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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀,SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求
1、SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求 2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀 3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝 4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法
看懂MOSFET數(shù)據(jù)表:連續(xù)電流額定值
然后是我們考慮的“芯片限值”,通常通過將外殼溫度保持在25?C來指定。基本上,這個條件假定了一個理想的散熱片,只使用結(jié)至外殼熱阻來計算器件能夠處理的最大...
在電子工程領(lǐng)域,功率器件和集成電路是兩個重要的分支,它們各自在特定的應(yīng)用場景中發(fā)揮著重要的作用。關(guān)于兩者間的定義常會引起混淆,接下來就讓小編來帶您梳理一...
手機已從簡單的單語音功能發(fā)展成為帶有MP3或音樂鈴聲等大功率立體聲音頻的通訊工具。至于視頻功能,簡單的低分辨率相機已經(jīng)過時,而高于200萬像素相機已經(jīng)成...
2013-01-28 標(biāo)簽:MOSFETUSB模擬開關(guān) 1415 1
如何將CoolMOS應(yīng)用于連續(xù)導(dǎo)通模式的圖騰柱功率因數(shù)校正電路
為了實現(xiàn)在圖騰柱PFC使用常見的開關(guān)器件,本文介紹預(yù)充電電路的解決方案。 相較采用寬禁帶半導(dǎo)體,此方案的功率半導(dǎo)體器件較普遍且容易取得,提供給使用者做為...
在電機驅(qū)動系統(tǒng)中,柵極驅(qū)動器或“預(yù)驅(qū)動器” IC常與N溝道功率MOSFET一起使用,以提供驅(qū)動電機所需的大電流。在選擇驅(qū)動器IC、MOSFET以及某些情...
Q關(guān)斷,集電極電壓開始上升到2Vdc,電容C限制集電極電壓的上升速度,并減小上升電壓和下降電流的重疊,減低開關(guān)管Q的損耗。
2023-05-30 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源變換器 1400 0
作為工作于開關(guān)狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)換裝置,開關(guān)電源的電壓、電流變化率很高,產(chǎn)生的干擾強度較大; 干擾源主要集中在功率開關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器,相...
用于車載充電器應(yīng)用的1200V SiC MOSFET模塊使用指南
隨著電動汽車的車載充電器 (OBC) 迅速向更高功率和更高開關(guān)頻率發(fā)展,對 SiC MOSFET 的需求也在增長。許多高壓分立 SiC MOSFET 已...
根據(jù)負載的電流大小,可以分為大/小電流用電器,30A是汽車單顆智能MOSFET行業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)閾值。根據(jù)用電器的控制方式,可以劃分為開關(guān)控制和功率調(diào)節(jié)控制兩類。
碳化硅的主要特性是什么?為什么碳化硅在高頻下的性能優(yōu)于IGBT?
碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙(WBG)材料家族。
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