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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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三相1200V/450A SiC MOSFET電動汽車智能功率模塊
該智能功率模塊是為高熱環境的穩定性應用而設計的,額定的 最高結溫為 175℃。柵極驅動器本身具備在最高環境工作溫度為 125℃的情況下、長時間工作的增強...
能量轉換系統必定存在能耗,雖然實際應用中無法獲得100%的轉換效率,但是,一個高質量的電源效率可以達到非常高的水平,效率接近95%。絕大多數電源IC 的...
設計驅動電路該使用MOS管還是三極管?(文末領BJT和MOSFET對比資料)
晶體管 BJT 和MOSFET 都適用于放大和開關應用。然而,它們具有顯著不同的特征。 ? 雙極結型晶體管 (BJT) 雙極結型晶體管,通常稱為 BJT...
功率放大器主要解決低功率信號放大的問題,它可以將來自低功率信號源的電信號放大為高功率信號,以便驅動需要更高功率的負載。功率放大器的種類繁多,包括晶體...
反激式開關電源是一種將輸入電源轉換為所需輸出電壓的開關電源拓撲結構。它通過周期性地開關功率開關器件,控制電能的傳輸和變換。
別被低頻噪聲嚇到,使用 4200A-SCS 參數分析儀測量1/f 電流噪聲
在測量設置中,噪聲來自不同的來源,其中之一是測量儀器本身。為提取被測器件 (DUT) 的噪聲特點,儀器噪聲必須小于 DUT 噪聲。
CMOS技術是無數現代電子產品、儀器和計算工具的大腦。60多年來,CMOS技術在性能、能效和單位功能成本方面持續增長,這得益于遵循摩爾定律的硅基MOSF...
邊緣周圍的接觸墊有助于檢查并實現輕松布線,甚至允許使用兩層基板,包括基板。特殊的接地平面布局意味著模塊在回流期間可以有效地“浮動”到位
功率MOSFET及其雪崩擊穿額定值背后的理論和設計過程中的局限性
一些功率半導體器件設計為在有限時間內承受一定量的雪崩電流,因此可以達到雪崩額定值。其他人會在雪崩開始后很快失敗。性能差異源于特定的設備物理、設計和制造。
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