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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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這種布置的要點是,它可以被解構(gòu)為相當于一個全橋交流整流器,然后是一個功率因數(shù)校正升壓電路,但實際上與功率流一致的元件更少,損耗更低。圖騰柱電路中只需要兩...
2023-02-17 標簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 2083 0
MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié),但很多工程師對開關(guān)損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上,PFC MOSFET的開關(guān)損耗...
功率半導體自20世紀50年代開始發(fā)展起來,至今形成以二極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等為代表的多世代產(chǎn)品體系。新技術(shù)、新產(chǎn)品的誕生拓寬了原有產(chǎn)品和...
自智能手機問世起,移動電源也一直亦步亦趨地跟隨發(fā)展,從最初的單一功能到多芯片、更加智能化的MCU芯片還有到現(xiàn)在一體化的單芯片方案。本方案采用目前最先進的...
SiC MOSFET相對于Si MOSFET和IGBT的優(yōu)勢
ROHM 具有電流隔離功能的新型晶體管柵極驅(qū)動器 ( BM6112 ) 非常適合應(yīng)對驅(qū)動 SiC MOSFET 的獨特挑戰(zhàn)。它可以驅(qū)動高達 20A 的大...
改變大功率燈或電機亮度的最佳技術(shù)之一是脈沖寬度調(diào)制 (PWM)。在汽車電子系統(tǒng)中,一段時間以來,控制單元使用 PWM 命令控制和管理各種執(zhí)行器。例如,柴...
在該設(shè)計中,雙功率MOSFET驅(qū)動器MAX628與電容和全波整流器配合使用,產(chǎn)生隔離電源電壓。在數(shù)字振蕩器IC中添加二極管電容網(wǎng)絡(luò),以產(chǎn)生額外的隔離電源電壓。
ROHM開發(fā)出第4代SiC MOSFET實現(xiàn)了業(yè)界先進的低導通電阻
ROHM于2015年世界上第一家成功地實現(xiàn)了溝槽結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的量產(chǎn),并一直致力于提高SiC功率元器件的性能。
基于分段模型的CRM boost電路軟開關(guān)時間優(yōu)化設(shè)計
臨界導通模式(critical conduction mode,CRM)下的DC-DC變換器能夠降低系統(tǒng)階數(shù),并且可以實現(xiàn)更高的效率而廣泛應(yīng)用于中小功率場景中。
第三代雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET介紹
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中,ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽...
Key按下瞬間,Q2、Q1導通,7805輸入電壓在8.9V左右,7805工作,輸出5V電壓給單片機供電。
2022-08-24 標簽:單片機MOSFET開關(guān)機電路 2041 0
基于555定時器的負電壓發(fā)生器電路圖 負電壓發(fā)生器的工作原理和應(yīng)用
負電壓發(fā)生器,顧名思義,是一種能夠產(chǎn)生負電壓的電子設(shè)備。在電子電路中,電壓的極性對于電路的功能和性能具有重要影響。雖然大多數(shù)電子設(shè)備主要使用正電壓,但在...
如何通過提升開關(guān)電源的EMI特性來改善整個電路的EMI性能
開關(guān)電源的功率MOSFET安裝在印制電路板上,由于印制電路板上MOSFET走線和環(huán)路存在雜散電容和寄生電感,開關(guān)頻率越高,這些雜散電容和寄生電感更加不能夠忽略。
2019-11-15 標簽:MOSFET開關(guān)電源emi 2030 0
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