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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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如何有效地比較CMOS開關(guān)和固態(tài)繼電器的性能
源極和漏極之間的關(guān)斷電容CDS(OFF)可用來衡量關(guān)斷開關(guān)后,源極信號耦合到漏極的能力。它是固態(tài)繼電器(如PhotoMOS?、OptoMOS?、光繼電器...
高效DC/DC轉(zhuǎn)換器從15.3V背板提供兩個3A輸出
3.3V 直流母線在寬帶網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)中廣受歡迎,用于各種較低電壓,為 DSP、ASIC 和 FPGA 供電。這些較低的電壓范圍為1V至2.5V,通常需要高負(fù)...
2023-06-14 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETasic 606 0
單片驅(qū)動器+ MOSFET (DrMOS)技術(shù)如何改善電源系統(tǒng)設(shè)計
本文介紹最新的驅(qū)動器+ MOSFET (DrMOS)技術(shù)及其在穩(wěn)壓器模塊(VRM)應(yīng)用中的優(yōu)勢。單片DrMOS器件使電源系統(tǒng)能夠大幅提高功率密度、效率和...
2023-06-13 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 875 0
IGBT是由MOSFET和GTR技術(shù)結(jié)合而成的復(fù)合型開關(guān)器件,是通過在功率MOSFET的漏極上追加p+層而構(gòu)成的,性能上也是結(jié)合了MOSFET和雙極型功...
近日,中國科大微電子學(xué)院兩篇論文入選第35屆功率半導(dǎo)體器件和集成電路國際會議(IEEE ISPSD)。IEEE ISPSD是功率半導(dǎo)體器件和集成電路領(lǐng)域...
除了直接對USB設(shè)備供電,USB電源最有用的功能之一就是對電池充電。許多便攜設(shè)備,如MP3播放機(jī)、PDA等,都需要與PC機(jī)進(jìn)行數(shù)據(jù)交換,如果在與PC機(jī)進(jìn)...
鋰基(Li+)電池在便攜式設(shè)備中變得越來越普遍。它們具有理想的特性,但往往供不應(yīng)求。交貨時間可能很長,除非您在電池制造商處具有首選客戶身份。因此,Li+...
2023-06-12 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET電池 729 0
引言:功率MOSFET需要串聯(lián)連接在鋰離子電池組和輸出負(fù)載之間,同時專用鋰電池保護(hù)IC用于控制MOSFET的導(dǎo)通和關(guān)斷,以管理電池的充電和放電。 在諸如...
基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET B2M065120H概述
光伏與儲能是能源電力系統(tǒng)實現(xiàn)能量轉(zhuǎn)換、存儲利用的有效途徑,在推動碳達(dá)峰碳中和方面發(fā)揮顯著作用,碳化硅憑借導(dǎo)通電阻低開關(guān)損耗小的優(yōu)勢,可有效助力光伏與儲能...
2023-06-12 標(biāo)簽:MOSFET電力系統(tǒng)光伏 586 0
使用SiC FET替代機(jī)械斷路器的固態(tài)解決方案
機(jī)械斷路器損耗小,但速度很慢,且容易磨損。本博文概述如何通過采用 SiC FET 的固態(tài)解決方案解決這些問題,并且損耗也會持續(xù)降低。
基于場路耦合的仿真思路,建立MOSFET的電磁場有限元模型和高頻變壓器的等效高頻電路模型。結(jié)合從SIwave電磁仿真軟件中提取的PCB網(wǎng)絡(luò)參數(shù),對反激變...
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