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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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功率半導(dǎo)體行業(yè)景氣度向好,進(jìn)口替代提速
昨日(4日)晚間,揚杰科技發(fā)布2020年度業(yè)績預(yù)告,預(yù)計實現(xiàn)凈利潤為3.6億元–4.17億元,同比增長60%-85%。作為首個公布2020年度業(yè)績預(yù)告的...
瞻芯電子正式開發(fā)第二代碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品
瞻芯電子依托自建的碳化硅(SiC)晶圓產(chǎn)線,開發(fā)了第二代碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品,其中IV2Q12040T4Z?(1200V 40mΩ?SiC ...
儒卓力發(fā)布英飛凌OptiMOS功率MOSFET 具有出色的性能數(shù)據(jù)和功率密度
由于具有最低的導(dǎo)通電阻(RDS(on)),這些BiC MOSFET能夠以良好的性價比降低損耗。此外,通管殼(Junction to Case (RthJ...
特瑞仕半導(dǎo)體株式會社(日本東京都中央?yún)^(qū) 董事總經(jīng)理:芝宮 孝司 第一東京證券交易所:6616)開發(fā)了2種MOSFET新產(chǎn)品--XP22x系列(20V耐壓...
2020-09-03 標(biāo)簽:繼電器開關(guān)電路MOSFET 1908 0
華羿微電科創(chuàng)板IPO獲受理!主打MOSFET功率器件,募資11億布局車規(guī)級市場
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/劉靜)近日,華羿微電子股份有限公司(以下簡稱:華羿微電)科創(chuàng)板IPO申請獲受理。 ? ? 華羿微電本次發(fā)行股票不低于7325.23...
2023-07-06 標(biāo)簽:MOSFET 1908 0
飛兆半導(dǎo)體MOSFET技術(shù)開發(fā)工程師Jaegil Lee先生表示,由于增加了便攜式設(shè)備的使用,在目前的電力系統(tǒng)中,對于電信網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)建設(shè)(3G / LTE...
2013-10-31 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體MOSFET電源管理 1904 0
簡述霍爾電流傳感器在電信整流器和服務(wù)器電源中的應(yīng)用
霍爾電流傳感器在電信整流器和服務(wù)器電源中的應(yīng)用 電信整流器和服務(wù)器電源單元(PSU)中的功率因數(shù)校正(PFC)電路和逆變電路都需要將高壓側(cè)的電流信號檢...
安森美新增100V N溝道MOSFET系列:NTP641x/
安森美新增100V N溝道MOSFET系列:NTP641x/NTB641x/NTD641x 安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴充N溝道...
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 宣布推出汽車級COOLiRFET ?...
半橋LLC諧振轉(zhuǎn)換器中Si和SiC MOSFET的比較
LLC 諧振轉(zhuǎn)換器可用于各種應(yīng)用,如消費電子產(chǎn)品,以及可再生能源應(yīng)用,如光伏、風(fēng)能、水力和地?zé)岬取1疚奶峁┝嗽?3KW 中建模的 Si 和 SiC MO...
Vishay推出快速體二極管MOSFET-SiHH070N60EF,提供高效解決方案
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出最新第四代600 V EF系列快速體二極管MOSF...
2020-12-23 標(biāo)簽:二極管轉(zhuǎn)換器mosfet 1892 0
描述 NP1216DR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和 工作電壓低至1.8V。這 該器件適用于作為負(fù)載開關(guān)或PWM 應(yīng)用程序。...
硅是半導(dǎo)體行業(yè)的第一代基礎(chǔ)材料,目前全球95%以上的集成電路都是以硅為襯底制造的。不過,由于轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)頻率、工作溫度等多方面受限,當(dāng)電壓大于900V...
2023-08-01 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 1889 0
針對應(yīng)用選擇正確的MOSFET驅(qū)動器 目前,現(xiàn)有的MOSFET技術(shù)和硅工藝種類繁多,這使得選擇合適的MOSFET驅(qū)動器成了一個富有挑戰(zhàn)性的過程。 ...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/程文智)慕尼黑華南電子展即將在10月28日至30日在深圳國際會展中心寶安新館舉行。為了了解展會上的新技術(shù)和新產(chǎn)品,我們做了一個“探...
英飛凌推出采用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25V和30V功率MOSFET,樹立技術(shù)新標(biāo)準(zhǔn)
英飛凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列,旨在為分立功率MO...
東芝針對汽車應(yīng)用推出三款100V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品
一個人的工作能力是指他承擔(dān)某項工作、執(zhí)行某項業(yè)務(wù)、任務(wù)的能力。具體表現(xiàn)有兩方面,一是他的專業(yè)知識水平,二是他解決、處理實際工作的能力。在實踐中二者常常是...
宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出兩款新一代200 V 氮化鎵場效應(yīng)晶體管
EPC2215(8 mΩ、162 Apulsed)和EPC2207(22 mΩ、54 Apulsed)的尺寸比前代200 V eGaN器件大約縮小50%...
2020-08-22 標(biāo)簽:MOSFET晶體管場效應(yīng)晶體管 1867 0
中國芯片制造關(guān)鍵技術(shù)取得重大突破,預(yù)計一年內(nèi)實現(xiàn)應(yīng)用落地
9月3日,南京傳來振奮人心的科技捷報:歷經(jīng)四年的潛心鉆研與自主創(chuàng)新,國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(南京)在半導(dǎo)體科技領(lǐng)域取得了里程碑式的成就,成功解鎖...
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