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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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由于它們不同的器件結(jié)構(gòu),高壓BJT的制造成本要低于高壓MOSFET。正因如此,額定電壓在1kV或者以上的BJT的價(jià)格要低于通用輸入離線反激式轉(zhuǎn)換器中常見(jiàn)...
采用轉(zhuǎn)換器或控制器進(jìn)行大電流電壓調(diào)節(jié)
諸如網(wǎng)絡(luò)路由器、開(kāi)關(guān)、企業(yè)服務(wù)器和嵌入式工業(yè)系統(tǒng)等應(yīng)用的耗電量越來(lái)越高,需要20A、30A、40A或更多電量,以用于它們的POL設(shè)計(jì)。然而,這些應(yīng)用對(duì)空...
2023-04-14 標(biāo)簽:電流轉(zhuǎn)換器MOSFET 1188 0
直流/直流轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表:系統(tǒng)損耗揭秘
讓我們先來(lái)看看在集成高側(cè)MOSFET中的開(kāi)關(guān)損耗。在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期開(kāi)始時(shí),驅(qū)動(dòng)器開(kāi)始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分,您了解到MOSFET在其...
2023-04-14 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器穩(wěn)壓器 1441 0
半導(dǎo)體的常規(guī)散熱方法 車(chē)用功率MOSFET熱管理設(shè)計(jì)
頂部散熱元件除了布局優(yōu)勢(shì)外,還具有明顯的散熱優(yōu)勢(shì),因?yàn)檫@種封裝允許熱量直接耗散到組件的引線框架。鋁具有高熱導(dǎo)率(通常在100~210W/mk之間),因此...
2023-04-14 標(biāo)簽:MOSFET功率設(shè)計(jì) 1730 0
氮化鎵 (GaN) 晶體管的開(kāi)關(guān)性能要優(yōu)于硅MOSFET,因?yàn)樵谕葘?dǎo)通電阻的情況下,氮化鎵 (GaN) 晶體管的終端電容較低,并避免了體二極管所導(dǎo)致的...
DC/DC變換器數(shù)據(jù)表:計(jì)算系統(tǒng)損耗
傳導(dǎo)損耗是由設(shè)備寄生電阻阻礙直流電流在DC/DC變換器中的傳導(dǎo)產(chǎn)生的。傳導(dǎo)損耗與占空比有直接關(guān)系。當(dāng)電流較高一側(cè)的MOSFET打開(kāi)后,負(fù)載電流就會(huì)從其中...
負(fù)載主要有三大類(lèi),分別是阻性、感性和容性負(fù)載,針對(duì)不同的負(fù)載,在設(shè)計(jì)相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電路時(shí)需要考慮的因素也不同
2023-04-13 標(biāo)簽:MOSFET保護(hù)電路功率開(kāi)關(guān) 893 0
如何避免MOSFET常見(jiàn)問(wèn)題和失效模式
今天給兄弟們分享一個(gè)infineon的文檔《使用功率MOSFET進(jìn)行設(shè)計(jì),如何避免常見(jiàn)問(wèn)題和故障模式》,依然是我覺(jué)得比較好的。
LED驅(qū)動(dòng)芯片U6113主要性能與應(yīng)用
LED驅(qū)動(dòng)芯片有效降低恒流拐點(diǎn)電壓,LED應(yīng)用面越來(lái)越廣泛,LED驅(qū)動(dòng)芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)模也逐步擴(kuò)大。
在下一個(gè)AC周期中,極性反轉(zhuǎn),電流如藍(lán)色箭頭所示經(jīng)過(guò)體二極管D4,電池D2并流回FINISH或變壓器繞組的負(fù)極。這會(huì)不斷重復(fù),將兩個(gè)AC周期都轉(zhuǎn)換為DC...
示波器數(shù)學(xué)函數(shù)有助于熱插拔電路分析
數(shù)字示波器是大多數(shù)工程實(shí)驗(yàn)室的常態(tài),但您可能還沒(méi)有充分探索它們的功能。數(shù)字示波器更有趣的功能之一是“數(shù)學(xué)”通道,它可以以新穎的方式應(yīng)用于簡(jiǎn)化和擴(kuò)展熱插拔...
