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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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據外媒報道,美國威斯康星大學麥迪遜分校(UW Madison)的研究人員們,已經同合作伙伴聯手實現了一種突破性的方法。不僅大大簡化了低成本高性能、無線靈...
由于具有較低的導通電阻(RDS(on))和較小尺寸,N溝道MOSFET在產品選擇上超過了P溝道。在降壓穩壓器應用中,基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯電阻...
2018年全球科技供應鏈仍是漲聲連連,包括DRAM、硅晶圓、被動元件、MOSFET、二極管、MCU及8吋晶圓代工產能,只要是近幾年產能擴充速度及幅度明顯...
英飛凌新品:采用D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC? MOSFET
英飛凌推出采用全新D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC MOSFET,導通電阻從30m?到350m?,可助力不同功率的工業電源、充電器及伺服...
MOSFET的缺貨從2016年下半年就已經開始,一直持續至今,主要由于上游晶圓代工廠產能有限,加之需求市場火爆,引發缺貨潮。
吳嘉連指出,一般汽車所使用的功率元件占21%,電動車則呈倍數增長到55%。主要原因是,汽車產業相當高的比例加入像電動車般的電子管理,傳統內燃機開始導入電...
8A30V耐壓MOS管 n溝道 場效應管(MOSFET)HC3600M介紹
型號:HC3600M 參數:30V 8A? 類型:N溝道場效應管 內阻22mR 低結電容445pF? 封裝:貼片(SOT23-3) 低開啟電壓1.5V ...
我們之前有介紹過什么是IGBT,不過主要是從結構上對其進行了剖析,并未深入介紹,今天金譽半導體再從其他角度來充分了解一下IGBT的具體信息。此文信息量有...
電子負載和電阻負載區別 電子負載和電阻負載是電子學中常見的兩種負載,它們在測試電路、進行數據采集和模擬分析等方面起到重要的作用。雖然它們都是用來模擬負載...
碳化硅mosfet有哪些主要參數 碳化硅MOSFET相關的主要參數包括: 1. 閾值電壓(Vth)- 這是MOSFET開啟的電壓。隨著Vth的增加,MO...
恩智浦半導體近日推出54款符合汽車工業標準并采用LFPAK56封裝的全新MOSFET——是目前市場上最全的Power-SO8 MOSFET產品組合。恩智...
對于硅,隨著耐壓的升高,每單位面積的電阻也會增加(大約是耐壓的2.5次方的平方)。因此,IGBT(絕緣柵雙極晶體管)主要用于600V以上的電壓。IGBT...
全面提升!英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSiC MOSFET G2
電子發燒友網報道(文/梁浩斌)近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術,據官方介紹,這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術,相比上一代...
基于電感的開關電源(SM-PS)包含一個功率開關,用于控制輸入電源流經電感的電流。大多數開關電源設計選擇MOSFET作開
共源級放大器用電阻負載和有源負載的區別是什么? 共源級放大器是一種常見的放大器電路,它由一個MOSFET管和一個負載組成。在這個電路中,信號通過輸入端送...
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