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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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本文支持快捷轉(zhuǎn)載影響IGBT和SiCMOSFET在系統(tǒng)中的動態(tài)特性有兩個非常重要的參數(shù):寄生電感和寄生電容。而本文主要介紹功率回路中寄生電感的定義和測試...
圣邦微電子推出一款最小脈沖寬度為1ns的車規(guī)級低側(cè)驅(qū)動器SGM48521Q
圣邦微電子推出 SGM48521Q,一款最小脈沖寬度為 1ns 的 5V、7A/6A 車規(guī)級低側(cè) GaN 和 MOSFET 驅(qū)動器。
2024-03-07 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動器電源轉(zhuǎn)換器 987 0
瞻芯電子兩款SiC MOSFET產(chǎn)品通過車規(guī)級可靠性認(rèn)證
上海瞻芯電子科技有限公司(簡稱“瞻芯電子”)近期取得了一項重要的技術(shù)突破。該公司推出的兩款第二代SiC MOSFET產(chǎn)品,分別為650V 40mΩ規(guī)格的...
碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體公司瞻芯電子完成股份改制
2024年3月5日,上海瞻芯電子科技有限公司為了適應(yīng)公司戰(zhàn)略及經(jīng)營發(fā)展需要,已經(jīng)順利完成股份改制,并獲得上海市市場監(jiān)督管理局核準(zhǔn),公司名稱正式變更為:上...
2024-03-07 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 1116 0
瞻芯電子1200V/650V SiC塑封半橋模塊獲車規(guī)認(rèn)證
在科技不斷進(jìn)步和新能源汽車產(chǎn)業(yè)迅速崛起的當(dāng)下,高效、穩(wěn)定且符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的電子元器件成為市場的迫切需求。上海瞻芯電子科技有限公司(簡稱“瞻芯電子”)憑借其...
自2022年至今,從二極管到MOSFET等功率器件,再到各類用途的MCU芯片均歷經(jīng)供求反轉(zhuǎn)及大幅降價。受整體經(jīng)濟(jì)疲軟影響,消費電子市場需求下滑,企業(yè)紛紛...
MCU芯片和功率半導(dǎo)體價格攀升,市場需求復(fù)蘇信號不明
自2022年起,諸多元件如二極管、MOSFET等功率芯片以及各類MCU隨供求關(guān)系改變而大范圍降價,且同時消費電子市場需求受經(jīng)濟(jì)下滑影響而下滑,企業(yè)將重點...
東芝半導(dǎo)體將加快開發(fā)下一代功率器件及SiC和GaN第三代半導(dǎo)體
2023年,東芝半導(dǎo)體的功率器件銷售額估計約為1000億日元,其中35%用于汽車市場,20%用于工業(yè)市場。
全球知名半導(dǎo)體制造商Nexperia(安世半導(dǎo)體)在最近的APEC上展示了其最新的產(chǎn)品創(chuàng)新,宣布推出幾款新型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)...
2024-03-04 標(biāo)簽:MOSFET晶體管安世半導(dǎo)體 875 0
Nexperia在APEC 2024上發(fā)布拓寬分立式FET解決方案系列
Nexperia(安世半導(dǎo)體)再次在 APEC 上展示產(chǎn)品創(chuàng)新,宣布發(fā)布幾款新型 MOSFET,以進(jìn)一步拓寬其分立開關(guān)解決方案的范圍,可用于多個終端市場...
三菱電機(jī)發(fā)布商用手持雙向無線電用6.5W硅射頻高功率MOSFET樣品
三菱電機(jī)集團(tuán)近日(2024年2月27日)宣布,將于2月28日開始提供其新型6.5W硅射頻(RF)高功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)樣品,...
薩科微推出SL40T120FL系列IGBT單管和CMOS運算放大器SLA333等產(chǎn)品
深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司一直研究新材料新工藝,不斷推出新產(chǎn)品,驅(qū)動公司不斷發(fā)展。
意法半導(dǎo)體推出功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器
意法半導(dǎo)體(下文為ST)的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
GaN在應(yīng)用太空工業(yè)中的應(yīng)用
在新一代電力電子技術(shù)領(lǐng)域,氮化鎵(GaN)技術(shù)因其出色的抗輻射能力和卓越的電氣性能,已成為太空任務(wù)的革命性突破的關(guān)鍵。氮化鎵 (GaN) 技術(shù)已成為天基...
CIAS2024年度功率器件及模組類及優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商金翎獎“評選揭曉”
CIAS2024年度功率器件及模組類及優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商"金翎獎“評選,旨在發(fā)掘具有前瞻性、創(chuàng)新性和引領(lǐng)性的對中國功率半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)生重大影響的新技術(shù)、...
2024年2月28日,備受矚目的第二屆中國國際新能源汽車技術(shù)零部件及服務(wù)展覽會將在北京·中國國際展覽中心(順義新館W1館)拉開帷幕。作為新能源汽車領(lǐng)域的...
亞成微汽車電氣智能化解決方案將亮相北京2024新能源汽車技術(shù)展
2月28日,第二屆中國國際新能源汽車技術(shù)零部件及服務(wù)展覽會,將在北京·中國國際展覽中心(順義新館W1館)舉辦。該展會是從設(shè)計到制造、從使用到服務(wù)的專業(yè)全...
Vishay推出多功能新型30 V N溝道TrenchFET第五代功率MOSFET
Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET,進(jìn)一步提高工業(yè)、計算機(jī)、消費電子和通信應(yīng)用的功率密度,增...
2024-02-22 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETVishay 788 1
近日,在江蘇省揚州市邗江區(qū)維揚經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)先進(jìn)制造業(yè)項目新春集中簽約儀式上,揚州揚杰電子科技股份有限公司(以下簡稱揚杰科技)新能源車用IGBT、碳化硅(S...
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