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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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通用MCU或DSP的IO電壓通常是5V3.3V,IO的電流輸出能力在20MA以下,不足以直接驅(qū)動功率MOSFET。所以使用通用MCU或DSP來設(shè)計(jì)電機(jī)驅(qū)...
半導(dǎo)體芯片究竟是如何發(fā)展起來的?又是如何工作的?
1883年,著名發(fā)明家托馬斯·愛迪生(Thomas Edison)在一次實(shí)驗(yàn)中,觀察到一種奇怪現(xiàn)象。
mosfet漏極外接二極管的作用 mosfet源極和漏極的區(qū)別
漏極外接二極管(Drain-Source Diode,簡稱D-S二極管)在MOSFET電路中起到了重要的作用,本文將介紹MOSFET源極和漏極之間的區(qū)別...
2024-01-31 標(biāo)簽:二極管MOSFET場效應(yīng)晶體管 2230 0
穩(wěn)壓器不升壓怎么回事 升壓器和穩(wěn)壓器有什么區(qū)別
穩(wěn)壓器并不適用于直接對電機(jī)進(jìn)行電壓調(diào)節(jié)。電機(jī)通常需要特定的驅(qū)動電路或控制系統(tǒng)來進(jìn)行電壓、頻率和相位等方面的調(diào)節(jié),以滿足其運(yùn)行要求。
2023-11-28 標(biāo)簽:MOSFET穩(wěn)壓器開關(guān)穩(wěn)壓器 2226 0
如何在使用SiC MOSFET時最大限度地降低EMI和開關(guān)損耗
碳化硅 (SiC) MOSFET 的快速開關(guān)速度、高額定電壓和低導(dǎo)通 RDS(on) 使其對電源設(shè)計(jì)人員極具吸引力,這些設(shè)計(jì)人員不斷尋找提高效率和功率密...
三、熱阻Thermalresistance熱阻描述了物質(zhì)的熱傳導(dǎo)特性,該參數(shù)直接影響器件的散熱效率和穩(wěn)定性。熱阻越小,意味著器件的散熱能力越強(qiáng)。針對這份...
2024-05-10 標(biāo)簽:MOSFETMOS數(shù)據(jù)手冊 2220 0
當(dāng)我們在GB之間加一個正電壓以后,便會在P區(qū)和O區(qū)之間形成N型半導(dǎo)體,從而使得SD導(dǎo)通;當(dāng)GB沒有電壓PO之間的N區(qū)就會消失,使得SD斷開。
如何實(shí)現(xiàn)SiC MOSFET的短路檢測及保護(hù)?
SiC功率MOSFET由于其出色的物理特性,在充電樁及太陽能逆變器等高頻應(yīng)用中日益得到重視。因?yàn)镾iC MOSFET開關(guān)頻率高達(dá)幾百K赫茲,門極驅(qū)動的設(shè)...
N溝道增強(qiáng)型MOSFET的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
N溝道增強(qiáng)型MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體...
PWM整流器(Pulse Width Modulation Rectifier)作為一種先進(jìn)的電力電子裝置,其核心工作原理基于脈沖寬度調(diào)制(PWM)技術(shù)...
功率場效應(yīng)管(Power MOSFET)也叫電力場效應(yīng)晶體管,是一種單極型的電壓控制器件,不但有自關(guān)斷能力,而且有驅(qū)動功率小,開關(guān)速度高、無二次擊穿、安...
2022-11-18 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管 2205 0
SMPD先進(jìn)絕緣封裝充分發(fā)揮SiC MOSFET優(yōu)勢
SMPD代表表面安裝功率器件(Surface Mount Power Device),是先進(jìn)的頂部散熱絕緣封裝,由IXYS(現(xiàn)在是Littelfuse公...
講一講增強(qiáng)型MOSFET器件結(jié)構(gòu)和原理
我們可以發(fā)現(xiàn),當(dāng)Ugs=0時,MOS-FET就是兩個共陽極的二極管,B極是公共陽極,S、D極是兩個陰極。
關(guān)于手機(jī)快充技術(shù)與鋰電池保護(hù)元件
鋰電池由于化學(xué)特性非常活躍,所以增加充放電保護(hù)電路。隨著智能手機(jī)快速普及,手機(jī)電池容量越來越大,出現(xiàn)了快速充電的需求,在快速充電前30分鐘的大電流沖擊...
碳化硅功率器件已成為一種很有前途的技術(shù),人們對降低能耗和在高開關(guān)頻率應(yīng)用下運(yùn)行的興趣日益濃厚。碳化硅還可以維持較高的工作溫度,使其成為工業(yè)環(huán)境的合適候選...
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