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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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MOSFET是電路中非常常見的元件,常用于信號(hào)開關(guān)、功率開關(guān)、電平轉(zhuǎn)換等各種用途。由于MOSFET的型號(hào)眾多,應(yīng)用面廣,所以MOSFET的選型需要考慮的...
英飛凌CoolSiC? MOSFET 2000V再獲殊榮,榮獲極光獎(jiǎng)兩項(xiàng)大獎(jiǎng)
英飛凌的CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件再度贏得行業(yè)殊榮,榮獲2024年度極光獎(jiǎng)“年度影響力產(chǎn)品”獎(jiǎng)項(xiàng)。與此同時(shí),憑借其在碳化硅技術(shù)領(lǐng)...
MG400V2YMS31700V碳化硅MOSFET模塊,助力實(shí)現(xiàn)尺寸更小,效率更高的工業(yè)設(shè)備
東芝兩款全新碳化硅(SiC)MOSFET雙模塊---MG600Q2YMS3和 MG400V2YMS3前者額定電壓為1200V,額定漏極電流為600A;后...
瞻芯電子榮獲SiC行業(yè)三大獎(jiǎng)項(xiàng)
近日,由行家說主辦的“2024碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇”于深圳召開,數(shù)百家SiC&GaN企業(yè)代表匯聚,共同見證第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的年度進(jìn)...
近日,ICCAD-Expo 2024(上海集成電路2024年度產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇暨(第三十屆)中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)展覽會(huì))在上海隆重舉辦。作為國(guó)際公認(rèn)的測(cè)試、檢...
開關(guān)電源是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置,是電源供應(yīng)器的一種。其功能是將一個(gè)位準(zhǔn)的電壓,透過不同形式的架構(gòu)轉(zhuǎn)換為用戶端所需求的電壓或電流。開關(guān)電源的核心部件是功...
2024-12-16 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源功率開關(guān) 751 0
派恩杰榮獲“中國(guó)SiC器件Fabless十強(qiáng)企業(yè)”
12月12日晚,第三代半導(dǎo)體“2024行家極光獎(jiǎng)”在深圳揭曉,數(shù)百家SiC&GaN企業(yè)代表聯(lián)袂赴宴,經(jīng)過數(shù)月時(shí)間的緊密籌劃,專家組委會(huì)和眾多行業(yè)...
CCPAK1212封裝將再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現(xiàn)
提供超低RDS(on)和超高的電流與熱管理能力 ? 奈梅亨,2024 年12 月12 日 :Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率...
2024-12-16 標(biāo)簽:MOSFET 114 0
青銅劍技術(shù)推出全新碳化硅驅(qū)動(dòng)核
近年來,隨著碳化硅技術(shù)的不斷成熟,行業(yè)對(duì)碳化硅功率器件的應(yīng)用需求正日益趨向多樣化、集成化及輕量化。碳化硅功率器件具有極低的門極電荷與導(dǎo)通阻抗、極高的開關(guān)...
安世半導(dǎo)體CCPAK1212封裝再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現(xiàn)
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均采用創(chuàng)新型銅夾片CC...
Nexperia發(fā)布16款新功率MOSFET,采用創(chuàng)新CCPAK封裝
Nexperia近日宣布正式推出16款全新的80V和100V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均采用了創(chuàng)新的銅夾片CCPAK1212封裝技術(shù),為行業(yè)樹立了功率密...
意法半導(dǎo)體推出40V STripFET F8 MOSFET晶體管
意法半導(dǎo)體近期推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管系列。該系列晶體管融合了強(qiáng)化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢(shì),并...
2024-12-11 標(biāo)簽:MOSFET意法半導(dǎo)體晶體管 199 0
龍騰半導(dǎo)體第十五屆亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇精彩回顧
近日,第十五屆亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇在深圳灣萬麗酒店圓滿結(jié)束。龍騰半導(dǎo)體全程參與了這場(chǎng)匯聚行業(yè)精英與前沿技術(shù)的電源盛會(huì):不僅精彩展示了最新產(chǎn)品和技術(shù)成果,...
瑞能半導(dǎo)體斬獲亞洲金選獎(jiǎng)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品大獎(jiǎng)
日前,經(jīng)過提名和票選,瑞能半導(dǎo)體的“頂部散熱產(chǎn)品系列”成功獲評(píng)EE Awards Asia亞洲金選獎(jiǎng)“功率半導(dǎo)體產(chǎn)品大獎(jiǎng)”。
2024-12-10 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體碳化硅 306 0
MOSFET規(guī)格書寫的體二極管正向電流175A靠譜嗎?如何計(jì)算真實(shí)的通流能力?-電路易錯(cuò)點(diǎn)
Part 01 前言 上一篇文章我們介紹了MOSFET體二極管的關(guān)鍵參數(shù)以及電路設(shè)計(jì)關(guān)注點(diǎn),其中Diode continuous forward cur...
市場(chǎng)上哪些功率半導(dǎo)體產(chǎn)品最受青睞?有哪些獨(dú)特優(yōu)勢(shì)
隨著全球?qū)Νh(huán)境保護(hù)意識(shí)的增強(qiáng)和能源結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)型,光儲(chǔ)充系統(tǒng)作為連接光伏發(fā)電、儲(chǔ)能裝置和電動(dòng)汽車充電站的重要橋梁,正迎來前所未有的發(fā)展機(jī)遇。而功率半導(dǎo)體,作...
2024-12-09 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 292 0
功率半導(dǎo)體在電動(dòng)汽車市場(chǎng)嶄露頭角
近年來,隨著電動(dòng)車滲透率的逐步提升,在各類汽車半導(dǎo)體產(chǎn)品中,功率半導(dǎo)體無疑是受益最大的領(lǐng)域;其高效能與低損耗特性,為電動(dòng)車的續(xù)航提升與性能優(yōu)化提供了堅(jiān)實(shí)...
2024-12-04 標(biāo)簽:MOSFETIGBT汽車產(chǎn)業(yè) 338 0
新潔能12-200V N-Channel Trench MOSFET系列產(chǎn)品
新潔能12-200V N-Channel Trench MOSFET系列產(chǎn)品覆蓋了12V至200V的電壓范圍,主要適用于中低壓場(chǎng)合,特別是在低壓領(lǐng)域具有...
新潔能30-250V N-Channel SGT-I MOSFET產(chǎn)品列表
新潔能30-250V N-Channel SGT-I MOSFET產(chǎn)品是基于傳統(tǒng)溝槽式MOSFET的改進(jìn)版本,其出色的導(dǎo)通電阻、品質(zhì)因子和快速硬開關(guān)能力...
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