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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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傳統上,過流保護使用的是保險絲。但是,保險絲體積龐大,響應速度慢,跳閘電流公差大,需要在一次或幾次跳閘后更換。本文介紹一種外形緊湊、纖薄、響應速度快的1...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種電力電子設備中常用的高效能開關器件,它結合了MOSFET的高輸入阻抗和雙極晶體管的低導通壓降特點。
MOSFET在雪崩效應發生時能夠承受的電流和電壓能力。雪崩耐量越高,器件的可靠性越好。參數:雪崩耐量 - SURG (Surge Tolerance)
圖一為N溝通增強型VDMOSFET斷面示意圖及等效電路圖,在電路圖中一般使用圖二所示的兩種圖形符號。圖形符號中的箭頭方向與反并聯寄生二極管的方向是一致的...
MOSFET規格書中單脈沖雪崩能量EAS如何理解?電路設計咋用它計算MOS會損壞嗎?
單脈沖雪崩能量簡稱是EAS,這一參數是描述MOSFET在雪崩模式下能承受的能量極限的參數,我們一般在電路設計中拿這個參數來評估MOSFET 的瞬態過壓耐...
高速低端MOSFET驅動器FAN3XXX系列產品的特點與典型應用電路分析
FAN3XXX系列是飛兆公司(FAIRCHILD)2007年10月推出的新產品,是一種高速低端MOSFET驅動器系列。該系列各種驅動器與PWM控制器及功...
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