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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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從底層重新認(rèn)識(shí)D觸發(fā)器、建立時(shí)間和保持時(shí)間
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)或 IGFET(絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管,它在柵極和主體之間利用絕緣體(如 SiO2)。如今,...
2023-12-04 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管D觸發(fā)器 1697 0
功率 MOSFET 中的SiC(碳化硅)與其對(duì)應(yīng)物相比具有一系列優(yōu)勢(shì),例如更高的導(dǎo)電性、更低的開(kāi)關(guān)速度和更低的傳導(dǎo)損。
引言:高性能的單(多)輸出同步升壓轉(zhuǎn)換器控制器,驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N通道功率MOSFET,同步整流提高效率,減少功率損耗,減輕散熱需求,簡(jiǎn)化了高功率的應(yīng)用。
2023-10-18 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET控制器 1695 0
BSIM5模型從基本的一維MOSFET物理學(xué)出發(fā),推導(dǎo)出基本的電荷和通道電流方程,然后將其擴(kuò)展到準(zhǔn)二維和三維情況,包括短通道、窄通道、多晶硅耗盡和量子力學(xué)效應(yīng)。
如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn)
【導(dǎo)讀】在集成電路和分立器件領(lǐng)域,硅始終是應(yīng)用最廣泛、技術(shù)最成熟的半導(dǎo)體材料,但硅材料技術(shù)的成熟恰恰意味著難以突破瓶頸。為了打破固有屏障,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)一...
SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別 SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別
率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,對(duì)其改良可以實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化。SiC 功率元器件半導(dǎo)體具有低損耗、高速開(kāi)關(guān)、高溫工作等優(yōu)勢(shì)。
關(guān)于開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的問(wèn)題解答
穩(wěn)壓器會(huì)產(chǎn)生具有恒定預(yù)設(shè)幅度的固定輸出電壓,無(wú)論其輸入電壓或負(fù)載條件是否變化。穩(wěn)壓器分為兩類(lèi):線性和開(kāi)關(guān)式。
2022-03-16 標(biāo)簽:負(fù)載MOSFET開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 1692 0
同步降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器控制器LTC3851的功能特點(diǎn)及應(yīng)用
Linear推出的寬輸入范圍同步降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器控制器 LTC3851,該器件驅(qū)動(dòng)所有 N 溝道功率 MOSFET 級(jí)并具有一致或比例跟蹤功能。
8種開(kāi)關(guān)電源MOS管的工作損耗計(jì)算
在器件設(shè)計(jì)選擇過(guò)程中需要對(duì) MOSFET 的工作過(guò)程損耗進(jìn)行先期計(jì)算(所謂先期計(jì)算是指在沒(méi)能夠測(cè)試各工作波形的情況下,利用器件規(guī)格書(shū)提供的參數(shù)及工作電路...
2023-06-10 標(biāo)簽:電源MOSFET開(kāi)關(guān)電源 1691 0
眾所周知,對(duì)于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來(lái)說(shuō),高質(zhì)量的襯底可以從外部購(gòu)買(mǎi)得到,高質(zhì)量的外延片也可以從外部購(gòu)買(mǎi)到,可是這只是具備了獲得一個(gè)...
為設(shè)計(jì)選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應(yīng)用中,當(dāng)一個(gè)MOSFET接地,而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí),該MOSFET就...
雪崩耐量是功率器件性能評(píng)估的關(guān)鍵指標(biāo),那么什么是雪崩耐量呢?即向半導(dǎo)體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時(shí),電場(chǎng)衰減電流的流動(dòng)會(huì)引起雪崩衰減,此時(shí)元件可吸收...
功率半導(dǎo)體的制造流程 功率分立器件的分類(lèi)
由三個(gè)端子組成的器件,可通過(guò)控制三端的電流或電壓實(shí)現(xiàn)器件的導(dǎo)通或關(guān)斷,包括雙極型(BJT)、場(chǎng)效應(yīng)型如MOSFET 及絕緣柵型如IGBT 等器件。
2023-05-10 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 1672 0
電力場(chǎng)效應(yīng)管的動(dòng)態(tài)特性和主要參數(shù)
電力場(chǎng)效應(yīng)管(Power Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)Power FET),特別是其中的絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET),在電力...
2024-09-13 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 1668 0
DC/DC開(kāi)關(guān)控制器的MOSFET選擇
DC/DC開(kāi)關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個(gè)復(fù)雜的過(guò)程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)...
2022-08-22 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源控制器 1668 0
DMX1015E在Type-C PD充電器的應(yīng)用原理
DMZ(X)1015E是具有超高閾值電壓的耗盡型MOSFET( ARK(方舟微)特有的超高閾值“UItraVt ^??^ ”專(zhuān)利技術(shù) ),利用該器件的亞...
在現(xiàn)代電子設(shè)備中,金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)是一種至關(guān)重要的半導(dǎo)體器件。
2024-02-18 標(biāo)簽:MOSFET阻抗匹配場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1663 1
LLC轉(zhuǎn)換器中一次側(cè)開(kāi)關(guān)器件反向恢復(fù)特性的重要性:MOSFET的反向恢復(fù)特性對(duì)于LLC轉(zhuǎn)換器失諧的重要性
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?在LLC轉(zhuǎn)換器中,如果偏離預(yù)期的諧振條件,MOSFET體二極管的反向恢復(fù)電流會(huì)引發(fā)直通電流,這可能會(huì)造成開(kāi)關(guān)損耗增加,最壞的情況下可能會(huì)...
2023-02-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETLLC 1654 0
關(guān)于BiMOSFET直流電性能及其開(kāi)關(guān)應(yīng)用
在本應(yīng)用筆記中,我們將討論為高壓和高頻應(yīng)用開(kāi)發(fā)的BiMOSFET。我們還將討論其直流電性能及其開(kāi)關(guān)應(yīng)用。 在IXBH40N160中,IXYS通過(guò)引入集電...
2021-05-20 標(biāo)簽:MOSFET 1652 0
SiC(碳化硅)是由硅和碳化物組成的化合物半導(dǎo)體。與硅相比,SiC具有許多優(yōu)勢(shì),包括10倍的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度,3倍的帶隙,以及實(shí)現(xiàn)器件結(jié)構(gòu)所需的更廣泛的p型...
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