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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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一直到1948年貝爾實(shí)驗(yàn)室宣布發(fā)明晶體管的20多年后,硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET或MOS晶體管)才成為重要的商業(yè)產(chǎn)品。而MOSFET的...
聊聊二合一加強(qiáng)版的IGBT以及前身半導(dǎo)體器件
從p型和n型半導(dǎo)體,到最基礎(chǔ)的pn結(jié),到pnp/npn的BJT,到pnpn的晶閘管,再到單極性器件MOSFET,再到最終的IGBT,一步步折中優(yōu)化,使I...
MOS場效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管,英文縮寫為MOSFET,它有N溝道管和P溝道管兩種類型。
2022-11-07 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源MOS管 5725 0
雙脈沖測試(Double Pulse Test)是分析功率開關(guān)器件動態(tài)特性的常用測試,通過雙脈沖測試可以便捷的評估功率器件的性能,獲得穩(wěn)態(tài)和動態(tài)過程中的...
2022-11-04 標(biāo)簽:MOSFET脈沖測試功率開關(guān)器件 4382 0
講一講增強(qiáng)型MOSFET器件結(jié)構(gòu)和原理
我們可以發(fā)現(xiàn),當(dāng)Ugs=0時,MOS-FET就是兩個共陽極的二極管,B極是公共陽極,S、D極是兩個陰極。
說說耗盡型MOSFET的主要參數(shù)和等效數(shù)學(xué)模型
MOSFET在使用過程中除了選擇正確的參數(shù)和正確的計算外,最值得強(qiáng)調(diào)的是防靜電操作問題。
分別說說VMOSFET的VVMOS和VDMOS兩種結(jié)構(gòu)
MOS器件雖然漏極電流可以達(dá)到數(shù)安培,漏源電壓可以達(dá)到100V以上,但是由于漏源電阻大、頻率特性差、硅片面積利用率低等缺點(diǎn),使得MOSFET在功率上有很...
QR-Lock控制技術(shù)的65W GaN高集成快充套片
本期,芯朋微技術(shù)團(tuán)隊(duì)為各位fans分享原副邊全集成的65W快充方案,該方案由PN8783、PN8307P套片組成,PN8783具有卓越的環(huán)路穩(wěn)定性、高功...
使用場效應(yīng)管時,這些注意事項(xiàng)要記住了
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)...
2022-11-03 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管晶體管 2925 0
深度解析七大汽車芯片產(chǎn)業(yè)等細(xì)分領(lǐng)域機(jī)遇與挑戰(zhàn)
在車載鏡頭領(lǐng)域,舜宇光學(xué)(02382.HK)龍頭地位穩(wěn)固,其車載鏡頭出貨量已連續(xù)9年穩(wěn)居世界第一,2020年市占率32%,與第二名份額拉開較大差距。
MOS管的工作狀態(tài)一共有兩種:增強(qiáng)型和耗盡型兩類又有N溝道和P溝道之分。
2022-11-02 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管 5765 0
梯形控制是無刷直流(以下簡稱“BLDC”)電機(jī)最簡單的控制方法之一,它施加方波電流,使電機(jī)相位與BLDC電機(jī)的梯形反電動勢波形對齊,以獲得最佳轉(zhuǎn)矩。BL...
SiC MOSFET相對于Si MOSFET和IGBT的優(yōu)勢
ROHM 具有電流隔離功能的新型晶體管柵極驅(qū)動器 ( BM6112 ) 非常適合應(yīng)對驅(qū)動 SiC MOSFET 的獨(dú)特挑戰(zhàn)。它可以驅(qū)動高達(dá) 20A 的大...
使用MOSFET和晶體管構(gòu)建一個100W RMS輸出功率放大器電路
在本教程中,我們將使用MOSFET和晶體管構(gòu)建一個100W RMS輸出功率放大器電路,并連接一個4歐姆阻抗揚(yáng)聲器。
在提高 SiC 功率器件性能方面發(fā)揮重要作用的最重要步驟之一是器件制造工藝流程。SiC功率器件在用作n溝道而不是p溝道時往往表現(xiàn)出更好的性能;為了獲得更...
看一下MOSFET場效應(yīng)管的相關(guān)知識內(nèi)容和典型的使用方法
場效應(yīng)管與三極管比較類似,都是三端元器件,但是三極管是一種流控型的半導(dǎo)體器件,而場效應(yīng)管是一種壓控型的半導(dǎo)體器件
2022-10-27 標(biāo)簽:三極管MOSFET場效應(yīng)管 1455 0
雖然LLC轉(zhuǎn)換器的優(yōu)點(diǎn)是開關(guān)損耗低,但受失諧的影響,開關(guān)損耗可能會增加,并且可能會導(dǎo)致MOSFET損壞。
2022-10-26 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETLLC 1339 0
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