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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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驅(qū)動(dòng)芯片的desat保護(hù)時(shí)間是如何計(jì)算的?
SiC MOSFET短路時(shí)間相比IGBT短很多,Easy模塊保證2us的短路時(shí)間,因此要求驅(qū)動(dòng)電路和的短路響應(yīng)迅速而精確。今天,我們來(lái)具體看一下這個(gè)短而...
2023-01-21 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路SiC 1869 0
與大多數(shù) DC/DC 控制器和穩(wěn)壓器相比,LTC3649 的輸出電壓可由單個(gè)電阻器或其內(nèi)部誤差放大器的基準(zhǔn)來(lái)設(shè)置。它還具有電流監(jiān)控輸出 I星期一.LTC...
MOSFET作為柵極電壓控制器件,柵源極驅(qū)動(dòng)電壓的振蕩會(huì)極大的影響器件和電源轉(zhuǎn)換器的可靠性,實(shí)際應(yīng)用中嚴(yán)重的柵極振蕩還可能會(huì)引起器件或電路異常失效。
開關(guān)電源中,功率器件高頻開通、關(guān)斷操作導(dǎo)致電流和電壓的快速變化是產(chǎn)生EMI的主要原因。
新基建推動(dòng)5G通信與互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心雙線發(fā)展,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)及計(jì)算處理的需求激增,核心運(yùn)算處理器的速度要求變高,運(yùn)算量增多;如何為處理器提供高品質(zhì)的穩(wěn)定電源輸出...
LTspice:對(duì)PCB和散熱器散熱模型的SOAtherm支持
通常,電路設(shè)計(jì)人員獨(dú)立使用 LTspice SOAtherm-NMOS 符號(hào)來(lái)驗(yàn)證特定 MOSFET 的 SOA 是否適合給定應(yīng)用;無(wú)需額外的散熱器或P...
今天的文章簡(jiǎn)單總結(jié)一下MOS管,如下是本文目錄。
2023-01-05 標(biāo)簽:二極管MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 3463 0
開關(guān)模式電源電流檢測(cè):檢測(cè)電阻的放置位置
電流檢測(cè)電阻與開關(guān)穩(wěn)壓器架構(gòu)的放置決定了要檢測(cè)的電流。檢測(cè)的電流包括峰值電感電流、谷值電感電流(連續(xù)導(dǎo)通模式下電感電流的最小值)和平均輸出電流。檢測(cè)電阻...
開關(guān)模式電源電流檢測(cè):電流檢測(cè)方法
開關(guān)模式電源常用的三種電流檢測(cè)方法是:使用檢測(cè)電阻,使用 MOSFET RDS(ON)并使用電感器的直流電阻 (DCR)。每種方法都有優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn),在選擇...
阻斷二極管廣泛用于電源,以解決各種問(wèn)題。在汽車系統(tǒng)中,串聯(lián)阻斷二極管可防止在更換電池或汽車啟動(dòng)時(shí)意外反向連接電池。高可用性系統(tǒng)和電信配電采用阻斷二極管,...
符合ISO 7637-2和ISO 16750-2標(biāo)準(zhǔn)的可靠汽車電源保護(hù)
圖8中的設(shè)計(jì)可保護(hù)下游電子設(shè)備免受ISO 16750-2和ISO 7637-2瞬變的影響,同時(shí)提供高達(dá)4A的輸出電流。同時(shí),它可以保護(hù)上游系統(tǒng)免受下游電...
LT?8315 是一款具有集成式 630V/300mA 開關(guān)的高電壓反激式轉(zhuǎn)換器。LT8315 免除了增設(shè)光耦合器、復(fù)雜的次級(jí)側(cè)基準(zhǔn)電路、額外的啟動(dòng)組件...
2023-01-05 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET電阻器 918 0
LTC3623可實(shí)現(xiàn)緊湊和可靠的解決方案
單個(gè)電阻用于設(shè)置器件的內(nèi)部基準(zhǔn)電壓??烧{(diào)內(nèi)部基準(zhǔn)電壓設(shè)置輸出電壓,并允許輸出電壓在軌到軌(0V至V)范圍內(nèi)工作在.基準(zhǔn)電壓可直接作為音頻驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng),或配...
2023-01-05 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器穩(wěn)壓器 664 0
全面解讀MOSFET結(jié)構(gòu)及設(shè)計(jì)詳解
MOSFET結(jié)構(gòu)、特性參數(shù)及設(shè)計(jì)詳解
2023-01-26 標(biāo)簽:MOSFET 1533 0
每個(gè) MOSFET 數(shù)據(jù)手冊(cè)都包含一個(gè) SOA 圖,該圖描述了 MOSFET 暴露于特定電壓和電流的最長(zhǎng)時(shí)間。圖1顯示了恩智浦半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)中PSMN1...
表示熱傳導(dǎo)的難易程度。熱阻值越小,散熱性能越好。如果使用手冊(cè)上沒(méi)有注明熱阻值時(shí),可根據(jù)額定功耗PT及Tch將其算出。
并聯(lián)理想二極管:使用MAX40200作為可擴(kuò)展的構(gòu)建模塊
MOSFET 的導(dǎo)通電阻具有 強(qiáng)大的正溫度系數(shù),確保更熱的MOSFET 具有比較冷的MOSFET更大的電阻,迫使較冷的MOSFET采取 更近一點(diǎn)。因此,...
MOS管驅(qū)動(dòng)電路原理與MOS管驅(qū)動(dòng)電路布線設(shè)計(jì)
如果不考慮紋波和EMI等要求的話,MOS管開關(guān)速度越快越好,因?yàn)殚_關(guān)時(shí)間越短,開關(guān)損耗越小,而在開關(guān)電源中開關(guān)損耗占總損耗的很大一部分,因此MOS管驅(qū)動(dòng)...
2022-12-30 標(biāo)簽:MOSFETMOS管驅(qū)動(dòng)電路 7700 1
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