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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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DC/DC評(píng)估篇損耗探討-同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的柵極電荷損耗
本文將探討功率開(kāi)關(guān)MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)相關(guān)的損耗,即下圖的高邊和低邊開(kāi)關(guān)的“PGATE”所示部分。柵極電荷損耗是由該例中外置MOSFET的Qg(柵極電...
2023-02-23 標(biāo)簽:MOSFET降壓轉(zhuǎn)換器電荷 718 0
DC/DC評(píng)估篇損耗探討-同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)損耗
上一篇文章中探討了同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的功率開(kāi)關(guān)--輸出端MOSFET的傳導(dǎo)損耗。本文將探討開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗。開(kāi)關(guān)損耗:見(jiàn)文識(shí)意,開(kāi)關(guān)損耗就是開(kāi)關(guān)工...
2023-02-23 標(biāo)簽:MOSFET降壓轉(zhuǎn)換器開(kāi)關(guān)損耗 1062 0
MOS管通常是指MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的簡(jiǎn)稱(chēng)。MOSFET是一種常用的場(chǎng)效應(yīng)晶體管,它的核心部件是氧化物門(mén)介質(zhì),能夠通過(guò)改變柵極電...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管...
2023-02-22 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 7192 0
簡(jiǎn)單講,是一個(gè)非通即斷的開(kāi)關(guān),IGBT沒(méi)有放大電壓的功能,導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線,斷開(kāi)時(shí)當(dāng)做開(kāi)路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn),如驅(qū)動(dòng)...
IGBT工作原理與MOSFET的關(guān)聯(lián)
IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道,而這個(gè)通道卻具有很高...
MOSFET全稱(chēng)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。主要優(yōu)點(diǎn)是熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大,缺點(diǎn)是擊穿電壓低,工作電流小。
ST 600-650V MDmesh DM9 超結(jié)快速恢復(fù)功率MOSFET提高效率和穩(wěn)健性
新型硅基快速恢復(fù)體二極管超結(jié) MOSFET系列為全橋相移ZVS拓?fù)涮峁├硐氲男屎涂煽啃?? ST超結(jié)快速恢復(fù)硅基功率MOSFET兼具超低恢復(fù)電荷(Qr...
2023-02-22 標(biāo)簽:MOSFET意法半導(dǎo)體快恢復(fù)二極管 920 0
在橋式結(jié)構(gòu)中的注意事項(xiàng):探頭的CMRR
在對(duì)橋式結(jié)構(gòu)中的高邊(HS)MOSFET進(jìn)行測(cè)試時(shí),通常使用高壓差分探頭或差分探頭(*4)來(lái)觀測(cè)波形,但所用探頭的共模抑制比(CMRR)在高頻區(qū)域可能會(huì)...
在N溝道MOSFET中,源極為P型區(qū)域,而在P溝道MOSFET中,源極為N型區(qū)域。在MOSFET的工作中,源極是控制柵極電場(chǎng)的參考點(diǎn),它是連接到源極-漏...
最大限度降低SiC FET的EMI的開(kāi)關(guān)損耗
對(duì)高效率、高功率密度和系統(tǒng)簡(jiǎn)單性的需求增加,使得碳化硅 (SiC) FET 因其快速開(kāi)關(guān)速度、低 R 而成為電源工程師的有吸引力的選擇DS(開(kāi)啟)和高壓額定值。
比較SiC開(kāi)關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)可能很困難。SiC MOSFET在導(dǎo)通電阻溫度系數(shù)較低的情況下似乎具有優(yōu)勢(shì),但與UnitedSiC FET相比,這表明潛在的損耗...
2023-02-21 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 1133 0
真正實(shí)現(xiàn)碳化硅的汽車(chē)資質(zhì)
車(chē)載充電器 (OBC)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和牽引逆變器都受益于 SiC,正在進(jìn)行的工藝和架構(gòu)改進(jìn)肯定會(huì)增加其已經(jīng)相當(dāng)可觀的吸引力。這種增強(qiáng)將擴(kuò)大這種寬帶...
2023-02-21 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)MOSFET碳化硅 244 0
在上期的芝識(shí)課堂中,我們和大家簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)了邏輯IC的基本知識(shí)和分類(lèi),并且特別提到CMOS邏輯IC因成本、系統(tǒng)復(fù)雜度和功耗的平衡性最好,因此得到了最廣泛應(yīng)用...
使用互補(bǔ)的p溝道和n溝道MOSFET組合的電路稱(chēng)為CMOS(互補(bǔ)MOS)。CMOS邏輯IC以各種方式組合MOSFET來(lái)實(shí)現(xiàn)邏輯功能。
IGBT的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)述 IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用及基本特點(diǎn)
IGBT,中文名稱(chēng)絕緣柵雙極型晶體管,是由雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和...
模擬電路中常用的器件其實(shí)不多,MOSFET、電阻、電容、電感、、BJT、diode。 現(xiàn)在分別說(shuō)一說(shuō),這些器件在模擬電路中都需要了解哪些性能參數(shù),...
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