-10-12 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETBuck-Boost 962 0
功耗是指MOSFET在指定的熱條件下可以連續(xù)耗散的最大功率。對(duì)于MOSFET驅(qū)動(dòng)器而言,其功耗主要由三部分組成:驅(qū)動(dòng)損耗、開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。這些損耗的...
2024-10-10 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)電路 378 0
開關(guān)電源的尖峰干擾是一個(gè)復(fù)雜而重要的問(wèn)題,它主要源于開關(guān)電源內(nèi)部高頻開關(guān)器件的快速通斷過(guò)程。這種干擾不僅影響開關(guān)電源本身的性能,還可能對(duì)周圍的其他電子設(shè)...
2024-10-10 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源尖峰干擾 822 0
在電子工程中,柵極電阻的取值對(duì)于MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的性能和穩(wěn)定性至關(guān)重要。雖然100歐姆是一個(gè)常見的取值,但這個(gè)選擇并非隨意,...
BUCK電路,又稱為降壓電路,是一種常見的直流至直流(DC-DC)電源轉(zhuǎn)換技術(shù)。它的主要特點(diǎn)是輸入電壓高于輸出電壓,且輸出電流為連續(xù)的,而輸入電流則為脈...
MOSFET在消費(fèi)類電子產(chǎn)品的應(yīng)用
PC電源是一個(gè)無(wú)工頻變壓器的四路開關(guān)穩(wěn)壓電源,其中涉及整流、高頻變化和脈寬調(diào)制技術(shù);其具有體積小、效率高和過(guò)流過(guò)壓保護(hù)的特點(diǎn)。
TOLL封裝MOS管的特點(diǎn)和使用注意事項(xiàng)
TOLL封裝是一種具有小體積、低封裝電阻和低寄生電感的封裝形式,常用于MOSFET。
逆變器中MOS管和IGBT的選型對(duì)EMC有什么影響
逆變器中使用的MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)或IGBT(Insula...
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