無(wú)需阻塞二極管即可保護(hù)敏感電路免受過(guò)壓和反向電源連接的影響
如果有人將 24V 連接到您的 12V 電路會(huì)發(fā)生什么?如果電源線和地線無(wú)意中顛倒了,電路還能存活嗎?您的應(yīng)用是否位于輸入電源可能非常高甚至低于地電位的...
高性能單片式同步降壓型穩(wěn)壓器實(shí)現(xiàn)縮小各種應(yīng)用中的電池供電應(yīng)用
當(dāng)相對(duì)較高的電壓軌(12V)必須降壓到相對(duì)較低的電平時(shí) (3.3V,1.8V),傳統(tǒng)的首選轉(zhuǎn)換器是DC/DC開(kāi)關(guān)控制器,用于驅(qū)動(dòng) 外部 MOSFET。在...
2023-04-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET控制器 643 0
選擇合適的無(wú)源和分立元件,實(shí)現(xiàn)最佳系統(tǒng)性能
有源和無(wú)源元件的選擇將對(duì)整體電源性能產(chǎn)生巨大影響。效率、產(chǎn)生的熱量、物理尺寸、輸出功率和成本都將以某種方式取決于所選的外部組件。本文介紹設(shè)計(jì)人員需要了解...
通過(guò)自舉擴(kuò)展運(yùn)算放大器工作范圍
當(dāng)現(xiàn)成的運(yùn)算放大器(op amp)不能提供特定應(yīng)用所需的信號(hào)擺幅范圍時(shí),工程師面臨兩種選擇:使用高壓運(yùn)算放大器或設(shè)計(jì)分立解決方案,不過(guò)這兩種選擇的成本可...
2023-04-13 標(biāo)簽:MOSFET運(yùn)算放大器跟隨器 532 0
雙輸出高效率轉(zhuǎn)換器可將功率損耗和電源噪聲降至最低
LTC?3890 雙輸出 DC/DC 控制器為需要從高電壓輸入提供低電壓輸出的應(yīng)用帶來(lái)了高性能功能的獨(dú)特組合。它可以從0V至8V的輸入電壓產(chǎn)生兩個(gè)24....
2023-04-13 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器控制器 673 0
以工藝見(jiàn)長(zhǎng)的東芝N溝道功率MOSFET為電源效率賦能
MOSFET是以金屬層(M)柵極隔著氧化層(O)利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體(S)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管,其特點(diǎn)是用柵極電壓來(lái)控制漏極電流。根據(jù)其溝道的極性不同,M...
2023-04-13 標(biāo)簽:MOSFET東芝開(kāi)關(guān)電源 1194 0
在橋式結(jié)構(gòu)中的注意事項(xiàng)—探頭的CMRR
在對(duì)橋式結(jié)構(gòu)中的高邊(HS)MOSFET進(jìn)行測(cè)試時(shí),通常使用高壓差分探頭或差分探頭(*4)來(lái)觀測(cè)波形,但所用探頭的共模抑制比(CMRR)在高頻區(qū)域可能會(huì)...
LTC3865雙輸出降壓型穩(wěn)壓器實(shí)現(xiàn)重負(fù)載條件下最高效率的應(yīng)用
LTC3865 是一款高性能降壓型控制器,具有兩個(gè)恒定頻率、電流模式、同步降壓型控制器和片內(nèi)驅(qū)動(dòng)器。它在寬輸入范圍內(nèi)提供高輸出電流能力。LTC3865 ...
2023-04-12 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器控制器 940 0
雙輸出μ模塊DC/DC穩(wěn)壓器可從4.4V至5.26V輸入產(chǎn)生高效率5A輸出
使用 FPGA 和 ASIC 的系統(tǒng)和 PC 板通常非常密集地包含組件和 IC。這種密集的空間(尤其是 FPGA 的支持電路,如 DC/DC 穩(wěn)壓器)給...
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