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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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集微網消息,1月8日,華潤微發布投資活動表。華潤微在接受投資者調研時稱,目前公司在手訂單飽滿,產能滿載,汽車電子是未來重點發力的方向。 產能利用率方面,...
電子發燒友網報道(文/李寧遠)時至今日,大至功率變換器,小至內存、CPU等各類電子設備核心元件,無不用到MOSFET。MOSFET作為一種半導體器件,既...
MOSFET的柵源振蕩究竟是怎么來的?柵源振蕩的危害什么?如何抑制
MOSFET的柵源振蕩究竟是怎么來的呢?柵源振蕩的危害什么?如何抑制或緩解柵源振蕩的現象呢? MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)的柵源振蕩...
Allegro Microsystems推出經ASIL認證的全新BLDC MOSFET驅動器
今年圣誕有驚喜,杭州博聯CEO劉宗孺剛在云接入市場投下了4顆震撼彈,最大的一顆是宣布博聯3大云平臺全面免費向照明、電工、電機類產品開放。目前其它云接入廠...
Nexperia先進電熱模型可覆蓋整個MOSFET工作溫度范圍
Nexperia(安世半導體)今日宣布MOSFET器件推出全新增強型電熱模型。半導體制造商通常會為MOSFET提供仿真模型,但一般僅限于在典型工作溫度下...
SiC肖特基勢壘二極管不使用反并聯硅二極管,可集成到系統中。硅基二極管有反向恢復電流,會造成開關損耗(以及產生電磁干擾,或EMI),而SiC二極管的反向...
瞻芯電子推出1700V SiC MOSFET助力高效輔助電源
11月27日,瞻芯電子開發的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規級可靠性認證(AEC-Q101), 導通...
盡管光耦合器可易于實現極高的5 kVrms或更高的隔離,但它們體積大且易老化。在沒有光的情況下實現跨越隔離柵的通信,同時仍保留所需的隔離水平,這是可能的。
意法半導體推出40V STripFET F8 MOSFET晶體管,具備更好的節能降噪特性
2022 年 6 月 23 日,中國 – 意法半導體40V MOSFET晶體管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低導通電阻和開關...
英飛凌推出基于PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOS?源極底置25 V功率MOSFET
英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)通過專注于解決當前電源管理設計面臨的挑戰,來實現系統創新和組件水平的改進。源極底置是...
電子發燒友網報道(文/李誠)功率器件從硅基向碳化硅的轉型,成為了半導體集成電路領域快速發展的一個縮影,對整個電力電子行業的發展具有重大的影響。 碳化硅功...
德州儀器(TI)推出面向IGBT與MOSFET的隔離式柵極驅動器
日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅動器,其速度比同等光學柵極驅動器快40%。
運放為什么有失調電壓? 首先我們需要了解什么是失調電壓。失調電壓(Offset Voltage)是運放在不同輸入電壓條件下輸出電壓的差異,即當兩個輸入端...
mosfet結構和工作原理 MOSFET的原意是: MOS (Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體),FET (Field...
2023-02-22 標簽:MOSFET 1780 0
Diodes公司推出ZXGD3113同步整流控制器 將取代高損耗的肖特基整流器
為滿足業界對于提高功率密度與提高效率的廣泛需求,Diodes 公司推出 ZXGD3113 同步整流控制器。搭配 MOSFET 時,其配對組合可在基于反馳...
ADI宣布推出 Power by Linear?的LTM4662
Analog Devices, Inc. (ADI)宣布推出 Power by Linear?的LTM4662,該器件是一款采用 BGA 封裝的雙通道 ...
MOSFET的種類有哪些 1. Enhancement MOSFET(增強型MOSFET) 2. Depletion MOSFET(耗盡型MOSFET)...
2023-06-02 標簽:MOSFET 1777 0
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