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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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利用單個(gè)轉(zhuǎn)換器IC輕松將12V升壓至140V
LTC3788 的配置可使得第一個(gè)升壓級利用其同步整流功能,從而最大限度地提高了效率、降低了功率損耗并簡化了熱要求。使用同步整流時(shí),該控制器的最大輸出電...
2023-01-08 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET控制器 2023 0
基于區(qū)域網(wǎng)的供電系統(tǒng)或有源乙太網(wǎng)系統(tǒng)方案
NCP1095/NCP1096還支援自動分類(Autoclass),這可使系統(tǒng)的效能提高,并且借由自動配對供電,可簡化線路設(shè)計(jì)流程與設(shè)定,優(yōu)化PD端的功率輸出。
2021-01-25 標(biāo)簽:MOSFET供電系統(tǒng)智慧家庭 2023 0
半導(dǎo)體功率器件技術(shù)的整體演進(jìn)情況
從發(fā)展歷程來看,20世紀(jì)50年代,功率二極管、功率三極管面世并應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng);20世紀(jì)60至70年代,晶閘管等半導(dǎo)體功率器件快速發(fā)展
SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道,盡管其工藝復(fù)雜,單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。
隨著能夠取代白熾燈泡的大功率LED的出現(xiàn),產(chǎn)生了對將LED與可用電源(電池、汽車電氣系統(tǒng)等)有效匹配的電路的需求。電路還應(yīng)該能夠調(diào)節(jié)和控制LED光輸出,...
為了確保安全可靠的運(yùn)行壽命,電源配備了各種保護(hù)機(jī)制。其中一些限制了短路故障條件下提供的電流,確保電源的組件不會過熱或擊穿,從而允許設(shè)備在故障消除后恢復(fù)正...
MOSFET是開關(guān)和汽車應(yīng)用中非常常見的元件,支持低壓或高壓擺幅,并具有寬范圍的電流驅(qū)動。高功率應(yīng)用的數(shù)量正在增加,從而產(chǎn)生了對功率MOSFET的額外需...
MOS,是MOSFET的縮寫。MOSFET 金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor F...
2024-02-26 標(biāo)簽:MOSFETMOS管場效應(yīng)晶體管 1993 0
IXYS功率MOSFET數(shù)據(jù)表中使用的參數(shù)定義
本應(yīng)用筆記介紹了IXYS功率MOSFET數(shù)據(jù)表中使用的參數(shù)定義。本文檔介紹了基本額定值和特性,例如溫度,能量,機(jī)械數(shù)據(jù)以及電流和電壓額定值。它還簡要介紹...
強(qiáng)魯棒性低側(cè)柵極驅(qū)動電路設(shè)計(jì)指南
????? 在開關(guān)電源的組成中,柵極驅(qū)動器作為連接控制級與功率級的橋梁,對系統(tǒng)的正常運(yùn)行至關(guān)重要。在新能源汽車市場,尤其是關(guān)乎人身安全的車載充電器應(yīng)用中...
2023-03-16 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動器開關(guān)電源 1990 0
在有些電子系統(tǒng)中,需要斷開電源線路的連接。例如,可能是切斷電池電壓,以保持電池電量,或者是斷開負(fù)載與帶電線路的連接。理想情況下,可以使用機(jī)械開關(guān)來實(shí)現(xiàn)這...
MOSFET是一種常見的電壓型控制器件,具有開關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動功率小、動態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域(SOA)寬等一系列的優(yōu)點(diǎn),因...
2022-08-23 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源電源IC 1983 0
功率場效應(yīng)管的基本特性,如何提高功率MOSFET的動態(tài)性能
MOSFET的漏伏安特性(輸出特性):截止區(qū)(對應(yīng)GTR的截止區(qū));飽和區(qū)(對應(yīng)于GTR的放大區(qū));非飽和區(qū)(對應(yīng)于GTR的飽和區(qū))。功率MOSFET在...
2023-07-04 標(biāo)簽:MOSFET功率場效應(yīng)管 1981 0
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