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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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目前MOSFET仍是數(shù)字集成電路廣泛使用的器件,根據(jù)MOS管的靜態(tài)模型,以NMOS為例,分析其電流電壓特性。 器件部分涉及到很多半導(dǎo)體物理、器件物理相關(guān)...
在關(guān)于動力傳動系統(tǒng)電氣化的第三篇博客中,我們首先嘗試了解為什么使用48伏特系統(tǒng),然后介紹48伏特起動發(fā)電機(jī)的不同安裝選項。
2023-02-13 標(biāo)簽:MOSFET汽車電子發(fā)電機(jī) 1033 0
LLC轉(zhuǎn)換器中一次側(cè)開關(guān)器件反向恢復(fù)特性的重要性:MOSFET的反向恢復(fù)特性對于LLC轉(zhuǎn)換器失諧的重要性
本文的關(guān)鍵要點?在LLC轉(zhuǎn)換器中,如果偏離預(yù)期的諧振條件,MOSFET體二極管的反向恢復(fù)電流會引發(fā)直通電流,這可能會造成開關(guān)損耗增加,最壞的情況下可能會...
2023-02-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETLLC 1653 0
LLC轉(zhuǎn)換器中一次側(cè)開關(guān)器件反向恢復(fù)特性的重要性:LLC轉(zhuǎn)換器的基本工作
在上一篇的圖2的區(qū)域(2)中,MOSFET導(dǎo)通時是ZVS工作,因此LLC轉(zhuǎn)換器通常在這個區(qū)域使用。圖3為區(qū)域(2)中的工作波形。Q1和Q2的漏極電流波形...
2023-02-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETLLC 1263 0
LLC轉(zhuǎn)換器中一次側(cè)開關(guān)器件反向恢復(fù)特性的重要性:LLC轉(zhuǎn)換器的工作特點
在下面的表格中,匯總了當(dāng)著眼于上一篇文章中給出的基本電路的一次側(cè)MOSFET時,LLC轉(zhuǎn)換器的優(yōu)缺點。LLC轉(zhuǎn)換器通過部分諧振方式實現(xiàn)ZVS工作,部分諧...
2023-02-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETLLC 1137 0
內(nèi)置功率MOSFET的高性能BM2Pxxx系列AC/DC轉(zhuǎn)換器用IC
ROHM正在擴(kuò)充AC/DC轉(zhuǎn)換器用IC的產(chǎn)品陣容。主要面向25W以下的應(yīng)用,比以往相同目的的IC設(shè)計更簡單,并滿足近年來對AC/DC轉(zhuǎn)換器的需求事項的涵...
2023-02-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETIC 1188 0
MOSFET的失效機(jī)理本文的關(guān)鍵要點?dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB,使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而...
當(dāng)向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時,就會發(fā)生擊穿。當(dāng)施加高于BVDSS的高電場時,自由電子被加速并帶有很大的能量。這會導(dǎo)致碰撞電離...
MOSFET的失效機(jī)理:什么是SOA(Safety Operation Area)失效
MOSFET的失效機(jī)理本文的關(guān)鍵要點?SOA是“Safety Operation Area”的縮寫,意為“安全工作區(qū)”。?需要在SOA范圍內(nèi)使用MOSF...
相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升,針對本系列文章的主題——轉(zhuǎn)換效率,本文將會給出使用實際電源電路進(jìn)行評估的結(jié)果。具體而言,本文對Q1~Q4的MOSFET使...
2023-02-13 標(biāo)簽:MOSFET全橋電路功率轉(zhuǎn)換效率 1365 0
內(nèi)置耐壓高達(dá)80V的MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器用IC BD9G341AEFJ介紹
ROHM推出內(nèi)置耐壓高達(dá)80V的MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐壓是內(nèi)置功率晶體管的非隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC...
2023-02-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETIC 787 0
相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升:重負(fù)載時中開關(guān)元件工作相關(guān)的注意事項
因此,在PSFB電路中,需要使用trr小的MOSFET。簡言之,trr越小越有效。市場上有一些低trr的快速恢復(fù)SJ MOSFET,但制造商和產(chǎn)品系列不...
2023-02-13 標(biāo)簽:MOSFET功率轉(zhuǎn)換全橋電路 813 0
相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升:PSFB電路的基本結(jié)構(gòu)
作為Si功率元器件評估篇的第2波,將開始一系列有關(guān)Si功率元器件通過PSFB電路進(jìn)行“相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升”的文章。這類大功率電源中大多采用全...
通過雙脈沖測試評估MOSFET的反向恢復(fù)特性ー總結(jié)ー
在“通過雙脈沖測試評估MOSFET的反向恢復(fù)特性”中,重點關(guān)注了由于逆變器電路、Totem Pole型功率因數(shù)校正(PFC)電路等是兩個MOSFET串聯(lián)...
在討論了48伏特架構(gòu)(“48伏特輕度混合動力系統(tǒng)的出現(xiàn)”)并描述了一些主要應(yīng)用(“48伏特起動發(fā)電機(jī)”)后,我們需要深入研究這些新系統(tǒng)的電氣要求。在這篇...
2023-02-13 標(biāo)簽:MOSFETIGBT發(fā)電機(jī) 925 0
開關(guān)電源中,Pulse skip mode跳脈沖模式、Burst mode突發(fā)模式和Hiccup mode打嗝模式,這3種模式分別針對不同的工作條件
2023-02-12 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源Buck變換器 2.1萬 2
在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面,與相同功率等級的Si MOSFET相比,SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低,適用于更高的工作頻率...
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