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簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

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全部技術資訊資料帖子視頻產品方案企業(yè) MOSFET選型

mosfet技術

電力場效應管的保護措施

電力場效應管（特別是MOSFET）在電力電子系統(tǒng)中扮演著重要角色，但由于其工作環(huán)境的復雜性和多樣性，必須采取一系列的保護措施來確保其安全、穩(wěn)定地運行。以...

2024-09-13 標簽：MOSFET 半導體場效應管 578 0

三相全橋SiC MOSFET模塊，為車載空調壓縮機提供創(chuàng)新解決方案

1200V三相全橋碳化硅模塊。這款模塊采用緊湊型頂部散熱塑封結構，以其高效能、高功率密度和優(yōu)秀的散熱性能，展現(xiàn)了碳化硅材料在高壓、高頻、低損耗方面的優(yōu)勢...

2024-09-18 標簽：MOSFET 壓縮機 SiC 406 0

電力場效應管的安全工作區(qū)

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2024-09-13 標簽：MOSFET 半導體場效應管 504 0

電力場效應管的動態(tài)特性和主要參數(shù)

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電力場效應管和MOSFET的區(qū)別

電力場效應管（Power Field-Effect Transistor，簡稱Power FET）和MOSFET（Metal-Oxide-Semicon...

2024-09-13 標簽：MOSFET 場效應管晶體管 821 0

柵極驅動ic和源極的區(qū)別柵極驅動ic選型看哪些參數(shù)

一、柵極驅動IC與源極的區(qū)別柵極驅動IC和源極在電子器件中扮演著不同的角色，它們的主要區(qū)別體現(xiàn)在功能和位置上。功能差異：柵極驅動IC ：柵極驅動...

2024-10-07 標簽：MOSFET 參數(shù)電子器件 803 0

Flyback反激變換器在CCM模式的工作狀態(tài)

BuckBoost負壓變換器最基本的電路結構如圖1所示，如果把BuckBoost負壓變換器功率MOSFET管和二極管移動到下面，電路工作狀態(tài)和放在上面完全一樣。

2024-09-12 標簽：MOSFET 變換器 Flyback 885 0

電源管理IC U6217產品概述

2024年預計家電市場的全年零售規(guī)模將同比增長0.7%，顯示出回暖的跡象。在家電領域，電源管理ic展現(xiàn)出了穩(wěn)健復蘇的趨勢。因此，電源管理ic廠商應該抓住...

2024-09-12 標簽：芯片 MOSFET 電源管理IC 296 0

LDO穩(wěn)壓器和串聯(lián)穩(wěn)壓器的區(qū)別

LDO穩(wěn)壓器（Low-Dropout Regulator）和串聯(lián)穩(wěn)壓器在電子領域中都是常見的穩(wěn)壓器件，它們各自具有獨特的特點和應用場景。

2024-09-11 標簽：MOSFET LDO穩(wěn)壓器串聯(lián)穩(wěn)壓器 598 0

晶揚電子2N7002KX N溝道MOSFET產品介紹

晶揚電子作為國內業(yè)內著名的“電路與系統(tǒng)保護專家” ，生產的2N7002KX型N溝道MOSFET管，因其優(yōu)良的性能和廣泛的應用領域而備受關注。本文將深入介...

2024-09-10 標簽：MOSFET 直流電機 N溝道 481 0

SiC MOSFET和SiC SBD的區(qū)別

SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管）和SiC SBD（碳化硅肖特基勢壘二極管）是兩種基于碳化硅（SiC）材料的功率半導體器件，它們...

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mosfet的三種工作狀態(tài)及工作條件是什么

MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金屬氧化物半導體場效應晶體管）是電子工...

2024-10-06 標簽：MOSFET 電壓場效應晶體管 2474 0

評估超結功率 MOSFET 的性能和效率

作者：Pete Bartolik 投稿人：DigiKey 北美編輯 2024-06-12 長期以來，超結功率 MOSFET 在高電壓開關應用中一直占據主...

2024-10-02 標簽：二極管 MOSFET 同步整流器 538 0

唯樣代理適用于48V電池斷開開關的80V雙門極MOSFET及其應用仿真

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2024-09-08 標簽：MOSFET 仿真波形 837 0

離網場景下SiC MOSFETs應用于三相四橋臂變流器的優(yōu)勢

*本論文摘要由PCIM官方授權發(fā)布/摘要/工商業(yè)側儲能正以其經濟性，電網友好性等特點蓬勃發(fā)展，其中離網應用場景下，不平衡負載帶載能力，諧波畸變度等都是其...

2024-08-30 標簽：MOSFET SiC 變流器 562 0

利用智能電源器件開關突破簡單解決方案的局限性

作者： Bill Schweber “簡單易行”是眾所周知的設計準則和良好的工程實踐。畢竟，添加的組件越多，出錯或出現(xiàn)意外的可能性就越大。此外，還會對材...

2024-10-02 標簽：MOSFET 電源開關電源器件 426 0

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2024-10-02 標簽：電源 MOSFET 濾波器 408 0

MOSFET器件參數(shù)：TJ、TA、TC到底講啥？

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提高工業(yè)能源效率是制造業(yè)關鍵趨勢，聚焦于優(yōu)化電力電子設備。MOSFET作為主流電子元件，雖控制高效但壽命短、對過載敏感。新材料如氮化鎵與碳化硅的出現(xiàn)，通...

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