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mosfet

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簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

不同工作區(qū)域的MOSFET各端子之間的電容是多少？

器件關(guān)斷時，源漏不導通，沒有反型層。柵極到源極和漏極的電容是相等的，都是等于CovW，柵極到襯底的電容是由氧化層電容和耗盡層電容串聯(lián)得到。

2023-09-18 標簽：三極管 MOSFET 等效電容 1381 0

DC/DC變換器數(shù)據(jù)表：計算系統(tǒng)損耗

傳導損耗是由設(shè)備寄生電阻阻礙直流電流在DC/DC變換器中的傳導產(chǎn)生的。傳導損耗與占空比有直接關(guān)系。當電流較高一側(cè)的MOSFET打開后，負載電流就會從其中...

2023-04-14 標簽：MOSFET 穩(wěn)壓器變換器 1381 0

模電學習：三極管推挽電路

在電路中，推挽（Push-Pull）是指使用兩個輸出器件（例如晶體管或MOSFET）交替地將信號推到正和負極性，以便將信號放大并推到一個負載上。

2023-06-06 標簽：三極管 MOSFET 驅(qū)動器 1381 0

低功率和大功率柵極驅(qū)動器的實例計算

有了這么多的強力工具選項，設(shè)計兼容性可能是一個斗爭。了解更多關(guān)于利用金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管(mosfet)的挑戰(zhàn)

2022-06-07 標簽：MOSFET 大功率柵極驅(qū)動器 1380 0

推薦一款適配器電源芯片U6773V

適配器電源芯片的正確選擇對于適配器來說有著至關(guān)重要的作用，關(guān)系到電源適配器的穩(wěn)定性以及使用壽命，也可以減少產(chǎn)品的故障率。

2023-03-03 標簽：MOSFET 控制器適配器 1379 0

MOSFET的驅(qū)動難道不是VGS大于開啟電壓就可以了嗎

負載切換的原理很簡單，主要通過PWM控制MOS管導通截止來使下圖右側(cè)的電阻R5短路和斷路，其中TP2為DCDC輸出電壓。

2022-08-02 標簽：MOSFET 驅(qū)動電路 DCDC電源 1374 0

基于P溝道MOSFET反向保護電路的設(shè)計

在直流系統(tǒng)中，比如汽車電子設(shè)計中，當電池接反時，使用電池作為電源的電路可能會損壞，所以一般需要反向電壓保護電路。其實用MOSFET作為反向保護電路一般比...

2022-09-22 標簽：MOSFET 保護電路反向電壓 1373 0

多晶硅與單晶硅各有哪些優(yōu)良性質(zhì)？又是怎樣制造出來的呢？

硅，我們都知道。但是芯片制程中的硅，有的用的是單晶硅，有的用的是多晶硅。多晶硅與單晶硅的性能差別很大，那么他們各有哪些優(yōu)良性質(zhì)？有哪些應(yīng)用？又是怎樣制造...

2023-10-26 標簽：多晶硅 MOSFET 單晶硅 1371 0

評估1200V SiC MOSFET在短路條件下的穩(wěn)健性

由于其極低的開關(guān)損耗，碳化硅 (SiC) MOSFET 為最大限度地提高功率轉(zhuǎn)換器的效率提供了廣闊的前景。然而，在確定這些設(shè)備是否是實際電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的實...

2022-08-09 標簽：MOSFET SiC 碳化硅 1370 0

安建半導體推出針對大電流高功率應(yīng)用的SGT MOSFET器件

近年來，工業(yè)及消費市場對于系統(tǒng)的要求不斷提高，為達到更優(yōu)秀的效率、可靠性及熱性能，MOSFET作為功率核心部件擔當著非常重要的角色。

2024-05-06 標簽：MOSFET 寄生電感柵極驅(qū)動器 1366 0

相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升：效率的評估

相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升，針對本系列文章的主題——轉(zhuǎn)換效率，本文將會給出使用實際電源電路進行評估的結(jié)果。具體而言，本文對Q1～Q4的MOSFET使...

2023-02-13 標簽：MOSFET 全橋電路功率轉(zhuǎn)換效率 1365 0

使用MD7120 MOSFET驅(qū)動器的D類功率音頻放大器電路設(shè)計

這是使用IC MD7120作為MOSFET驅(qū)動器的D類功率音頻放大器的電路設(shè)計。 MD7120 用于驅(qū)動在 H 橋開關(guān)兩側(cè)運行的四個 N 溝道 MOSF...

2023-07-28 標簽：MOSFET 驅(qū)動器電路設(shè)計 1364 0

10W MOSFET音頻放大器電路圖講解

這里介紹的方案是一個只需要單電源的MOSFET 10W音頻放大器電路。 B 類功率放大器很少使用單軌電源。無論如何，對于低功耗應(yīng)用來說已經(jīng)足夠了。事實上...

2023-08-14 標簽：電容器電路圖 MOSFET 1364 0

面向IGBT與MOSFET的柵極驅(qū)動器

隨著新的應(yīng)用領(lǐng)域和市場的出現(xiàn)，近年來全球電力需求猛增，使得節(jié)能成為設(shè)備設(shè)計的重要方面。這使得高效逆變器電路和轉(zhuǎn)換器必不可少，特別是對于需要高功率轉(zhuǎn)換的電...

2022-07-27 標簽：轉(zhuǎn)換器 MOSFET 柵極驅(qū)動器 1362 0

可靠性是基礎(chǔ)—非隔離電源管理芯片U6110介紹

針對常見的電源拓撲結(jié)構(gòu)來講，非隔離電源包括Buck、Boost、Buck-Boost等。

2023-09-15 標簽：MOSFET 振蕩器線性穩(wěn)壓器 1362 0

模塊輸出的有效電流和母線電壓以及開關(guān)頻率的關(guān)系

這是某大廠的1200V SiC模塊，雖然規(guī)格書上只寫了標稱電流IDN=400V

2023-11-15 標簽：MOSFET 逆變器 SiC 1362 0

開關(guān)電源MOS設(shè)計選型的幾個基本原則

開啟過程 VDS(off_on)(t) 與 IDS(off_on)(t) 交叉波形如上圖所示。首先須計算或預計得到開啟時刻前之 VDS(off_end)...

2023-10-27 標簽：MOSFET 開關(guān)電源 MOS管 1361 0

功率半導體類型及特點

功率半導體的類型有多種，其中最常用的是MOSFET（金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管）、IGBT（可控硅晶體管）和SCR（可控整流器）。MOSFET是一種可...

2023-02-15 標簽：MOSFET IGBT 功率半導體 1356 0

一文讀懂MOSFET開關(guān)損耗介紹

MOSFET的操作可以分為兩種基本模式：線性模式和開關(guān)模式。在線性模式下，晶體管的柵源電壓足以使電流通過通道，但通道電阻相對較高。通道上的電壓和通過通道...

2024-06-13 標簽：MOSFET 晶體管開關(guān)損耗 1356 0

12v1A電源芯片U6210推動創(chuàng)新精簡設(shè)計

12v1A電源芯片U6210是一款高性能原邊控制器，可提供高精度恒壓和恒流輸出性能，尤其適合于小功率離線式充電器應(yīng)用中。

2023-05-29 標簽：MOSFET 控制器電源芯片 1355 0

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IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進行靜電中和等。
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　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫，中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個系統(tǒng)隨時監(jiān)控發(fā)動機的運行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標的情況，會馬上發(fā)出警示。

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