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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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分享四種常見(jiàn)的MOS管柵極驅(qū)動(dòng)電路
分享四種常見(jiàn)的MOS管柵極驅(qū)動(dòng)電路,都用過(guò)嗎?
2022-10-26 標(biāo)簽:MOSFETMOS管柵極驅(qū)動(dòng)電路 5308 0
MOS管怎么用?從認(rèn)識(shí)米勒效應(yīng)、開(kāi)關(guān)損耗、參數(shù)匹配及選型入手
要比喻的話,三極管像綠皮車(chē),MOS管像高鐵。
晶體管絲印標(biāo)識(shí)與型號(hào)、原理圖符號(hào)
一.晶體管包括雙極結(jié)型晶體管(BJT)、場(chǎng)效應(yīng)管(FET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。通常說(shuō)的三極管是指雙極結(jié)型晶體管,其按PN結(jié)結(jié)構(gòu)分為NPN型和...
AN-3009/D標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)器光電耦合器
柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器FOD31xx系列的功能是用作電源緩沖器 ,來(lái)控制功率MOSFET或IGBT的柵極 。它為 MOSFET或 IGBT的柵極輸入供應(yīng)所需...
2022-10-24 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器光電耦合器 1293 0
PFC拓?fù)淅霉鐼OSFET的模塊化柵極驅(qū)動(dòng)方法
本文介紹了一種多級(jí)圖騰柱PFC拓?fù)洌撏負(fù)淅霉鐼OSFET的簡(jiǎn)單性和成熟度以及一種新穎的模塊化柵極驅(qū)動(dòng)方法,實(shí)現(xiàn)了與使用寬帶隙半導(dǎo)體的傳統(tǒng)電路相比,通...
2022-10-19 標(biāo)簽:MOSFETPFC柵極驅(qū)動(dòng) 1539 0
PFC MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試方案
MOSFET/IGBT的開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié),但很多工程師對(duì)開(kāi)關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上,PFC MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗...
在功率器件半導(dǎo)體領(lǐng)域,越來(lái)越需要高頻高功率耐高溫的功率器件,隨著時(shí)間發(fā)展,硅材料在功率器件領(lǐng)域已經(jīng)達(dá)到了材料性能的極限,碳化硅憑借其材料的優(yōu)越特性開(kāi)始大放異彩
超結(jié)也稱(chēng)為超級(jí)結(jié),是英文Super Junction 的直譯,而英飛凌之前將這種技術(shù)稱(chēng)之為CoolMOS。因而超結(jié)(Super Junction,Coo...
MOS管的種類(lèi)、結(jié)構(gòu)及導(dǎo)通特性
MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類(lèi)型,但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的...
兩個(gè)比較器輸入采用一個(gè)外部阻性分壓器提供了過(guò)壓 (OV) 和欠壓 (UV) 設(shè)定點(diǎn)的配置。
開(kāi)關(guān)直流電源如何同步整流?開(kāi)關(guān)電源同步整流控制的優(yōu)勢(shì)分析
開(kāi)關(guān)直流電源使用范圍更加廣泛,降低低壓大電流的功耗已經(jīng)成為電力工程師的難題。 開(kāi)關(guān)電源損耗主要由斷路器管損耗、高頻變壓器損耗、插座集電器損耗等組成。同步...
2022-10-13 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源整流器 2795 0
當(dāng)VGS>VTH時(shí),MOSFET表現(xiàn)為一個(gè)壓控電阻;但是,能讓MOSFET成為現(xiàn)在集成電路中的翹楚,肯定不是只是壓控電阻這么簡(jiǎn)單呢。
什么是MOSFET?MOSFET是全稱(chēng)為Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,即金屬氧化物...
2022-10-11 標(biāo)簽:MOSFETMOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1640 0
該輸入電容器的電流所產(chǎn)生的電壓(波形)因電容器的“靜電電容”之外存在的寄生成分“ESR(等效串聯(lián)電阻)”及“ESL(等效串聯(lián)電感)”的差異而不同。
一種二維材料半導(dǎo)體晶體管多柵結(jié)構(gòu)
背柵控制隨著納米線直徑的增加而逐漸減小;(c)器件具有大開(kāi)態(tài)電流和小的SS。
上述這三種情況中,如果元件完全破壞,必能在生產(chǎn)及品質(zhì)測(cè)試中被察覺(jué)而排除,影響較少。如果元件輕微受損,在正常測(cè)試中不易被發(fā)現(xiàn),在這種情形下,常會(huì)因經(jīng)過(guò)多次...
N溝道MOSFET的基本概念、應(yīng)用電路及主要類(lèi)型
眾所周知,MOSFET是晶體管的一種,也稱(chēng)為IGFET(絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管)或MIFET(金屬絕緣體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。在MOSFET中,通道和柵極通過(guò)薄的...
近年來(lái),半導(dǎo)體行業(yè)最為火熱的話題非寬禁帶半導(dǎo)體莫屬,如碳化硅(SiC)。由于其優(yōu)越的物理和電氣特性,如高能量帶隙(eV),高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)(MV/cm)和...
圖一為N溝通增強(qiáng)型VDMOSFET斷面示意圖及等效電路圖,在電路圖中一般使用圖二所示的兩種圖形符號(hào)。圖形符號(hào)中的箭頭方向與反并聯(lián)寄生二極管的方向是一致的...
2022-10-08 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 2571 0
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