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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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幾十年來,基于硅的半導(dǎo)體開關(guān)一直主導(dǎo)著功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域,IGBT 和 Si MOSFET 提供了成熟、穩(wěn)健的解決方案。然而,當(dāng)寬帶隙 (WBG) 器件于 2...
本文就SiC-MOSFET的可靠性進行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產(chǎn)品相關(guān)的信息和數(shù)據(jù)。另外,包括MOSFET在內(nèi)的SiC功率元...
引言:MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor)的縮...
2023-06-16 標(biāo)簽:MOSFETMOS管場效應(yīng)晶體管 1272 0
盡管硅是電子產(chǎn)品中使用最廣泛的半導(dǎo)體,但最近的研究表明它有一些局限性,特別是在高功率應(yīng)用中。帶隙是基于半導(dǎo)體的電路的一個相關(guān)因素,因為高帶隙在高溫、電壓...
2022-07-29 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)損耗 1272 0
羅姆BD7682FJ-EVK-402的準(zhǔn)諧振電源軟開關(guān)功能測試
本文主要對電源的軟開關(guān)功能進行測試。當(dāng)MOSFET管所在回路的原邊繞組在過零點處工作時,由于感應(yīng)作用在原邊副繞組上的電流也處于過零點。檢測通過此處的電流...
隨著SWITCH的開關(guān),電感L中的電流也是在輸出電流的有效值上下波動的。所以在輸出端也會出現(xiàn)一個與SWITCH同頻率的紋波,一般所說的紋波就是指這個,它...
2023-03-15 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源晶體管 1269 0
眾所周知,對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說,高質(zhì)量的襯底可以從外部購買得到,高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買到,可是這只是具備了獲得一個...
2023-07-10 標(biāo)簽:MOSFETSiC-MOSFET碳化硅芯片 1268 0
LLC轉(zhuǎn)換器中一次側(cè)開關(guān)器件反向恢復(fù)特性的重要性:LLC轉(zhuǎn)換器的基本工作
在上一篇的圖2的區(qū)域(2)中,MOSFET導(dǎo)通時是ZVS工作,因此LLC轉(zhuǎn)換器通常在這個區(qū)域使用。圖3為區(qū)域(2)中的工作波形。Q1和Q2的漏極電流波形...
2023-02-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETLLC 1263 0
CMS4070M 40V N-Channel SGT MOSFET:高速開關(guān)和改進的dv/it能力
摘要:CMS4070M是一款40V N-Channel SGT MOSFET,采用SGT IV MOSFET技術(shù)。它具有快速開關(guān)和改進的dv/it能力,...
2023-06-08 標(biāo)簽:MOSFETMOS高速開關(guān) 1261 0
森國科650V超結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品的性能指標(biāo)
繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后,2023年7月 森國科正式對外推出650V超結(jié)MOSFET系列新品 ,相較...
單元測試的問題全部要提問題單跟蹤解決,測出問題在記錄在跟蹤表的同時就馬上提問題單(單元測試的問題單可以走短流程),不要積累到最后一起提。
800V車規(guī)碳化硅功率模塊襯底和外延epi分析和介紹
厚度以及一致性 摻雜和一致性 表面缺陷快速檢測和標(biāo)識追蹤能力 底部缺陷快速檢測和標(biāo)識追蹤能力 控制擴展缺陷 清洗 大尺寸的晶圓翹曲度的控制
性能、可靠性和飛行傳統(tǒng)通常是空間應(yīng)用電子產(chǎn)品的主要關(guān)注點。根據(jù)任務(wù)的壽命和概況,設(shè)計人員可能會考慮在某些情況下使用商用現(xiàn)貨 (COTS) 部件。但 CO...
MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)作為...
美格納發(fā)布第8代150V MXT MV MOSFET
美格納半導(dǎo)體公司 宣布推出兩款基于其第8代溝槽MOSFET技術(shù)的新型150V MXT MV 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。MXT MV ...
2023-10-12 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管漏極 1252 0
表面貼裝MOSFET產(chǎn)品上線高失效原因及其案例分析
經(jīng)過電參數(shù)測試合格的產(chǎn)品2N**經(jīng)過客戶SMT(無鉛工藝260±5℃)生產(chǎn)線貼裝后,發(fā)現(xiàn)大量產(chǎn)品電參數(shù)失效,出現(xiàn)的現(xiàn)象是D、S間漏電,產(chǎn)品短路,失效比例...
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