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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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在SiC的BaSiC博客系列中,我們將探討碳化硅的許多不同功能。讓我們從這種不尋常材料的特性和應用的快速入門開始。
副邊同步后置穩(wěn)壓器為多輸出隔離電源提供精密調(diào)節(jié)和高效率
LT3710 控制器為多輸出隔離式電源應用帶來了簡單性、高效率和精準的調(diào)節(jié)。LT?3710 是一款特殊的同步降壓型開關(guān)穩(wěn)壓控制器,具有雙通道 N 溝道 ...
深入對比SiC MOSFET vs Qorvo SiC FET
眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝,來開發(fā)基于雙極結(jié)型晶體管(BJT)、結(jié)柵場效應晶體管(JFET)、金屬氧化物半導體場效應晶體管(M...
芯片DNA如何物理不可克隆的功能技術(shù)保護嵌入式系統(tǒng)
基于硬件的安全性提供了針對網(wǎng)絡(luò)攻擊的強大保護,當實現(xiàn)加密功能的芯片使用時,物理不可克隆功能(PUF)技術(shù)可以進一步增強該級別的保護。本應用筆記討論了一種...
SiC MOSFET:通過波形的線性近似分割來計算損耗的方法
首先,計算開通和關(guān)斷時間內(nèi)消耗的功率損耗Pton和Ptoff。波形使用圖1中的示例波形。功率損耗使用表1中的近似公式來計算。由于計算公式會因波形的形狀而...
看一下MOSFET場效應管的相關(guān)知識內(nèi)容和典型的使用方法
場效應管與三極管比較類似,都是三端元器件,但是三極管是一種流控型的半導體器件,而場效應管是一種壓控型的半導體器件
開關(guān)穩(wěn)壓器是通過一個快速開關(guān)管,如MOSFET或BJT,來將輸入電壓交替導通和截止,從而產(chǎn)生高頻脈沖信號。在穩(wěn)壓器的輸出端,這些脈沖信號通過濾波電路...
2023-02-28 標簽:MOSFET開關(guān)穩(wěn)壓器濾波電路 1455 0
如何優(yōu)化PCB設(shè)計以最大限度提高超級結(jié)MOSFET的性能
基于最近的趨勢,提高效率成為關(guān)鍵目標,為了獲得更好的EMI而采用慢開關(guān)器件的權(quán)衡并不值得。超級結(jié)可在平面MOSFET難以勝任的應用中提高效率。與傳統(tǒng)平面...
具備驅(qū)動器源極引腳,可以消除VLSOURCE對VGS_INT的影響。
性能、可靠性和飛行傳統(tǒng)通常是空間應用電子產(chǎn)品的主要關(guān)注點。根據(jù)任務壽命和配置文件,設(shè)計人員在某些情況下可能會考慮使用商用現(xiàn)貨 (COTS) 部件。但是 ...
如何使用單個反饋源實現(xiàn)任意數(shù)量的電流沉/源設(shè)計
利用運放反饋與基準電壓生成任意大小的直流電流是一個簡單、直接的過程。但是,假設(shè)須要生成一些任意數(shù)量(以N為例)的電流沉/源(current sink/s...
使用高壓電子設(shè)計?這些規(guī)范知識你應該知道的
對于將設(shè)計時間花在個位數(shù)、低壓世界的工程師來說,“高壓”一詞可能會讓人聯(lián)想到兩位數(shù)的電壓,可能高達 24V 或 48V DC,甚至是三位數(shù)的電壓域120...
電流檢測電阻與開關(guān)穩(wěn)壓器架構(gòu)的放置決定了要檢測的電流。檢測的電流包括峰值電感電流、谷值電感電流(連續(xù)導通模式下電感電流的最小值)和平均輸出電流。檢測電阻...
2023-05-01 標簽:MOSFET電阻器開關(guān)穩(wěn)壓器 1449 0
LED驅(qū)動芯片有效降低恒流拐點電壓,LED應用面越來越廣泛,LED驅(qū)動芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)模也逐步擴大。
造成EMI問題的輻射源有兩類:交變電場(高阻),交變磁場(低阻)。非隔離的DC/DC轉(zhuǎn)換器具有阻抗很低的節(jié)點和環(huán)路(遠低于自由空間的阻抗377Ω,此值為...
2023-11-17 標簽:pcb轉(zhuǎn)換器MOSFET 1443 0
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