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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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場效應(yīng)管是在三極管的基礎(chǔ)上而開發(fā)出來的。三極管通過電流的大小控制輸出,輸入要消耗功率。場效應(yīng)管是通過輸入電壓控制輸出,不消耗功率。就其性能而言,場效應(yīng)管...
2023-04-17 標(biāo)簽:三極管MOSFET場效應(yīng)管 2947 0
我國擁有世界最大的汽車消費市場,為堅持可持續(xù)發(fā)展基本國策,需大力發(fā)展環(huán)保?節(jié)能?經(jīng)濟的電動汽車[1]?車主因擔(dān)心駕駛電動汽車突然沒電引起的焦慮問題主要有...
空調(diào)壓縮機是熱泵空調(diào)系統(tǒng)的核心,選擇合適的功率器件可以提高其控制器的工作效率,從而提髙整個系統(tǒng)的效率?這里使用了雙脈沖測試電路,對1200V的碳化硅MO...
看懂MOSFET數(shù)據(jù)表:連續(xù)電流額定值
然后是我們考慮的“芯片限值”,通常通過將外殼溫度保持在25?C來指定。基本上,這個條件假定了一個理想的散熱片,只使用結(jié)至外殼熱阻來計算器件能夠處理的最大...
看懂MOSFET數(shù)據(jù)表:安全工作區(qū) (SOA) 圖
如圖1所示,可以用5個完全不同的限制條件來繪制整個SOA,每個限制條件規(guī)定了整個曲線的形狀,TI的100V D2PAK CSD19536KTT的SOA與...
看懂MOSFET數(shù)據(jù)表:UIS/雪崩額定值
UIS測試由圖1中所示的測試電路執(zhí)行。在FET關(guān)閉時,其上施加了一個電源電壓,然后檢查器件上是否有泄露。在FET接通時,電感器電流穩(wěn)定增加。當(dāng)達(dá)到所需的...
開關(guān)模式、降壓型DC/DC μModule穩(wěn)壓器創(chuàng)建完整的負(fù)載點解決方案
LTM4611 是一款開關(guān)模式、降壓型 DC/DC μModule 穩(wěn)壓器,采用緊湊的 15mm × 15mm × 4.32mm LGA 表面 裝載包。...
兩種過壓保護方法的基準(zhǔn)比較:MOSFET與可控硅整流器
由于電子子系統(tǒng)在整個產(chǎn)品的可靠和安全運行中起著重要作用,因此建議在DC/DC降壓穩(wěn)壓器周圍增加一個過壓保護電路,以防止損壞最新的數(shù)字邏輯處理器,因為它們...
在工業(yè)和汽車應(yīng)用中,大多數(shù)前端接口要求反向極性保護,而這一保護功能通常由二極管或MOSFET提供。由于它不需要電荷泵,p通道MOSFET一直用于高電流應(yīng)...
與 Si 器件相比, SiC 器件具有更加優(yōu)異的電氣性能, 新特性給其結(jié)溫評估帶來了新挑 戰(zhàn), 許多適用于 Si 器件的結(jié)溫評估方法可能不再適用于 Si...
如何使用單個反饋源實現(xiàn)偏置電流網(wǎng)絡(luò)
利用運放反饋與基準(zhǔn)電壓生成任意大小的直流電流是一個簡單、直接的過程。但是,假設(shè)須要生成一些任意數(shù)量(以N為例)的電流沉/源(current sink/s...
當(dāng)我們對于用實際組件來實現(xiàn)轉(zhuǎn)換器有更加深入的了解時,這個波形變得復(fù)雜了很多。不斷困擾開關(guān)轉(zhuǎn)換器的一個特別明顯的非理想狀態(tài)就是同步降壓或升壓轉(zhuǎn)換器內(nèi)所使用...
2023-04-15 標(biāo)簽:二極管轉(zhuǎn)換器MOSFET 4097 0
借助設(shè)計計算器工具設(shè)計出精簡穩(wěn)健的熱插拔
LM25066設(shè)計計算器等設(shè)計工具有助于解決這些問題并為您進行必要的計算,能夠節(jié)省大量時間并避免人為錯誤產(chǎn)生的風(fēng)險。無論是創(chuàng)建新設(shè)計,還是對現(xiàn)有設(shè)計進行...
三極管和MOSFET都能實現(xiàn)以小控大的目的,比如以小電流控制大電流,或者以低電壓控制高電壓
汽車和工業(yè)系統(tǒng)中的高壓瞬變很常見,持續(xù)時間從幾微秒到數(shù)百毫秒不等,從而向下傳遞大量能量。瞬態(tài)原因包括汽車負(fù)載突降,以及負(fù)載階躍和寄生電感引起的尖峰。為了...
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