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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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160V半橋SOI半橋驅(qū)動器驅(qū)動100V MOSFET評估套件
新品帶iMOTIONMADK的160V半橋SOI半橋驅(qū)動器驅(qū)動100VMOSFET評估套件用于電池供電應用(BPA)的EVAL-2ED2748S01GM...
瑞能半導體SiC MOSFET系列產(chǎn)品所具有的優(yōu)勢介紹
從汽車到可再生能源,碳化硅(SiC)的一系列場景應用正在改變電力電子領(lǐng)域。
2024-03-13 標簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 780 0
瞻芯電子推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品
瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品,這些產(chǎn)品不僅通過了嚴格的車規(guī)級可靠性認證(AEC-Q101 Qualified),...
蓉矽半導體SiC MOSFET通過AEC-Q101車規(guī)級考核和HV-H3TRB加嚴可靠性驗證
蓉矽半導體自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過AEC-Q101車規(guī)級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考...
榮湃半導體發(fā)布全新Pai8265xx系列柵極驅(qū)動器
榮湃半導體近日宣布推出其最新研發(fā)的Pai8265xx系列柵極驅(qū)動器,該系列驅(qū)動器基于電容隔離技術(shù),集成了多種保護功能,專為驅(qū)動SiC、IGBT和MOSF...
蓉矽半導體1200V SiC MOSFET通過車規(guī)級可靠性認證
蓉矽半導體近日宣布,其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規(guī)級測試和HV-H3T...
瞻芯電子第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過車規(guī)級可靠性認證
近日,瞻芯電子宣布其研發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品成功通過了嚴格的AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證,這一里程碑式的成就標志著瞻芯電子...
意法半導體推出新型功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器
意法半導體(ST)近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器,這些產(chǎn)品不僅在設(shè)計上追求穩(wěn)健性和可靠性,還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性,以...
英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC? MOSFET G2,推動低碳化的高性能系統(tǒng)
英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù),開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與...
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(以下簡稱“東芝”)近日宣布,其最新研發(fā)的DTMOSVI系列高速二極管型功率MOSFET已正式推出。該系列產(chǎn)品特別適用于數(shù)...
英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSi MOSFET G2
在電力電子領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新的英飛凌科技股份公司近日宣布,其已成功推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù)——CoolSiC? MOSFET Gene...
英飛凌推出G2 CoolSiC MOSFET進一步推動碳化硅技術(shù)的發(fā)展
碳化硅(SiC)技術(shù)一直是推動高效能源轉(zhuǎn)換和降低碳排放的關(guān)鍵,英飛凌最近推出的CoolSiC MOSFET第2代(G2)技術(shù),也是要在這個領(lǐng)域提高了MO...
北京順義泰科天潤項目一期投資4億元,預計2028年達產(chǎn)
3月4日,北京順義消息顯示,順義區(qū)21個在建市區(qū)重點產(chǎn)業(yè)項目全部復工復產(chǎn),其中包括泰科天潤建設(shè)公司總部、研發(fā)中心及8英寸SiC功率器件生產(chǎn)基地項目。
瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET通過了車規(guī)級可靠性認證
3月8日,瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過了嚴格的車規(guī)級可靠性認證(AEC-Q101 Qualified)。
英飛凌推出CoolSiC MOSFET G2技術(shù),提升電力效率與可靠性
另外,CoolSiC MOSFET產(chǎn)品組合還成功實現(xiàn)了SiC MOSFET市場中的最低導通電阻值(Rdson),這大大提高了能效、功率密度,以及在電力系...
2024-03-10 標簽:英飛凌MOSFET電力系統(tǒng) 1138 0
英飛凌、NXP、瑞薩等十大汽車芯片廠,怎么看2024行情呢?
2019年汽車半導體市場規(guī)模大約372億美元,2020年受疫情影響縮減到355億美元,2021年增長31.5%達到467億美元,2022年增長約26%達...
8英寸SiC襯底陣容加速發(fā)展 全球8英寸SiC晶圓廠將達11座
近年來,隨著碳化硅(SiC)襯底需求的持續(xù)激增,降低SiC成本的呼聲日益強烈,最終產(chǎn)品價格仍然是消費者的關(guān)鍵決定因素。SiC襯底的成本在整個成本結(jié)構(gòu)中占...
泰矽微發(fā)布國內(nèi)超小封裝車規(guī)級全集成微馬達驅(qū)動TCM33x系列芯片
隨著汽車智能化的發(fā)展,越來越多的智能化功能被整合到汽車中,例如自動駕駛、智能導航、語音控制等。
英飛凌近期發(fā)布了搭載第五代人機界面(HMI)技術(shù)的新型汽車可編程SoC,以及汽車和工業(yè)級750V G1離散SiC MOSFET,這兩項新產(chǎn)品的發(fā)布進一步...
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