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      標簽　>　mosfet

      mosfet

      mosfet

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      簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

      文章：4721個 瀏覽：213860次 帖子：1124個

      mosfet技術

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      2023-08-03 標簽：MOSFET開關電源驅動電路 1483 0

      12V1A路由器開關電源芯片U6773S可提高WiFi速度

      WiFi技術可以算的上是近幾年來偉大的發明之一。它徹底改變了人們的生活，改變了智能設備對網絡數據的接受方式。

      2023-02-24 標簽：MOSFET路由器開關電源芯片 1482 0

      半導體邏輯器件工藝流程 LTPS工藝對器件參數的影響

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      當n型半導體與p型半導體接觸時，電子與空穴都從濃度高處向濃度低處擴散，稱為擴散運動。當電子進入p型區域，空穴進入n型區域后，即與對方多子復合，留下了固定...

      2023-10-13 標簽：二極管MOSFETMOS管 1482 0

      開關電源中控制EMI的方法分享

      開關電源中，功率器件高頻開通、關斷操作導致電流和電壓的快速變化是產生EMI的主要原因。

      2023-01-06 標簽：MOSFETemi整流管 1481 0

      100V浪涌抑制器可保護組件免受300V瞬變的影響

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      汽車和工業系統中的高壓瞬變很常見，持續時間從幾微秒到數百毫秒不等，從而向下傳遞大量能量。瞬態原因包括汽車負載突降，以及負載階躍和寄生電感引起的尖峰。為了...

      2023-04-14 標簽：MOSFET電阻器汽車電子 1481 0

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      2023-07-11 標簽：MOSFET穩壓器開關模式電源 1480 0

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      為驅動快速開關超級結MOSFET，必須了解封裝和PCB布局寄生效應對開關性能的影響，以及為使用超級結所做的PCB布局調整。主要使用擊穿電壓為500-60...

      2019-05-13 標簽：mosfetpcb設計 1478 0

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      和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關頻率高等諸多優點,因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優點同時也給SiC功率器件的互連封裝帶...

      2024-03-07 標簽：MOSFET功率器件互連技術 1476 0

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      哪些因素會影響MOSFET放大器的Robust增加一個電阻，提高Robust增加一個電容。

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      650V GaN FET 較低的寄生電容降低了開關損耗。此外，與 650-V Si MOSFET 相比，650-V GaN FET 在相同芯片尺寸內具有...

      2022-08-05 標簽：MOSFET整流器GaN 1475 0

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      2024-07-14 標簽：MOSFETGaN金屬 1473 0

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      UPS（不間斷電源）作為一種保障電力供應穩定和可靠的設備，被廣泛應用在計算機、通訊和工業等領域。

      2023-04-18 標簽：MOSFET驅動器UPS 1471 0

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        SDK
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      古玥問問去玩 我是初來乍到 jf_64860441 jf_76703045 jf_49700615 jf_61424177 360zky lijing380939807 jf_63230987 jf_67310868 jf_57742561 jf_11520101

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