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標(biāo)簽 > mosfet

mosfet

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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

文章:4721 瀏覽:213854 帖子:1124

mosfet技術(shù)

MOS晶體管的靜態(tài)特性(一)

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目前MOSFET仍是數(shù)字集成電路廣泛使用的器件,根據(jù)MOS管的靜態(tài)模型,以NMOS為例,分析其電流電壓特性。 器件部分涉及到很多半導(dǎo)體物理、器件物理相關(guān)...

2023-02-13 標(biāo)簽:MOSFETNMOS晶體管 4406 0

MOS晶體管的動態(tài)特性

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2023-02-13 標(biāo)簽:MOSFET電容MOS管 1953 0

QRR:在效率戰(zhàn)中被忽視和低估

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作為設(shè)計人員,如何選擇合適的 MOSFET 來開關(guān)電源?當(dāng)然,它必須具有正確的電壓和電流額定值。效率也很重要,所以你檢查它的RDS(開啟)也許還有一些動...

2023-02-13 標(biāo)簽:電源PCBMOSFET 3200 0

48伏特起動發(fā)電機(jī)

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在關(guān)于動力傳動系統(tǒng)電氣化的第三篇博客中,我們首先嘗試了解為什么使用48伏特系統(tǒng),然后介紹48伏特起動發(fā)電機(jī)的不同安裝選項。

2023-02-13 標(biāo)簽:MOSFET汽車電子發(fā)電機(jī) 1033 0

什么是IGBT?

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什么是IGBT?本文的關(guān)鍵要點?IGBT是“Insulated Gate Bipolar Transistor”的縮寫,中文名稱是“絕緣柵雙極晶體管”。

2023-02-13 標(biāo)簽:MOSFETIGBT晶體管 4545 0

LLC轉(zhuǎn)換器中一次側(cè)開關(guān)器件反向恢復(fù)特性的重要性:MOSFET的反向恢復(fù)特性對于LLC轉(zhuǎn)換器失諧的重要性

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本文的關(guān)鍵要點?在LLC轉(zhuǎn)換器中,如果偏離預(yù)期的諧振條件,MOSFET體二極管的反向恢復(fù)電流會引發(fā)直通電流,這可能會造成開關(guān)損耗增加,最壞的情況下可能會...

2023-02-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETLLC 1653 0

LLC轉(zhuǎn)換器中一次側(cè)開關(guān)器件反向恢復(fù)特性的重要性:LLC轉(zhuǎn)換器的基本工作

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在上一篇的圖2的區(qū)域(2)中,MOSFET導(dǎo)通時是ZVS工作,因此LLC轉(zhuǎn)換器通常在這個區(qū)域使用。圖3為區(qū)域(2)中的工作波形。Q1和Q2的漏極電流波形...

2023-02-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETLLC 1263 0

LLC轉(zhuǎn)換器中一次側(cè)開關(guān)器件反向恢復(fù)特性的重要性:LLC轉(zhuǎn)換器的工作特點

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在下面的表格中,匯總了當(dāng)著眼于上一篇文章中給出的基本電路的一次側(cè)MOSFET時,LLC轉(zhuǎn)換器的優(yōu)缺點。LLC轉(zhuǎn)換器通過部分諧振方式實現(xiàn)ZVS工作,部分諧...

2023-02-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETLLC 1137 0

內(nèi)置功率MOSFET的高性能BM2Pxxx系列AC/DC轉(zhuǎn)換器用IC

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ROHM正在擴(kuò)充AC/DC轉(zhuǎn)換器用IC的產(chǎn)品陣容。主要面向25W以下的應(yīng)用,比以往相同目的的IC設(shè)計更簡單,并滿足近年來對AC/DC轉(zhuǎn)換器的需求事項的涵...

2023-02-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETIC 1188 0

MOSFET的失效機(jī)理:什么是dV/dt失效

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2023-02-13 標(biāo)簽:MOSFET晶體管失效機(jī)理 1420 0

MOSFET的失效機(jī)理:什么是雪崩失效

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當(dāng)向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時,就會發(fā)生擊穿。當(dāng)施加高于BVDSS的高電場時,自由電子被加速并帶有很大的能量。這會導(dǎo)致碰撞電離...

2023-02-13 標(biāo)簽:二極管MOSFET失效機(jī)理 2451 0

MOSFET的失效機(jī)理:什么是SOA(Safety Operation Area)失效

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MOSFET的失效機(jī)理本文的關(guān)鍵要點?SOA是“Safety Operation Area”的縮寫,意為“安全工作區(qū)”。?需要在SOA范圍內(nèi)使用MOSF...

2023-02-13 標(biāo)簽:MOSFET失效機(jī)理SOA 1906 0

相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升:效率的評估

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相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升,針對本系列文章的主題——轉(zhuǎn)換效率,本文將會給出使用實際電源電路進(jìn)行評估的結(jié)果。具體而言,本文對Q1~Q4的MOSFET使...

2023-02-13 標(biāo)簽:MOSFET全橋電路功率轉(zhuǎn)換效率 1365 0

內(nèi)置耐壓高達(dá)80V的MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器用IC BD9G341AEFJ介紹

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ROHM推出內(nèi)置耐壓高達(dá)80V的MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐壓是內(nèi)置功率晶體管的非隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC...

2023-02-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETIC 787 0

相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升:重負(fù)載時中開關(guān)元件工作相關(guān)的注意事項

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因此,在PSFB電路中,需要使用trr小的MOSFET。簡言之,trr越小越有效。市場上有一些低trr的快速恢復(fù)SJ MOSFET,但制造商和產(chǎn)品系列不...

2023-02-13 標(biāo)簽:MOSFET功率轉(zhuǎn)換全橋電路 813 0

相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升:PSFB電路的基本結(jié)構(gòu)

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作為Si功率元器件評估篇的第2波,將開始一系列有關(guān)Si功率元器件通過PSFB電路進(jìn)行“相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升”的文章。這類大功率電源中大多采用全...

2023-02-13 標(biāo)簽:MOSFET全橋電路功率元器件 4965 0

通過雙脈沖測試評估MOSFET的反向恢復(fù)特性ー總結(jié)ー

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在“通過雙脈沖測試評估MOSFET的反向恢復(fù)特性”中,重點關(guān)注了由于逆變器電路、Totem Pole型功率因數(shù)校正(PFC)電路等是兩個MOSFET串聯(lián)...

2023-02-13 標(biāo)簽:MOSFET脈沖測試 2766 0

功率MOSFET - 48V系統(tǒng)中的重要組件

功率MOSFET - 48V系統(tǒng)中的重要組件

在討論了48伏特架構(gòu)(“48伏特輕度混合動力系統(tǒng)的出現(xiàn)”)并描述了一些主要應(yīng)用(“48伏特起動發(fā)電機(jī)”)后,我們需要深入研究這些新系統(tǒng)的電氣要求。在這篇...

2023-02-13 標(biāo)簽:MOSFETIGBT發(fā)電機(jī) 925 0

詳細(xì)說明開關(guān)電源中3種模式的不同

開關(guān)電源中,Pulse skip mode跳脈沖模式、Burst mode突發(fā)模式和Hiccup mode打嗝模式,這3種模式分別針對不同的工作條件

2023-02-12 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源Buck變換器 2.1萬 2

碳化硅MOSFET概述、特性及應(yīng)用

  在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面,與相同功率等級的Si MOSFET相比,SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低,適用于更高的工作頻率...

2023-02-12 標(biāo)簽:二極管MOSFET濾波器 3237 0

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開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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