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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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東芝半導體擴展80V/100V車載N溝道功率MOSFET的產品線
用于輕型電動汽車和ISG的逆變器、電池管理系統和接線盒的負載開關以及半導體繼電器,要求產品具有高可靠性、高漏極電流額定值和高散熱設計。
深圳基本半導體公司成功研發溝槽型碳化硅MOSFET器件結構及制備技術
具體來說,該結構由以下幾部分組成:首先是n+型碳化硅襯底,接著是n-型漂移層和n型電流傳輸層,這三者自下而上依次排列。在n型電流傳輸層的頂部,從外部向內...
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產品
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產品,該產品RDSon為60mΩ,具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-2...
近日,瑞薩電子宣布,考慮到EV(電動汽車)需求不斷增長,為擴大功率半導體產能重啟甲府工廠(山梨縣甲斐市)。
華潤微“SiC JBS器件及系列化產品”“SiC MOSFET器件及系列化產品”兩項成果入選電子元器件領域科技創新成果
丁琪超重點介紹了實驗室的6個技術能力體系。如實驗室核心技術方向之一的“異質集成”,能通過8英寸硅集成不同化合物半導體材料,發揮不同材料最優勢特性,集成相關芯片。
長江日報大武漢客戶端4月10日訊(記者李琴 通訊員張希為)正在中國光谷舉行的2024九峰山論壇暨化合物半導體產業博覽會上,九峰山實驗室展出了剛剛下線的全...
基本半導體推出一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半橋模塊
BMF240R12E2G3是基本半導體為更好滿足工業客戶對高效和高功率密度需求而開發的一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半橋模塊,
車企自研功率模塊加速落地,國產SiC MOSFET和代工廠迎新機會
電子發燒友網報道(文/梁浩斌)碳化硅在電動汽車上的應用正在越來越普遍,而車企自研碳化硅模塊,也成為了不少車企選擇的方向。最近,蔚來自研碳化硅模塊C樣件在...
光伏領域IGBT市場飛速增長 2025年光伏領域IGBT市場規模將達73億
功率半導體器件(Power Electronic Device)又稱為電力電子器件和功率電子器件,是指可直接用于處理電能的主電路中,實現電能的變換或控制...
安建半導體C1輪融資圓滿收官,公司獲得超過2億元人民幣的融資。本輪融資由北京國管順禧基金及中航投資領投,龍鼎投資、一元航天及萬創投資跟投。
電子發燒友網報道(文/梁浩斌)最近,安森美發布了第二代1200V SiC MOSFET產品。安森美在前代SiC MOSFET產品中,采用M1及其衍生的M...
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