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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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為什么需要柵極驅(qū)動(dòng)器,柵極驅(qū)動(dòng)器的關(guān)鍵參數(shù)
IGBT/功率MOSFET的結(jié)構(gòu)使得柵極形成一個(gè)非線性電容。給柵極電容充電會(huì)使功率器件導(dǎo)通,并允許電流在其漏極和源極引腳之間流動(dòng),而放電則會(huì)使器件關(guān)斷,...
2023-07-14 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器 2798 0
智浦欣CS5517T低功耗600mA輸出,DC-DC升降壓電壓調(diào)整器,1.8-5V輸入,1.2-5V輸出方案
CS5517T低功耗600mA輸出,DC-DC升降壓電壓調(diào)整器,1.8-5V輸入,1.2-5V輸出CS5517T是一款超微小型,超低功耗高效率,升降壓一...
在過去的幾十年里,音頻內(nèi)容已經(jīng)取得了長足的進(jìn)步,從經(jīng)典的電子管放大器到現(xiàn)代媒體播放器,技術(shù)進(jìn)步改變了數(shù)字媒體的消費(fèi)方式。在所有這些創(chuàng)新中,便攜式媒體播放...
開關(guān)直流電源如何同步整流?開關(guān)電源同步整流控制的優(yōu)勢分析
開關(guān)直流電源使用范圍更加廣泛,降低低壓大電流的功耗已經(jīng)成為電力工程師的難題。 開關(guān)電源損耗主要由斷路器管損耗、高頻變壓器損耗、插座集電器損耗等組成。同步...
2022-10-13 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源整流器 2795 0
基于MOSFET構(gòu)建的500W RMS功率放大器電路設(shè)計(jì)
這是基于MOSFET構(gòu)建的500WRMS功率放大器電路設(shè)計(jì)。該電路作為“LEGENDstageMasterMK2”在EE音頻愛好者中非常流行。這是一個(gè)非...
并聯(lián)理想二極管:使用MAX40200作為可擴(kuò)展的構(gòu)建模塊
MOSFET 的導(dǎo)通電阻具有 強(qiáng)大的正溫度系數(shù),確保更熱的MOSFET 具有比較冷的MOSFET更大的電阻,迫使較冷的MOSFET采取 更近一點(diǎn)。因此,...
2021-04-15 標(biāo)簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換器 2793 0
隨著能源的日益緊張,國家高度重視嚴(yán)格能效約束,推動(dòng)了各行各業(yè)的節(jié)能降碳。另外,隨著電源的能效標(biāo)準(zhǔn)(DoE Level VI和CoC Tier2)的頒布,...
碳化硅和氮化鎵開關(guān)器件是所有電源電路中主要使用的元件。盡管它們?cè)谶\(yùn)行速度、高電壓、處理電流和低功耗等固有特性方面取得了優(yōu)異的成績,但設(shè)計(jì)人員將所有注意力...
2022-07-29 標(biāo)簽:電源MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器 2786 0
Buck變換器,也稱為降壓轉(zhuǎn)換器或步進(jìn)電壓降壓器,是一種重要的電力電子設(shè)備,用于將直流電壓轉(zhuǎn)換為較低的直流電壓。其工作原理基于電感儲(chǔ)能和電磁感應(yīng)的基本原...
基于仿真數(shù)據(jù)的gm/Id模擬集成電路設(shè)計(jì)方案
由于這些參數(shù)曲線與MOS管的柵寬和源漏電壓關(guān)系很小,所以以一定的柵寬和源漏電壓作為仿真條件,對(duì)MOS管柵極電壓進(jìn)行直流參數(shù)掃描。
電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)之MOSFET管開關(guān)電路
對(duì)于MOS管,我們?cè)陔娐吩O(shè)計(jì)中都會(huì)遇到,那么應(yīng)該如何設(shè)計(jì)一個(gè)MOS管的開關(guān)電路呢?
2022-12-08 標(biāo)簽:開關(guān)電路MOSFET電路設(shè)計(jì) 2773 0
技術(shù)路線圖始終是雙向的,一半來自技術(shù)方面的進(jìn)步,另一半來自市場的需求。
什么是碳化硅功率模塊?為什么碳化硅功率模塊是某些應(yīng)用的首選?
如今,功率半導(dǎo)體使用最廣泛的材料是硅。硅的生產(chǎn)成本低廉,而且該技術(shù)廣為人知。
2023-11-25 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 2769 0
通過雙脈沖測試評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性ー總結(jié)ー
在“通過雙脈沖測試評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性”中,重點(diǎn)關(guān)注了由于逆變器電路、Totem Pole型功率因數(shù)校正(PFC)電路等是兩個(gè)MOSFET串聯(lián)...
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種三端子的半導(dǎo)體開關(guān)器件,它結(jié)合了MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的高輸入阻抗和BJT(雙極型晶體管)...
我們發(fā)現(xiàn)我們的朋友Neubean,Gureux的學(xué)生,正在思考這個(gè)柵極電阻器。Neubean認(rèn)為,只要有足夠的電容從柵極到源極,或者有足夠的柵極電阻,他...
RT6204應(yīng)用原理圖及設(shè)計(jì)指南
RT6204應(yīng)用原理圖如圖1所示。RT6204是一款電流模式轉(zhuǎn)換器,具有外部補(bǔ)償和外部軟啟動(dòng)功能。該轉(zhuǎn)換器具有集成的高邊 MOSFET 開關(guān)和同步整流器...
2022-04-20 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET電流模式 2760 0
淺談高壓SiC MOSFET發(fā)展歷程與研究現(xiàn)狀
高壓SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和技術(shù)存在著幾個(gè)重要瓶頸:1)器件漂移區(qū)的導(dǎo)通電阻隨電壓等級(jí)相應(yīng)增加,其他結(jié)構(gòu)(溝道、JFET區(qū)等)的存在進(jìn)一步提高了總導(dǎo)通電阻。
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