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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)作為現代電子工業中的核心元件之一,其參數與工藝對于電路的性能、效率及可靠性具有至關重要的影響。以下將從MOS...
MOSFET等開關器件可能會受各種因素影響而失效。因此,不僅要準確了解產品的額定值和工作條件,還要全面考慮電路工作中的各種導致失效的因素。本系列文章將介...
本篇文章以實例為基準,分析一個設計方案中的模塊電源散熱問題。本文的中的模塊采用100W,Vin24VVout5V,采用單管正激電路,使用的是UC384...
峰岹FU6812S+FD2606S+N MOSFET 油煙機方案
FD2606S是高壓、高速半橋柵極驅動器, 能夠驅動N型功率MOSFET和IGBT。 FD2606S內置VCC和VB欠壓(UVLO)保護功能,防止功率管...
有兩個因素影響CMOS集成電路的速度,即柵延遲和互連延遲。柵延遲是指MOSFET開關的時間;互連延遲由芯片設計、工藝技術,以及互連的導體和電介質材料決定。
做到這一點的一個方法是通過減少軌道數來降低單元高度--它被定義為每個單元的金屬線(或軌道)的數量乘以金屬間距。對于FinFET,通過逐步將一個標準單元內...
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