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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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實(shí)際工作中的晶體管適用性確認(rèn)-確認(rèn)在實(shí)際使用溫度降額后的SOA范圍內(nèi)
在本章中將介紹判斷所選的晶體管在實(shí)際工作中是否適用的方法和步驟。 本篇將介紹右側(cè)流程圖的④確認(rèn)在使用環(huán)境溫度下降額的SOA范圍內(nèi)。
實(shí)際工作中的晶體管適用性確認(rèn)-確認(rèn)在SOA(安全工作區(qū))范圍內(nèi)
在本章中將介紹判斷所選的晶體管在實(shí)際工作中是否適用的方法和步驟。 本篇將介紹右側(cè)流程圖的③確認(rèn)在SOA(安全工作區(qū))范圍內(nèi)。
實(shí)際工作中的晶體管適用性確認(rèn)-確認(rèn)在絕對(duì)最大額定值范圍內(nèi)
在本章中將介紹判斷所選的晶體管在實(shí)際工作中是否適用的方法和步驟。 本篇介紹右側(cè)流程圖的②確認(rèn)在絕對(duì)最大額定值范圍內(nèi)。
MOSFET規(guī)格相關(guān)的術(shù)語(yǔ)集
之前介紹了MOSFET的特征和特性。不僅MOSFET的規(guī)格書(shū),一般規(guī)格書(shū)(技術(shù)規(guī)格書(shū))中都會(huì)記載電氣規(guī)格(spec),其中包括參數(shù)名稱(chēng)和保證值等。
同時(shí)具備MOSFET和IGBT優(yōu)勢(shì)的Hybrid MOS
本文介紹ROHM命名為“Hybrid MOS”的、同時(shí)具備MOSFET和IGBT兩者優(yōu)勢(shì)的MOSFET。產(chǎn)品位于下圖最下方紅色框內(nèi)。
高耐壓超級(jí)結(jié)MOSFET的種類(lèi)與特征
上一篇介紹了近年來(lái)的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產(chǎn)品定位,以及近年來(lái)的高耐壓Si-MOSFET的代表超級(jí)結(jié)MOSF...
從本篇開(kāi)始,介紹近年來(lái)MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級(jí)結(jié)MOSFET。功率晶體管的特征與定位:首先來(lái)看近年來(lái)的主要功率晶體管Si-MOSFE...
功率MOSFET封裝向來(lái)尺寸較大,因?yàn)檫@提供了更好的散熱和性能,提高了器件整體安全性和可靠性。 TO-220、TO-247、I2PAK、DPAK和D2P...
2023-02-10 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET封裝 993 0
為了適應(yīng)業(yè)界對(duì)節(jié)省空間、提高功率密度和電流處理能力的需要,Nexperia大大改進(jìn)了最新的銅夾封裝。 LFPAK88結(jié)合了低RDSon和高ID,將功率密...
Nexperia的LFPAK88不使用內(nèi)部焊線(xiàn),減小了源極引腳長(zhǎng)度,從而最大程度地減少在開(kāi)關(guān)過(guò)程中產(chǎn)生的寄生源極電感,以此提高效率。 無(wú)引腳(QFN)封...
當(dāng)下公認(rèn)的MOSFET品質(zhì)因數(shù)還有意義嗎
從導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)性能的角度來(lái)看,我們都習(xí)慣于將MOSFET的品質(zhì)因數(shù)(FOM)視作漏極至源極通態(tài)電阻RDS(on)和柵極電荷Qg的乘積。
對(duì)于移動(dòng)和便攜式產(chǎn)品應(yīng)用中,尤其是可穿戴設(shè)備來(lái)說(shuō),準(zhǔn)則是更精簡(jiǎn)、更高效。通過(guò)使用高效的開(kāi)關(guān)選項(xiàng),設(shè)計(jì)者可以擁有更多空間來(lái)嵌入功能,同時(shí)最大限度降低電池消...
MOS晶體管是MOSFET,中文全稱(chēng)為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,稱(chēng)為金氧半場(chǎng)效應(yīng)晶體管(gold oxygen half field effe...
什么是MOSFET?MOSFET應(yīng)用領(lǐng)域
MOS,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Fi...
氮化鎵晶體管的結(jié)構(gòu)及優(yōu)缺點(diǎn)
氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近兩三年來(lái)新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體,他們都具有許多非常優(yōu)異的特性:耐壓高,導(dǎo)通電阻小,寄生參...
此外,襯底偏壓也能影響閾值電壓。當(dāng)在襯底和源極之間施加反向偏壓時(shí),耗盡區(qū)被加寬,實(shí)現(xiàn)反轉(zhuǎn)所需的閾值電壓也必須增加,以適應(yīng)更大的Qsc。
精確控制集成電路中MOSFET的閾值電壓對(duì)電路的可靠性至關(guān)重要。通常情況下,閾值電壓是通過(guò)向溝道區(qū)的離子注入來(lái)調(diào)整的。
功率半導(dǎo)體是電能轉(zhuǎn)換的載體,22 年全球功率器件市場(chǎng)約為281億美元,2022- 25年CAGR 8.2%。功率半導(dǎo)體是功率器件與電源管理IC的集合...
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