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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-正電壓浪涌對(duì)策
本文的關(guān)鍵要點(diǎn):通過采取措施防止柵極-源極間電壓的正電壓浪涌,來防止LS導(dǎo)通時(shí)的HS誤導(dǎo)通。如果柵極驅(qū)動(dòng)IC沒有驅(qū)動(dòng)米勒鉗位用MOSFET的控制功能,則...
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-浪涌抑制電路
在上一篇文章中,簡單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產(chǎn)生的浪涌。從本文開始,將介紹針對(duì)所產(chǎn)生的SiC功率元器件中浪涌的對(duì)策。本文先介紹浪涌抑制電路。
CCPAK:銅夾片技術(shù)進(jìn)入高壓應(yīng)用
一段時(shí)間以來,高壓應(yīng)用的要求迫使設(shè)計(jì)師不得不依賴傳統(tǒng)功率封裝,例如TO-220 / TO-247和D2PAK-7。然而,隨著開關(guān)頻率越來越高,這些傳統(tǒng)封...
多種功率半導(dǎo)體在不同領(lǐng)域具有的優(yōu)勢
功率半導(dǎo)體器件是電力電子電路的重要組成部分,理想的功率半導(dǎo)體器件應(yīng)具有良好的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性,在截止?fàn)顟B(tài)下能夠承受高電壓和小泄漏電流。在接通狀態(tài)下,可...
2023-02-08 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 1008 0
法國和瑞士科學(xué)家首次使用氮化鎵在(100)-硅(晶體取向?yàn)?00)基座上,成功制造出了性能優(yōu)異的高電子遷徙率晶體管(HEMTs)。
新型LTC1266開關(guān)穩(wěn)壓器可在10A負(fù)載條件下提供高效率
新型 LTC?1266 是一款同步、降壓型開關(guān)穩(wěn)壓控制器,能夠驅(qū)動(dòng)兩個(gè)外部、N 溝道 MOSFET 開關(guān)。N 溝道 MOSFET 的卓越性能使 LTC1...
2023-02-08 標(biāo)簽:MOSFET 955 0
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-什么是柵極-源極電壓產(chǎn)生的浪涌?
MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線路中。
SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作-低邊開關(guān)關(guān)斷時(shí)的柵極-源極間電壓的動(dòng)作
上一篇文章中介紹了LS開關(guān)導(dǎo)通時(shí)柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作。本文將繼續(xù)介紹LS關(guān)斷時(shí)的動(dòng)作情況。低邊開關(guān)關(guān)斷時(shí)的柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作:下面是表示L...
SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作-低邊開關(guān)導(dǎo)通時(shí)的Gate-Source間電壓的動(dòng)作
上一篇文章中,簡單介紹了SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)中柵極驅(qū)動(dòng)電路的開關(guān)工作帶來的VDS和ID的變化所產(chǎn)生的電流和電壓情況。本文將詳細(xì)介紹SiC MOS...
SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作-橋式電路的開關(guān)產(chǎn)生的電流和電壓
在上一篇文章中,對(duì)SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動(dòng)電路的導(dǎo)通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動(dòng)作進(jìn)行了解說。
2023-02-08 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路SiC 552 0
SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作-SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路和Turn-on/Turn-off動(dòng)作
本文將針對(duì)上一篇文章中介紹過的SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動(dòng)電路及其導(dǎo)通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動(dòng)作進(jìn)行解說。
2023-02-08 標(biāo)簽:MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路 841 0
SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極源極間電壓的動(dòng)作-SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
在探討“SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動(dòng)作”時(shí),本文先對(duì)SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹,這也是這個(gè)主題的前提。
SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作-前言
從本文開始,我們將進(jìn)入SiC功率元器件基礎(chǔ)知識(shí)應(yīng)用篇的第一彈“SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作”。前言:MOSFET和IGBT等電...
本文就SiC-MOSFET的可靠性進(jìn)行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產(chǎn)品相關(guān)的信息和數(shù)據(jù)。另外,包括MOSFET在內(nèi)的SiC功率元...
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容,總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處...
2023-02-08 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETIGBT 890 0
AC/DC轉(zhuǎn)換器IC BM2SC12xFP2-LBZ介紹
內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC:BM2SC12xFP2-LBZ-優(yōu)點(diǎn)篇-使采用了SiC MOSFET的高效AC...
2023-02-08 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET封裝 701 0
第三代雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET介紹
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中,ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽...
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