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標(biāo)簽 > mosfet

mosfet

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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

MOSFET的早期歷史

一直到1948年貝爾實(shí)驗(yàn)室宣布發(fā)明晶體管的20多年后,硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET或MOS晶體管)才成為重要的商業(yè)產(chǎn)品。而MOSFET的...

2022-11-10 標(biāo)簽:MOSFET晶體管 4931 0

聊聊二合一加強(qiáng)版的IGBT以及前身半導(dǎo)體器件

從p型和n型半導(dǎo)體,到最基礎(chǔ)的pn結(jié),到pnp/npn的BJT,到pnpn的晶閘管,再到單極性器件MOSFET,再到最終的IGBT,一步步折中優(yōu)化,使I...

2022-11-10 標(biāo)簽:MOSFETIGBT晶體管 409 0

MOS管選型七要素

MOS場效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管,英文縮寫為MOSFET,它有N溝道管和P溝道管兩種類型。

2022-11-07 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源MOS管 5725 0

5分鐘帶你全面了解功率開關(guān)器件雙脈沖測試

雙脈沖測試(Double Pulse Test)是分析功率開關(guān)器件動態(tài)特性的常用測試,通過雙脈沖測試可以便捷的評估功率器件的性能,獲得穩(wěn)態(tài)和動態(tài)過程中的...

2022-11-04 標(biāo)簽:MOSFET脈沖測試功率開關(guān)器件 4382 0

講一講增強(qiáng)型MOSFET器件結(jié)構(gòu)和原理

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我們可以發(fā)現(xiàn),當(dāng)Ugs=0時,MOS-FET就是兩個共陽極的二極管,B極是公共陽極,S、D極是兩個陰極。

2022-11-03 標(biāo)簽:二極管MOSFETFET 2197 0

說說耗盡型MOSFET的主要參數(shù)和等效數(shù)學(xué)模型

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MOSFET在使用過程中除了選擇正確的參數(shù)和正確的計算外,最值得強(qiáng)調(diào)的是防靜電操作問題。

2022-11-03 標(biāo)簽:MOSFET前端放大器偏置電壓 2301 0

分別說說VMOSFET的VVMOS和VDMOS兩種結(jié)構(gòu)

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MOS器件雖然漏極電流可以達(dá)到數(shù)安培,漏源電壓可以達(dá)到100V以上,但是由于漏源電阻大、頻率特性差、硅片面積利用率低等缺點(diǎn),使得MOSFET在功率上有很...

2022-11-03 標(biāo)簽:MOSFETMOS管晶體硅 8377 0

QR-Lock控制技術(shù)的65W GaN高集成快充套片

本期,芯朋微技術(shù)團(tuán)隊(duì)為各位fans分享原副邊全集成的65W快充方案,該方案由PN8783、PN8307P套片組成,PN8783具有卓越的環(huán)路穩(wěn)定性、高功...

2022-11-03 標(biāo)簽:MOSFETGaN快充 1242 0

使用場效應(yīng)管時,這些注意事項(xiàng)要記住了

場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)...

2022-11-03 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管晶體管 2925 0

深度解析七大汽車芯片產(chǎn)業(yè)等細(xì)分領(lǐng)域機(jī)遇與挑戰(zhàn)

在車載鏡頭領(lǐng)域,舜宇光學(xué)(02382.HK)龍頭地位穩(wěn)固,其車載鏡頭出貨量已連續(xù)9年穩(wěn)居世界第一,2020年市占率32%,與第二名份額拉開較大差距。

2022-11-02 標(biāo)簽:mcuMOSFETIGBT 2145 0

如何判斷MOS管工作狀態(tài)?

MOS管的工作狀態(tài)一共有兩種:增強(qiáng)型和耗盡型兩類又有N溝道和P溝道之分。

2022-11-02 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管 5765 0

使用MOSFET構(gòu)建一個50瓦RMS輸出功率放大器

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在本教程中,我們將使用 MOSFET 構(gòu)建一個 50 瓦 RMS 輸出功率放大器,并連接一個 8 歐姆阻抗揚(yáng)聲器。

2022-11-01 標(biāo)簽:MOSFET功率放大器RMS 2601 0

無刷直流電機(jī)的梯形控制

梯形控制是無刷直流(以下簡稱“BLDC”)電機(jī)最簡單的控制方法之一,它施加方波電流,使電機(jī)相位與BLDC電機(jī)的梯形反電動勢波形對齊,以獲得最佳轉(zhuǎn)矩。BL...

