完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
文章:4721個(gè) 瀏覽:213876次 帖子:1124個(gè)
功率半導(dǎo)體市場規(guī)模分析和應(yīng)用領(lǐng)域
功率器件包括二極管、晶體管和晶閘管三大類,其中晶體管市場份額最大,常見的晶體管主要包括MOSFET、IGBT、BJT等。功率 IC是指將高壓功率器件與其...
為什么有時(shí)候需要MOSFET柵極電阻?它應(yīng)該是什么價(jià)值?它應(yīng)該在下拉電阻之前還是之后?事實(shí)上,有許多電路是在沒有柵極電阻的情況下工作的,但添加一個(gè)可以防...
MOSFET作為開關(guān)元件,在開關(guān)電源中需要頻繁地切換兩種狀態(tài):導(dǎo)通和截止,以控制電流的通斷。這種切換過程對(duì)于電源的穩(wěn)定輸出至關(guān)重要。
2024-04-25 標(biāo)簽:集成電路MOSFET開關(guān)電源 1722 0
MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)有哪些?
MOSFET的全稱為:metal oxide semiconductor field-effect transistor,中文通常稱之為,金屬-氧化層-...
閃存芯片是非揮發(fā)存儲(chǔ)芯片,廣泛用于電子產(chǎn)品,特別是如數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器、手機(jī)、全球定位系統(tǒng)(GPS)、高端筆記本電腦和平板電腦等移動(dòng)電子產(chǎn)品的存儲(chǔ)應(yīng)用。
1200V 300A SiC MOSFET開關(guān)性能評(píng)估
由于快速開關(guān)、傳導(dǎo)損耗和擊穿電壓增加,碳化硅 MOSFET在現(xiàn)代工業(yè)應(yīng)用中的使用有所增加。憑借最快速的切換速度和更高的頻率授權(quán),該框架減小了尺寸并提高了...
CoolMOS? CFD7 是英飛凌最新具有集成快速體二極管的高壓 superjunction MOSFET 技術(shù),補(bǔ)全了 CoolMOS? 7 系列。
基于LinkSwitch-4開關(guān)IC提高基于BJT的方案的可靠性
眾所周知,與MOSFET相比,雙極性結(jié)式晶體管(BJT)在成本上有很大的優(yōu)勢。外部BJT的控制器比包含集成型MOSFET的控制器便宜。但是一般情況下,當(dāng)...
SiC MOSFET模塊封裝技術(shù)及驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)
碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅SiC MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體器件,具有導(dǎo)通電阻低,開關(guān)損耗小的特...
基于碳化硅(SiC)材料打造的主驅(qū)逆變器即將大規(guī)模“上車”
在當(dāng)今全球汽車工業(yè)駛向電動(dòng)化的滾滾浪潮中,一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)正以其顛覆性的性能改變著電動(dòng)汽車整體市場競爭力的新格局,它便是基于碳化硅(SiC)材料打造的主驅(qū)逆變器。
同步整流MOSFET發(fā)燙,首先要從控制MOSFET的信號(hào)去分析,主要看信號(hào)是否合理,還有是在DCM 還是在CCM發(fā)燙?
解析適用于SiC柵極驅(qū)動(dòng)的PCB布局方法
在為任一高功率或高電壓系統(tǒng)設(shè)計(jì)印刷電路板 (PCB) 布局時(shí),柵極驅(qū)動(dòng)電路特別容易受到寄生阻抗和信號(hào)的影響。對(duì)于碳化硅 (SiC) 柵極驅(qū)動(dòng),更需認(rèn)真關(guān)...
隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)技巧
功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源...
2023-04-04 標(biāo)簽:MOSFET電源電路電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 1710 0
處理電源電壓反轉(zhuǎn)有幾種眾所周知的方法。最明顯的方法是在電源和負(fù)載之間連接一個(gè)二極管,但是由于二極管正向電壓的原因,這種做法會(huì)產(chǎn)生額外的功耗。雖然該方法很...
光電耦合器是由輸入側(cè)的LED和輸出側(cè)的光電探測器組合在一起的產(chǎn)物。光電耦合器產(chǎn)品因輸出側(cè)光電探測器的類型而異。其主要品種包括晶體管輸出光電耦合器、IC輸...
開關(guān)電源功率MOSFET開關(guān)損耗的2個(gè)產(chǎn)生因素
開關(guān)過程中,穿越線性區(qū)(放大區(qū))時(shí),電流和電壓產(chǎn)生交疊,形成開關(guān)損耗。其中,米勒電容導(dǎo)致的米勒平臺(tái)時(shí)間,在開關(guān)損耗中占主導(dǎo)作用。
2023-01-17 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源軟開關(guān) 1705 0
應(yīng)用手冊(cè) | 650V CoolMOS? CFD7A系列詳解
為滿足電動(dòng)汽車市場的需求,英飛凌推出了全新的650V CoolMOS? SJ功率 MOSFET CFD7A系列。這一產(chǎn)品經(jīng)過專門優(yōu)化,可以滿足電動(dòng)汽車應(yīng)...
2020-05-31 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車英飛凌MOSFET 1705 0
理想比導(dǎo)通電阻的一個(gè)關(guān)系式,其中WD是滿足所需擊穿電壓BV的漂移區(qū)的厚度,q是電子電荷,ND是漂移區(qū)的摻雜濃度,μn是電子遷移率,εn是半導(dǎo)體介電常數(shù),...
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |