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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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HFAN-03.1.1: 數(shù)字可編程低噪聲雪崩光電探測(cè)器(APD)偏置電路
描述了一種電路來偏置光纖接收器中使用的雪崩光電二極管。具有倍壓器輸出的簡(jiǎn)單升壓轉(zhuǎn)換器采用 25V 電源提供 71V 至 5V 的數(shù)字編程輸出電壓。陶瓷濾...
P溝道MOSFET(pFET)雖然比pnp晶體管貴,但不存在與pnp電路中基極驅(qū)動(dòng)相關(guān)的耗散損耗。pFET 在輕負(fù)載時(shí)也具有較低的飽和電壓(圖 1)。事...
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)是利用電場(chǎng)效應(yīng)來控制晶體管電流的半導(dǎo)體器件,因此叫場(chǎng)效應(yīng)管。它是一種用輸入電壓控制型的半導(dǎo)體器件。按基本結(jié)構(gòu)分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和金屬...
2023-06-10 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 995 0
在器件設(shè)計(jì)選擇過程中需要對(duì) MOSFET 的工作過程損耗進(jìn)行先期計(jì)算(所謂先期計(jì)算是指在沒能夠測(cè)試各工作波形的情況下,利用器件規(guī)格書提供的參數(shù)及工作電路...
2023-06-10 標(biāo)簽:電源MOSFET開關(guān)電源 1690 0
三菱電機(jī)成功開發(fā)基于新型結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET
三菱電機(jī)集團(tuán)近日(2023年6月1日)宣布,其開發(fā)出一種集成SBD的SiC-MOSFET新型結(jié)構(gòu),并已將其應(yīng)用于3.3kV全SiC功率模塊——FMF80...
LED驅(qū)動(dòng)電源IC U6113自恢復(fù)模式抗干擾
LED照明不僅被現(xiàn)代工業(yè)大量運(yùn)用,而且在現(xiàn)代農(nóng)業(yè)上,已經(jīng)開始使用紅色和藍(lán)色LED燈的組合為植物生長(zhǎng)提供最佳的光子
功率場(chǎng)效應(yīng)管也分結(jié)型、絕緣柵型。但通常指后者中的MOS管,即MOSFET。
2023-06-09 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管可控硅 3732 0
一般情況下普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的MOS,導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓,而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同,所以這時(shí)柵極電壓要比V...
電源系統(tǒng)開關(guān)控制器的MOSFET選擇
DC/DC 開關(guān)控制器的 MOSFET 選擇是一個(gè)復(fù)雜的過程。僅僅考慮 MOSFET 的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的 MOSFET。要想讓 MOS...
為什么叫圖騰柱?圖騰柱驅(qū)動(dòng)的作用與原理?
由于此結(jié)構(gòu)畫出的電路圖有點(diǎn)兒像印第安人的圖騰柱,所以叫圖騰柱式輸出(也叫圖騰式輸出)。輸出極采用一個(gè)上電阻接一個(gè)NPN型晶體管的集電極,這個(gè)管子的發(fā)射極...
2023-06-08 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源邏輯電路 1.2萬 0
用于車載充電器應(yīng)用的1200V SiC MOSFET模塊使用指南
隨著電動(dòng)汽車的車載充電器 (OBC) 迅速向更高功率和更高開關(guān)頻率發(fā)展,對(duì) SiC MOSFET 的需求也在增長(zhǎng)。許多高壓分立 SiC MOSFET 已...
CMS4070M 40V N-Channel SGT MOSFET:高速開關(guān)和改進(jìn)的dv/it能力
摘要:CMS4070M是一款40V N-Channel SGT MOSFET,采用SGT IV MOSFET技術(shù)。它具有快速開關(guān)和改進(jìn)的dv/it能力,...
2023-06-08 標(biāo)簽:MOSFETMOS高速開關(guān) 1261 0
CMSH10H12G 100V N-Channel SGT MOSFET:功能強(qiáng)大的應(yīng)用解決方案
摘要:CMSH10H12G是一款高性能的100V N-Channel SGT MOSFET。該器件采用SGTLV MOSFET技術(shù),具有出色的Qg*Ro...
滿足當(dāng)今電源需求的全系列柵極驅(qū)動(dòng)電源產(chǎn)品
電源是電子設(shè)備的基礎(chǔ),其中的柵極驅(qū)動(dòng)器是穩(wěn)定提供設(shè)備電源的關(guān)鍵。柵極驅(qū)動(dòng)器是一種功率放大器,它接受來自控制器芯片的低功率輸入,并為高功率晶體管(例如IG...
ZETA升降壓DC-DC的工作路徑和關(guān)鍵公式推導(dǎo)
引言:與一個(gè)反向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器相類似,一個(gè)ZETA轉(zhuǎn)換器具有一個(gè)單個(gè)MOSFET (S1) 和一個(gè)單個(gè)二極管D1 (S2),ZETA轉(zhuǎn)換器中的MO...
2023-06-08 標(biāo)簽:二極管轉(zhuǎn)換器MOSFET 3647 0
5S2P AR111燈LED驅(qū)動(dòng)器的參考設(shè)計(jì)
本參考設(shè)計(jì)以MAX16819為主控制器,為5S2P AR111 LED燈提供buck-boost驅(qū)動(dòng)方案。 圖1為電路原理圖,圖2給出了設(shè)計(jì)布局圖。
SJ MOSFET的應(yīng)用及與SiC和GaN的比較
超結(jié)(SJ)硅MOSFET自1990年代后期首次商業(yè)化用于功率器件應(yīng)用領(lǐng)域以來,在400–900V功率轉(zhuǎn)換電壓范圍內(nèi)取得了巨大成功。參考寬帶隙(WBG)...
絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的相關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)
場(chǎng)效應(yīng)管可以分成兩大類,一類是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET),另一類是絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)。
2023-06-08 標(biāo)簽:三極管MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 779 0
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