2022-11-01 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)控制BLDC 1831 0

SiC MOSFET相對于Si MOSFET和IGBT的優(yōu)勢

ROHM 具有電流隔離功能的新型晶體管柵極驅(qū)動器 ( BM6112 ) 非常適合應(yīng)對驅(qū)動 SiC MOSFET 的獨(dú)特挑戰(zhàn)。它可以驅(qū)動高達(dá) 20A 的大...

2022-11-01 標(biāo)簽:MOSFETIGBT 2068 0

使用MOSFET和晶體管構(gòu)建一個100W RMS輸出功率放大器電路

使用MOSFET和晶體管構(gòu)建一個100W RMS輸出功率放大器電路

在本教程中,我們將使用MOSFET和晶體管構(gòu)建一個100W RMS輸出功率放大器電路,并連接一個4歐姆阻抗揚(yáng)聲器。

2022-10-28 標(biāo)簽:MOSFET功率放大器晶體管 6056 0

IGBT的工作原理及基本特性

IGBT的工作原理及基本特性

  絕緣柵雙極晶體管(IGBT)結(jié)合了GTR和MOSFET的優(yōu)點(diǎn),具有良好的特性。IGBT也是三端器件,具有柵極G、集電極C和發(fā)射極E。

2022-10-28 標(biāo)簽:MOSFETIGBT晶體管 1.4萬 0

一種用于制造晶體管的單原子厚度材料

一種用于制造晶體管的單原子厚度材料

這些材料中最著名的當(dāng)然是石墨烯,它是一種六邊形的蜂窩狀碳片,具有出色的導(dǎo)熱性、電導(dǎo)率、奇特的光學(xué)性能和難以置信的機(jī)械強(qiáng)度。

2022-10-27 標(biāo)簽:MOSFET晶體管數(shù)字器件 887 0

溝槽型SiC MOSFET工藝流程及SiC離子注入

在提高 SiC 功率器件性能方面發(fā)揮重要作用的最重要步驟之一是器件制造工藝流程。SiC功率器件在用作n溝道而不是p溝道時往往表現(xiàn)出更好的性能;為了獲得更...

2022-10-27 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 7218 0

看一下MOSFET場效應(yīng)管的相關(guān)知識內(nèi)容和典型的使用方法

場效應(yīng)管與三極管比較類似,都是三端元器件,但是三極管是一種流控型的半導(dǎo)體器件,而場效應(yīng)管是一種壓控型的半導(dǎo)體器件

2022-10-27 標(biāo)簽:三極管MOSFET場效應(yīng)管 1455 0

LLC轉(zhuǎn)換器的工作特點(diǎn)

雖然LLC轉(zhuǎn)換器的優(yōu)點(diǎn)是開關(guān)損耗低,但受失諧的影響,開關(guān)損耗可能會增加,并且可能會導(dǎo)致MOSFET損壞。

2022-10-26 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETLLC 1339 0

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    IOT
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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
  • 海思
    海思
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  • STM32F103C8T6
    STM32F103C8T6
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    數(shù)字隔離
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    步進(jìn)驅(qū)動器
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    步進(jìn)驅(qū)動器是一種將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移的執(zhí)行機(jī)構(gòu)。當(dāng)步進(jìn)驅(qū)動器接收到一個脈沖信號,它就驅(qū)動步進(jìn)電機(jī)按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動一個固定的角度(稱為“步距角”),它的旋轉(zhuǎn)是以固定的角度一步一步運(yùn)行的。可以通過控制脈沖個數(shù)來控制角位移量,從而達(dá)到準(zhǔn)確定位的目的;同時可以通過控制脈沖頻率來控制電機(jī)轉(zhuǎn)動的速度和加速度,從而達(dá)到調(diào)速和定位的目的。
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    Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家,這些半導(dǎo)體是世界上每個電子設(shè)計都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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    CD4046
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    加速度傳感器是一種能夠測量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
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    服務(wù)機(jī)器人是機(jī)器人家族中的一個年輕成員,到目前為止尚沒有一個嚴(yán)格的定義。不同國家對服務(wù)機(jī)器人的認(rèn)識不同。
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    靜電防護(hù)
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    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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    SDK
    +關(guān)注
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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
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