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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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碳化硅功率MOSFET B1M080120HC降低電機驅動功率損耗
據評估,世界上超過一半的電能消耗用于各種電動機。因此,降低電動機的功率損耗并提高電力轉換的效率顯得尤為重要。
通過電機驅動模塊控制驅動電機兩端電壓來對電機進行制動,我們可以采用飛思卡爾半導體公司的集成橋式驅動芯片 MC33886。
外部MOSFET可降低基于智能功率選擇器的充電器中的I2R損耗
電池到系統(BAT-to-SYS)連接阻抗至關重要,它通過減少裕量和功耗來影響電池運行時間。外部調整管可將阻抗降低 50% 以上。本應用筆記給出了MAX...
IGBT的開關過程主要是由柵極電壓VGE控制的,由于柵極和發射極之間存在著寄生電容艮,因此IGBT的開通與關斷就相當于對CGE進行充電與放電。假設IGB...
失效率是指系統或零件在單位時間內失效的概率,其單位通常用FIT表示,1FIT(失效率)指的是1個(單位)的產品在1*10^9小時內出現1次失效(或故障)的情況。
SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求,對功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結了近年來封裝形式的結構優化和技術創新,包括鍵合...
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