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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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這堂課來講講電源結(jié)構(gòu)最重要的其中一個(gè)元件—功率開關(guān)元件。大功率的開關(guān)元件例如BJT、IGBT、MOSFET等,都有所謂的SOA(SafeOperatin...
100家功率器件廠商匯總前言功率器件應(yīng)用前景廣闊,幾乎涵蓋了所有電子產(chǎn)業(yè)鏈。以MOSFET、IGBT為代表的功率器件需求旺盛。根據(jù)性能不同,廣泛應(yīng)用于汽...
Littelfuse推出800V N溝道耗盡型MOSFET CPC3981Z
Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z,一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。
電壓型逆變電路分類解讀 逆變電路可分為哪兩大類 電壓型逆變電路是一種將直流電轉(zhuǎn)化為交流電的電路,是現(xiàn)代電力電子技術(shù)中的重要應(yīng)用之一。根據(jù)不同的控制方式和...
英飛凌推出先進(jìn)的OptiMOS?功率MOSFET,進(jìn)一步擴(kuò)大采用PQFN 2x2 mm2封裝的MOSFET器件的產(chǎn)品陣容
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進(jìn)一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計(jì)的成熟OptiMOS技術(shù)。...
2023-10-13 標(biāo)簽:英飛凌MOSFET開關(guān)電源 960 0
智能柵極驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)高效三相電機(jī)控制
電機(jī)在現(xiàn)代生活中應(yīng)用廣泛。無論是吸塵器、空氣風(fēng)扇還是電動(dòng)自行車,這些生活中的常見設(shè)備都需要電機(jī)來驅(qū)動(dòng),而一個(gè)良好的電機(jī)驅(qū)動(dòng)能力是保障設(shè)備高效、穩(wěn)定運(yùn)行的...
2023-10-13 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器柵極 637 0
碳化硅(SiC)技術(shù)已達(dá)到臨界點(diǎn),即不可否認(rèn)的優(yōu)勢推動(dòng)技術(shù)快速采用的狀態(tài)。 如今,出于多種原因,希望保持競爭力并降低長期系統(tǒng)成本的設(shè)計(jì)人員正在轉(zhuǎn)向基于S...
2023-10-13 標(biāo)簽:處理器MOSFET場效應(yīng)晶體管 1467 0
我們知道,SiC MOSFET現(xiàn)階段最“頭疼”的問題就是柵氧可靠性引發(fā)的導(dǎo)通電阻和閾值電壓等問題,最近,日本東北大學(xué)提出了一項(xiàng)新的外延生長技術(shù),據(jù)說可以...
英飛凌高壓超結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品用于靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用
在靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用中,電源設(shè)計(jì)側(cè)重于最大程度地降低導(dǎo)通損耗、優(yōu)化熱性能、實(shí)現(xiàn)緊湊輕便的系統(tǒng)設(shè)計(jì),同時(shí)以低成本實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量。
2023-10-10 標(biāo)簽:英飛凌MOSFET固態(tài)繼電器 747 0
芯塔電子與南京博蘭得達(dá)成長期戰(zhàn)略合作伙伴
近日,安徽芯塔電子科技有限公司董事長兼總經(jīng)理倪煒江一行到訪南京博蘭得電子科技有限公司,與博蘭得董事長徐明博士進(jìn)行深入交流。
如何為SiC MOSFET選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器
額外的電路通常比專用 SiC 占用更多的空間。因此,高端設(shè)計(jì)通常選擇專用的 SiC 核心驅(qū)動(dòng)器,這會(huì)考慮到更快的開關(guān)、過壓條件以及噪聲和 EMI 等問題...
由于政府對氣候變化的要求以及可能更重要的是消費(fèi)者需求呈指數(shù)級增長,汽車原始設(shè)備制造商(OEMs)計(jì)劃將電池電動(dòng)車型轉(zhuǎn)為未來10至15年主要銷售的汽車。這...
功率放大電路的效率影響因素有哪些? 功率放大電路是一種將輸入信號放大到更大幅度的電路。在實(shí)際應(yīng)用中,功率放大電路經(jīng)常被用在音頻、雷達(dá)和通信的設(shè)備中。然而...
PI的PowiGaN技術(shù)與同行所使用的其他氮化鎵技術(shù),在生產(chǎn)及可靠性管控方面也有所不同。他們的開發(fā)工作涵蓋了產(chǎn)品制造和設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)的各個(gè)方面,從外延生長到晶...
2023-09-27 標(biāo)簽:MOSFET電壓場效應(yīng)晶體管 397 0
SiC MOSFET逆變器的創(chuàng)新應(yīng)用
碳化硅逆變器將有助于駕駛員更快地為電動(dòng)汽車充電,減輕消費(fèi)者對續(xù)航里程的焦慮。由于SiC具有更高的工作溫度和更快的開關(guān)速度,因此它是用于快速充電解決方案的...
2023-09-25 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET逆變器 699 0
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉:近日,英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)宣布與中國的新能源汽車充電市場領(lǐng)軍企業(yè)英飛源達(dá)成合作。
同步整流MOSFET的選擇,F(xiàn)HL300N1F2A場效應(yīng)管更提升整流效率!
既然效率這么好,在國內(nèi)能有什么優(yōu)質(zhì)MOS管使用呢?除市場中的IPT020N10N5參數(shù)型號,我們還是選擇飛虹半導(dǎo)體的FHL300N1F2A型號場效應(yīng)管。
2023-09-23 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管同步整流 1739 0
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