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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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使用MOSFET IRFP240和IRFP9240的功率放大器電路
該功率放大器使用電路中所示的MOSFET IRFP240和IRFP9240。該放大器工作在 +45 / -45 VDC,可在 8 歐姆揚聲器上提供 10...
IGBT由柵極(G)、發射(E)和集電極(C)三個極控制。 如圖1,IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP晶體管提供基極電流,使IGB...
減小了電場集中效應,提高了SiC器件的擊穿電壓,SiC MOSFET的擊穿電壓和具體的每一個開關單元有關,同時和耐壓環也有很大的關系。
近期ChatGPT持續更新換代,其背后也帶動算力需求提升,從而帶動AI服務器需求量上漲,而AI服務器核心依托高性能芯片,因此芯片板塊近期連續6個工作日收漲。
雷卯電子leiditech高功率TVS 二極管可防止反激浪涌損壞MOSFET 或繼電器觸點開關,而MOSFET 或繼電器觸點開關可能在短路斷開時發生。
金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 是一種場效應晶體管 (FET) 電子器件。它可以充當壓控電流源,并主要用作開關或用于放大電信號。MOSF...
測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項:一般測量方法
SiC MOSFET具有出色的開關特性,但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET:...
第三代半導體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。
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